目的:很多单电池的机器在大负载的情况下,如把背光开到最亮,运行3D游戏,此时拔DC电源很容易出现机器死机,或花屏现象;

原因:Q5的导通时间不够,希望通过G极的快速放电,加快到导通时间;

修改前的电路:

(电池电压为3.65V时切换,黄色表示VB,绿色MOS的G极)运行3D游戏时,拔除充电电源,MOS管转为导通状态需时32ms左右,VB drop为725mV.

(电池电压为3.4V时切换,黄色表示VB,绿色MOS的G极)运行3D游戏时,拔除充电电源,MOS管转为导通状态需时11ms左右,VB drop为970mV,系统重启。

修改后:

(电池电压为3.65V时切换,黄色表示VB,绿色MOS的G极)运行3D游戏时,拔除充电电源,MOS管转为导通状态需时0.16ms左右,VB drop为200mV左右.

(电池电压为3.4V时切换,黄色表示VB,绿色MOS的G极)运行3D游戏时,拔除充电电源,MOS管转为导通状态需时0.16ms左右,VB基本没有drop,系统没有重启。

结论: 从以上实验可以看出,修改后的电路在充电器拔除时能更快的使MOS管自身结电容的电荷放干净,MOS管更快导通。单电池低压时拔除充电电源带来的问题可以很好解决。

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