Memory Bist
- SRAMC主要是对SRAM进行控制
- 对于SRAM的逻辑,根据地址将数据存储到SRAM中,然后根据地址将SRAM中的数据读取出来
如何测试Memory,生产工艺原因造成的问题,采用DFT或者Bist测试方法 - DFT - 在代码中加入测试逻辑,之后通过这部分逻辑对芯片进行测试

What is manufacturing test?

- 芯片在FAB生产之后,会有错误,通过ATE基台进行测试,打入信号,检查输出信号是否正确
What is a physical defect?

- 物理缺陷(失效) - 与门、或门、非门、线路出现问题,晶体管常开或者是氧化层开洞
- short Circuit - 短路
- open Circuit - 开路
- DFT - 可观测性和可控性,覆盖率比较高的时候,可以认为所有的寄存器都被观测到
CMOS Inverter Layout

- 红色的是金属层
Stuck-at fault model

- SA1 - 短接到1,或非门短接到1,输出都是0
- SA1 - 与门短接到地,不管输入如何变化,输出都是0
- 对于Standcesll,通过插入的Scan chain,输出错误表示芯片有问题
Soc中的DFT和BIST

- 一个Soc中有很多memory,通过IO连在一起进行测试是不可行的,对于布线压力很大。
- 对Memory进行测试,借助读写逻辑,借助状态机,设置一个模块嵌在memory中,进行测试。
含DFT设计的流程

- 不插入扫描链的寄存器都是普通的寄存器,插入扫描链之后的寄存器都被替换为插入扫描链的寄存器

- 插入DFT逻辑在寄存器之前加mux,通过mux进行function mode和test mode进行选择
- DFT也是一种设计,添加mux会增加面积

嵌入式Memory的测试方法

- CPU进行测试,需要一个Memory一个Memory进行测试,效率比较低
- CPU在测试Memory,因为Memory的的深度不同,软件复用性差
MBIST概述


MBIST架构


MBIST实现与EDA工具

- 通常MBIST逻辑由EDA工具生成
March算法


- 复杂度主要是时间复杂度
March算法的硬件实现



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