DS18B20配置
复位脉冲:
先拉低至少480us,以产生复位脉冲,接着释放4.7k电阻为高,延时15~60us,
进入接收。
void DS18B20_Rst(void)
{
DS18B20_IO_OUT(); //SET PG11 OUTPUT
DS18B20_DQ_OUT=; //拉低DQ
delay_us(); //拉低750us
DS18B20_DQ_OUT=; //DQ=1
delay_us(); //15US
}
应答脉冲:
然后在拉低总线为60~240us,产生低电平应答脉冲(接收)。
u8 DS18B20_Check(void)
{
u8 retry=;
DS18B20_IO_IN(); //SET PG11 INPUT
while (DS18B20_DQ_IN&&retry<)
{
retry++;
delay_us();
};
if(retry>=)return ;
else retry=;
while (!DS18B20_DQ_IN&&retry<)
{
retry++;
delay_us();
};
if(retry>=)return ;
return ;
}
写时序:
写1:先低电平延时2us,在释放总线延时60us。写0:先低电平60us,在释放
总线延时2us。
void DS18B20_Write_Byte(u8 dat)
{
u8 j;
u8 testb;
DS18B20_IO_OUT(); //SET PG11 OUTPUT;
for (j=;j<=;j++)
{
testb=dat&0x01;
dat=dat>>;
if (testb)
{
DS18B20_DQ_OUT=; // Write 1
delay_us();
DS18B20_DQ_OUT=;
delay_us();
}
else
{
DS18B20_DQ_OUT=; // Write 0
delay_us();
DS18B20_DQ_OUT=;
delay_us();
}
}
}
读时序:
主机输出低电平2us,然后在释放总线延时12us,接着在读取数据是0还是1,并
且延时50us。先读一个字节,然后在读一个位。
u8 DS18B20_Read_Bit(void)
{
u8 data;
DS18B20_IO_OUT(); //SET PG11 OUTPUT
DS18B20_DQ_OUT=;
delay_us();
DS18B20_DQ_OUT=;
DS18B20_IO_IN(); //SET PG11 INPUT
delay_us();
if(DS18B20_DQ_IN)data=;
else data=;
delay_us();
return data;
}
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