微电子中的die-to-die和within-die
工艺制造中lot指按某种方式生成的硅柱状体,将这些lot切成薄片就称为wafer,wafer是进行集成电路制造的基板,一般以直径来区分,8寸、10寸,12寸等,或者以毫米来区分。直径越大材料的利用率越高,因为在wafer的周边由于弧形的关系是没法利用的 。在wafer上根据需要划分不同的区域,每个区域用于生产特定功能的芯片,称之为die。一个wafer上可以是同一类芯片,也可以是不同类芯片,后者可以称为多项目晶元,允许量产数目不高的多家单位进行合作生产。
在集成电路的生产流程中,wafer的不同地方受到的影响是不同的,以光刻为例,距离光源中心的远近对生产出来的各种层次的形状有明显的影响,当然也就对最后的芯片的性能有影响。类似的众多的因素导致不同的lot之间,wafer之间,wafer内部的不同die之间,以及die内部的不同地方,最终的生产效果是有差别的,对于需要精确匹配等特殊要求的设计,仿真必须考虑这些因素的影响,但这些影响是难于准确量化的。厂商一般给出一个经验值或公式用于弥补这些因素的影响,因此才有这些数据
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