MOS管耗散功率的计算

MOS管的功率，一般是指Maximum Power Dissipation--Pd，最大的耗散功率，具体是指MOS元件的容许损失，可从产品的热阻上求得。当Tc=25度时，通过附加最大容许损耗Pd，则变为Tc=150度max. Pd=（Tcmax-Tc）/Rth（ch-c）

MOS的功耗是指MOS在电路应用中的损耗，比如导通损耗，开关损耗等，当然设计及应用的时候这个值一定是远小于MOS管的Pd. 

MOS管耗散功率的计算

在条件相同的情况下，降低开关频率一定可以降低MOS的功耗。  

MOS管的功耗主要有开关损耗和通态损耗。 

首先要计算通态损耗的影响。Pcond=Idsrms*Idsrms*RDSon*Dmax， 

例如：Idsrms=11A时，Dmax接近100%，RDSon取8豪欧，Pcond约1W。 

再估算开关损耗。PSW=VDSoff*Idsrms*（tr+tf）*f/2。 例如：tr+tf=600ns，f=15625，VDSoff取24V，PSW=1.24W 

Pmos=Pcond+PSW=2.24w。 

如果MOS采用单个IRF3205 ，不加散热片时的热阻是62度/W。此时的温升是62*2.24=138度。 所以不管其他的条件，在这应用里必须加装良好的散热器。 

由开关损耗的公式可以看出，反电动势的抑制的确是重要的，必须采用足够容量的低ESR的电解电容安装在MOS附件吸收反电动势，由于流过该电容的电流波纹很大，电容容易发热。 如果反电动势吸收不好，还会造成MOS关断不良的情况，需要用示波器实际观察。