Altera DDR2 IP核学习总结1-----------SRAM，DRAM

SRAM，DRAM，SDRAM和DDR2这些芯片详解网上铺天盖地的各种资料都有，这里只是根据个人习惯做一下总结，方便记忆。

详细资料可以参考https://wenku.baidu.com/view/36eb2521af45b307e8719786.html?sxts=1560173120906

SRAM基本存储单元结构

SRAM中的每一bit存储在由四个场效应管（M1-M4）构成的两个交叉耦合的反相器中，另外两个场效应管（M5，M6）是存储基本单元

到用于读写的位线（Bit Line）的控制开关。

DRAM基本存储单元结构

DRAM的每一个Bit都由一个MOS管和一个电容组成，通过ROW LINE也就是MOS管的栅极来控制电容跟Column Line的导通与关闭，

通过Column Line来读取电容的高低电平。

优缺点比较：

地址总线差异：SRAM分为单地址总线，DRAM为双地址总线（行地址，列地址）原因是因为存储1bit的数据SRAM需要4-6个晶体管，

但是DRAM仅仅需要1个晶体管，这样相同容量的SRAM的体积比DRAM大至少四倍。这意味着DRAM没有足够的空间安放同样数量的引脚

（因为针脚并没有因此减少4倍）。如果为了安装同样数量的针脚而把DRAM芯片的体积加大，就会提高芯片的生产成本和功耗，所以减少

针脚数目也是必要的。对于现在的大容量DRAM芯片，多路寻址技术已经是必不可少的了。

读写速率差异：SRAM可以运行在比DRAM更高的频率，SRAM需要2-3个时钟周期来获得想要的数据（这里我们暂时忽略CPU，芯片组核内存DIMM

控制电路之间的延迟），同样的过程DRAM需要大约3-9个时钟周期。原因是因为DRAM采用一个晶体管和一个电容组成，这样的组成虽然是目前

最经济的方式，但是电容储存的电荷实惠慢慢泄露的，为了保证内存中数据的正确性需要不时的刷新内存，电容需要电流进行充电，而电流充电的

过程是需要一定时间的，一般是0.2-0.18微秒（由于内存工作环境所限制，不可能无限制的提高电流的强度），在这个充电的过程中内存是不能被访问的，

这就意味着DRAM基本存储单元大约有1%的时间用在刷新上。同事读取内存会导致内存基本存储单元中的电荷丢失，所以每当DRAM被访问之后都要进行

刷新，以维持访问之前的状态，否则就会导致数据丢失。因为SRAM不存在刷新问题，SRAM采用了4个晶体管核两个电阻器构成的结构，它并不利用电容器

来存储数据，而是通过切换晶体管的状态来实现，所以读取的过程中不会造成SRAM内存数据的丢失。

综上所述两种芯片速率，成本，容量差异较大，所以两者都有自己更适合的场所。