电路处于Buck-Boost DCM模式,最恶劣情况为输入电压最低时。取频率为f

以下图为例:

1、MOS耐压选择:

Vmos≥Vinmax+Vout+80

2、保证磁芯不饱和且始终工作在DCM模式

由伏秒平衡(Vinmin-1)*ton=Vout*toff --------①(设MOS正向导通压降为1V)

为保证电路工作于DCM模式,应使ton+toff=0.8T  ---------------②(设计20%T的死区时间)

故联立①②得tonmax=0.8Vout/(f*(Vinmin+Vout-1))

3、初级电感确定

∵Ip= P*(2√2)/(Vin*D),

又∵Ip=(Vinmin*tonmax)/Lp

∴Lp=Vinmin*tonmax/Ip

4、初/次级匝数确定

Np=(Lp*Ip)/(ΔB*Ae)

Ns= Vcc*Np/(Vinmax+Vout)

5、初/次级电流有效值确定

Irms(初级)=(Ip/√3)*(√(Ton/T))

Irms(次级)=(Ip*(Np/Ns)/√3)*√(Toff/T)

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