NAND flash cache编程
PROGRAM PAGE CACHE MODE 0x80-0x15:
CACHE编程实际上是标准的页编程命令的带缓冲编程模式,编程开始是发布SERIAL DATA INPUT(0x80)命令,随后是5个地址周期,以及页的全部或部分数据,数据copy到CACHE寄存器,然后发布CACHE WRITE(0x15)命令。数据在WE#的上升沿锁存到数据寄存器,在这个锁存期间,R/B#为低,锁存结束之后,R/B#变高,编程开始。
当R/B#变高之后,新的数据可以通过发布另一个CACHE PROGRAM命令来写入,R/B#保持低的时候由实际的编程时间来控制,第一次等于数据从CACHE寄存器写入到数据寄存器需要的时间,之后,只有数据寄存器的内容被编程进阵列之后,CACHE寄存器才能锁存到数据寄存器,所有,以后的R/B#为低的实际应该更长一些。
状态寄存器中反映CACHE R/B#的Bit6可以通过READ STATUS命令读出,以便确定什么时候,CACHE寄存器准备好接受新的数据了。
状态寄存器中反映R/B#的Bit5可以被查询,以确定什么时候当前编程周期的实际阵列编程完成。
如果仅使用R/B#来确定编程是否完成,那么编程序列的最后一页必须使用PROGRAM PAGE(0x10)来替代CACHE PROGRAM(0x15)。如果CACHE PROGRAM命令每次都使用,状态寄存器的Bit5必须用来确定编程是否结束。
当状态寄存器的bit6为1时,状态寄存器Bit0返回前一页的编程是否成功,当前PROGRAM操作的成功与否的状态是:Bit5为“1”(准备好状态)时的Bit0状态
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