几种常用的MOS管参数、应用电路及区别：IRF540N、IRF9540N、IRF9540

1. IRF540N,N沟道,100V,33A,44mΩ@10V

栅极（Gate—G，也叫做门极），源极(Source—S)， 漏极（Drain—D）

漏源电压（Vdss）	100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	33A
栅源极阈值电压	4V @ 250uA
漏源导通电阻	44mΩ @ 16A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）	130W
类型	N沟道

IRF540N（NMOS管）应用电路

MOS管由电压控制，与三极管不同（三极管是电流控制）。说白了，给箭头方向相反的压降就是导通，方向相同就是截止

可以在单片机和栅极之间加一个1k的电阻，起到限流作用；

此外，可以栅极和源极之间加一个10k的电阻，一是为场效应管提供偏置电压；二是起到泻放电阻的作用：保护栅极G-源极S

参考 https://www.cnblogs.com/byxzwz/p/10265739.html

2. IRF9540N,P沟道,-100V,-23A,117mΩ@-10V

漏源电压（Vdss）	-100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	23A
栅源极阈值电压	4V @ 250uA
漏源导通电阻	117mΩ @ 11A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）	140W
类型	P沟道

IRF9540N（PMOS管）应用电路

3. IRF9540,P沟道,-100V,-19A

跟IRF9540N的区别是引脚封装不同，从原理图可以看出来，两个正好是上下颠倒的。

漏源电压（Vdss）	-100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	19A(Tc)
栅源极阈值电压	4V @ 250uA
漏源导通电阻	200mΩ @ 11A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）	150W(Tc)
类型	P沟道