MOS管应用之放反接电路

一、典型电路

1、电路1

说明：

GND-IN　　为电源接口的负极

GND　　　 为内部电路的公共地

原理分析

正向接：

　　VCC-IN通过R1、R2、MOS体二极管，最后回到GND-IN;然后GS电压升高，紧接着SD沟道形成；沟道电阻很小，将MOS体二极管短路。

反向接：MOS体二极管截至

2、电路2

说明：

GND-A-24V　　为电源接口的负极

GND-A　　　    为内部电路的公共地

原理分析

正向接：

　　VCC-IN通过R1、R2 ，最后回到GND-IN;然后GS电压升高，紧接着SD沟道形成，GND-A-24V便接在了GND-A上。

反向接：

虽然 MOS体二极管这时正向接，但是由于GND-A上端接的是我们的电路，电路的上端是VCC-A-24V-IN，所以还是无法通过；事实上GND-A-24V根本接不进我们的电路以形成回路。

二、优缺点

1、优点

　　由于正向接导通时，MOS管Ron很小，压降非常小，基本保证了GND和GND-IN等电位。

　　而串联二极管会有一定的压降。

2、缺点

　　电路复杂，价格也高。