Synopsys逻辑工艺库

Synopsys逻辑工艺库(DC综合)

逻辑库包括仅与综合过程有关的信息且通过DC用于设计的综合和优化。

这一信息包括引脚到引脚的时序、面积、引脚类型和功耗以及其他DC需要的必须数据。

逻辑库是一个文本(通常扩展名".lib")，通过使用Library Compiler(LC)编译生成带有扩展名名".db"的二进制文件。

以SMIC的逻辑综合库为例：库文件下载地址

逻辑库基础

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逻辑库包括一下信息：

• 库类
• 库级属性
• 环境描述
• 单元描述

库类

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库类语句指定库名，接着是一左大括号。右大括号是库文件的最后项，大括号里的内容都是整个库类描述的一部分。

以下以smic13HT_ss.lib为例

library ( smic13HT_ss ) {
}

库级属性

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库级属性是作用与整个库的语句，通常包括库特征，如工艺类型、日期、版本和用于整个库的默认值。

library ( smic13HT_ss ) {
    delay_model                    : table_lookup ;
    in_place_swap_mode             : match_footprint ;
    time_unit                      : "1ns" ;
    voltage_unit                   : "1V" ;
    current_unit                   : "1uA" ;
    pulling_resistance_unit        : "1kohm" ;
    leakage_power_unit             : "1nW" ;
    capacitive_load_unit           ( 1,pf ) ;
    slew_upper_threshold_pct_rise  : 90.00 ;
    slew_lower_threshold_pct_rise  : 10.00 ;
    slew_upper_threshold_pct_fall  : 90.00 ;
    slew_lower_threshold_pct_fall  : 10.00 ;
    input_threshold_pct_rise       : 50.00 ;
    input_threshold_pct_fall       : 50.00 ;
    output_threshold_pct_rise      : 50.00 ;
    output_threshold_pct_fall      : 50.00 ;
    nom_process                    : 1 ;
    nom_voltage                    : 1.08 ;
    nom_temperature                : 125 ;
    revision                       : 0.1 ;
    date                           : "Tue Oct 21 11:08:22 CST 2003" ;
    comment                        : "Copyright 2003 by Verisilicon Microelectonics (Shanghai) Co., Ltd." ;
    ......
    ......
}

环境描述

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库中定义的环境属性对于温度、电压和制造工艺的偏差建模，它包括比例因子(降低标称值)、时序范围模型和工作条件。此外，环境描述也包含DC用于估算连线延时的线载模型。

• 比例因子
  
  比例因子或K因子是乘数，它提供基于工艺、电压和温度(简称为PVT)的偏差减少延时值的方法。

    k_temp_hold_fall               : -0.000117 ;
    k_temp_hold_rise               : 0.000224 ;
    k_volt_hold_fall               : -1.134170 ;
    k_volt_hold_rise               : -1.508669 ;
    k_temp_setup_fall              : -0.000117 ;
    k_temp_setup_rise              : 0.000224 ;
    k_volt_setup_fall              : -1.134170 ;
    k_volt_setup_rise              : -1.508669 ;
    k_temp_cell_fall               : -0.000117 ;
    k_temp_cell_rise               : 0.000224 ;
    k_volt_cell_fall               : -1.134170 ;
    k_volt_cell_rise               : -1.508669 ;
    k_temp_fall_propagation        : -0.000117 ;
    k_temp_rise_propagation        : 0.000224 ;
    k_volt_fall_propagation        : -1.134170 ;
    k_volt_rise_propagation        : -1.508669 ;
    k_temp_fall_transition         : -0.000117 ;
    k_temp_rise_transition         : 0.000224 ;
    k_volt_fall_transition         : -1.134170 ;
    k_volt_rise_transition         : -1.508669 ;
    ......
    ......

• 工作条件

  库中定义的工作条件集指定了工艺、温度、电压和RC树模型，它们用于设计的综合与时序分析中。

    operating_conditions ( WORST ) {
        process     : 1 ;
        voltage     : 1.08 ;
        temperature : 125 ;
    }

• 时序范围模型

  timng_rang模型提供了额外的基于指定工作条件的计算信号到达时间的能力，Synopsys提供这一能力是为了适应优化设计的工作条件的波动。在时序分析中，DC使用时序范围来计算信号的到达时刻。

• 线载模型
  
  wire_load(线载)类包含DC在设计的布图前阶段用来估计互连线延时的信息。通常工艺库包括一些适合不同逻辑大小的模型，这些模型定义capacitiance、resistance和area因子。另外，wire_load类也为所考虑的逻辑指定了slope和fanout_length。

    wire_load ( "area_zero" ) {
        resistance    : 0.00034 ;
        capacitance   : 0.00022 ;
        area          : 0.00000 ;
        slope         : 19.0476 ;
        fanout_length ( 1,0 ) ;
        fanout_length ( 2,0.0 ) ;
        fanout_length ( 3,0.0 ) ;
        fanout_length ( 4,0.0 ) ;
        fanout_length ( 5,0.0 ) ;
        fanout_length ( 6,0.0 ) ;
        fanout_length ( 7,0.0 ) ;
        fanout_length ( 8,0.0 ) ;
        fanout_length ( 9,0.0 ) ;
        fanout_length ( 10,0.0 ) ;
        fanout_length ( 11,0.0 ) ;
        fanout_length ( 12,0.0 ) ;
        fanout_length ( 13,0.0 ) ;
        fanout_length ( 14,0.0 ) ;
        fanout_length ( 15,0.0 ) ;
        fanout_length ( 16,0.0 ) ;
        fanout_length ( 17,0.0 ) ;
        fanout_length ( 18,0.0 ) ;
        fanout_length ( 19,0.0 ) ;
        fanout_length ( 20,0.0 ) ;
    }

单元描述

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库中的每个单元都包含了描述功能、时序和其他与每个单元相关信息的多种属性

    cell ( BUFCLKHD10XHT ) {
        area               : 19.668 ;
        cell_leakage_power : 2.76391 ;
        cell_footprint     : bufclk ;
        pin ( A ) {
            direction        : input ;
            capacitance      : 0.0107633 ;
        }

参考资料

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[1]. 高级ASIC芯片综合