SPDT大功率的UltraCMOS ™DC - 3.0 GHz射频开关
 
 
 
       PE4259的UltraCMOS ™射频开关被设计为覆盖广泛的，通过3000兆赫从近DC应用。这种反射开关集成主板上的CMOS控制逻辑用低电压CMOS兼容的控制接口，并且可以使用单针或互补的控制来控制输入。使用标称值为+ 3伏电源电压，典型可以实现33.5 dBm的输入1 dB压缩点。该PE4259 SPDT高功率的UltraCMOS ™射频开关在百富勤的专利超薄硅制造（ UTSi® ） CMOS工艺，提供GaAs组成与性能经济一体化和传统的CMOS 。
 
特点
 
•单针或互补的CMOS逻辑控制输入
•低插入损耗0.35分贝1000兆赫，0.5分贝，在2000兆赫
•30 dB的隔离在1000兆赫， 20分贝在2000兆赫
•典型的输入1 dB压缩点的33.5 dBm的
•超小型SC- 70封装
 
 
功能框图
包装类型SC- 70
6引脚SC- 70
 
 
 
 
 
 
 
 
电气规格
 
注：1.线性器件将开始降低10 MHz以下。
2.在交换机的任何端口的输出端的直流瞬态当控制电压从低电平转换到高或高到低在50
Ω测试设置，具有1ns的上升时间脉冲和500 MHz的带宽测量。
 
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    郭先生
 

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