三星原厂就K9K8G08U0D升级为K9K8G08U0E的回信

 1. please check the below timing first.





K9F1G08U0E vs K9F1G08U0D Timing difference

　 tR tPROG tBERS NOP

K9F1G08U0E Max. 40us Max. 900us Max. 16ms 1

K9F1G08U0D Max. 40us Max. 750us Max. 10ms 4

 

2. if timing is OK, please kindly know the 21nm SLC NOP=1 , not 4

    it means every NAND page you can just  write one time,

     if you want to write the data in the same page again, you need to erase first

 

3. please note : 

   due to 21nm SLC NOP=1, it means you can not use "Partial Program"  for it

   if you use this function in our 42 nm SLC and want to change to 21nm SLC

    the way to solve it is modify host FTL algorithm 

     

 there is FTL (flash transfer layer) between file-system and raw NAND

 ( FTL : flash transfer layer ; such as bad blocks, page size write /read, ECC , wearleveling.....)

 in solution base such as eMMC or SSD, the inside controller handle FTL

 but for Raw NAND, it has NO controller inside and needs host to handle this algorithm 

 

4.   image-partition FAT table error

     please kindly check the physcial to logical table

     in logical, you can write the data in the same area

     but, in physical, when you want to write or update the new data to the same page

     you can not write directly in the same page due to NOP=1

     you need to write to another page