ONFI闪存数据通道接口标准

　　早期的闪存产品每个厂家的设计标准各有不同，会碰到各种各样的问题，特别是到了06年之后，闪存产业市场需求开始发力，造成了迫切需要一个统一的标准来改变这个问题。
　　2007年1月，以英特尔，镁光，海力士，意法半导体，力晶为首的NAND闪存厂商和控制芯片开发商台湾群联电子以及产品厂商索尼等宣布统一制定连接NAND闪存和控制芯片的接口标准“ONFI 1.0”。
       ONFI 1.0制定的是包括：闪存指令，寄存器集，引脚排列，电气参数以及封装等有关标准。主要是从包括东芝和三星在内各NAND闪存厂商的自主标准中，将通用的部分抽出进行了标准化。这样便使控制芯片和中间件不依赖于NAND芯片厂商而可实现通用，由此可减轻产品厂商的开发负担。
       由于传统的Legacy接口每通道传输带宽为40MT/s，已经不能满足现今高速发展的SSD产品需求。ONFI 1.0标准把传统Legacy接口每通道传输带宽提升到了50MT/s，可以说ONFI 1.0的目的主要是想着统一接口的设计。 
       2008年2月，ONFI 2.0宣布了，ONFI 2.0的标准使NAND闪存的通道传输带宽从50MT/s提高到了133MT/s，并保持了老版本接口的兼容性。ONFI 2.0主要是通过下面2项技术来缩短数据在缓存区中的交换传输时间。第一，在DRAM里常用的双倍数据流信号技术。第二，ONFI使用了源同步时钟来精确控制锁存信号，使闪存设备达到了更高的工作频率。 
       2009年2月，ONFI 2.1宣布了，相比ONFI 2.0更加简化了闪存控制器设计，并将传输性能提升到166MT/s ~ 200MT/s附近。ONFI 2.1特别针对上网本等低消费产品应用做了调整，加入了新的Small Data Move指令，解放低端消费产品在纠错功能上的限制，增强ECC纠错能力，新增交错读取支持，允许主机向NAND闪存写入数据时停止时钟来节省用电，新增Change Row Address指令来解决某些情况下NAND闪存操作负担，并同时向下兼容老的ONFI标准并和老NAND界面兼容。 
       2009年10月，ONFI 2.2宣布了，在ONFI 2.1的基础上，ONFI 2.2加入了独立LUN重置，增强页编程寄存器的清除，新的ICC测量和规范。前两个功能主要增强了多NAND环境下处理的效率，而规范的电流ICC测试和定义将简化供应商的测试和改进数据的一致性。 
       2011年3月，ONFI 3.0宣布了，提升接口带宽到400MT/s，降低CE针脚需求来提升PCB的布局能力，支持EZ-NAND（闪存内集成ECC）接口。