NAND flash cache编程

PROGRAM PAGE CACHE MODE 0x80-0x15：

CACHE编程实际上是标准的页编程命令的带缓冲编程模式，编程开始是发布SERIAL DATA INPUT(0x80)命令，随后是5个地址周期，以及页的全部或部分数据，数据copy到CACHE寄存器，然后发布CACHE WRITE(0x15)命令。数据在WE#的上升沿锁存到数据寄存器，在这个锁存期间，R/B#为低，锁存结束之后，R/B#变高，编程开始。

当R/B#变高之后，新的数据可以通过发布另一个CACHE PROGRAM命令来写入，R/B#保持低的时候由实际的编程时间来控制，第一次等于数据从CACHE寄存器写入到数据寄存器需要的时间，之后，只有数据寄存器的内容被编程进阵列之后，CACHE寄存器才能锁存到数据寄存器，所有，以后的R/B#为低的实际应该更长一些。

状态寄存器中反映CACHE R/B#的Bit6可以通过READ STATUS命令读出，以便确定什么时候，CACHE寄存器准备好接受新的数据了。

状态寄存器中反映R/B#的Bit5可以被查询，以确定什么时候当前编程周期的实际阵列编程完成。

如果仅使用R/B#来确定编程是否完成，那么编程序列的最后一页必须使用PROGRAM PAGE（0x10）来替代CACHE PROGRAM（0x15）。如果CACHE PROGRAM命令每次都使用，状态寄存器的Bit5必须用来确定编程是否结束。

当状态寄存器的bit6为1时，状态寄存器Bit0返回前一页的编程是否成功，当前PROGRAM操作的成功与否的状态是：Bit5为“1”（准备好状态）时的Bit0状态