Android电池电量跳变

高通平台8916/8917

对于第三方Fuel Gauge,跳变多是因为IC内部算法的问题，这样我们可以通过驱动来规避。

例如：usb在位时，要阻止电量的向下跳变。

　　　当电量越级跳变时，要在驱动中能检测到。

问题情形：
1.电量跳变到50%或偏差过大
2.电池ID脚接地
3.温度脚来判断电池是否在位

推测原因：
判断电池在位的方法：

qpnp-linear-charger.c
enum bpd_type{
　　BPD_TYPE_BAT_ID="bpd_id",
　　BPD_TYPE_BAT_THM="bpd_thm",
　　BPD_TYPE_BAT_THE_BAT_ID="bpd_thm_id",
}

先在设备树查找bpd是否有值

of_property_read_string(chip->spmi->dev.of_node,"qcom,bpd-detection",&bpd)

找不到的话,用代码的定义（通过温度脚判断）

chip->cfg_bpd_detection = BPD_TYPE_BAT_THM;

把参数配置到结构体中。
计算电池容量：

get_prop_capacity(struct qpnp_lbd_chip *chip)

如果电池不在位并且或为假电池，返回默认电量（50）
电池在位检测函数：（调用流程）

get_prop_batt_present(struct qpnp_lbc_chip *chip)
->qpnp_lbc_read(chip,chip->bat_if_base+BAT_IF_PRES_STATUS_REG【0x08】,&reg_val,1)
->__qpnp_lbc_read(spmi,base,val,count)
->spmi_ext_register_read(spmi->ctrl,spmi->sid,base,val,count)
->spmi_read_cmd(ctrl,SPMI_CMD_EXT_READL,sid,addr,len-1,buf)
->ctrl->read_cmd(ctrl,opcode,sid,addr,bc,buf)
温度检测函数：

get_prop_batt_temp(struct qpnp_lbc_chip *chip) 

如果是假电池并且电池不在位，返回默认温度

qpnp_vadc_read(chip vadc_dev,LR_MUX1_BATT_THEM,&results)

如果读取失败，返回默认温度
->if(channel==VBAT_SNS)
读电压

qpnp_vadc_conv_seq_request(vadc,ADC_SEQ_NONE,channel,result)

读温度

qpnp_vadc_conv_seq_request(vadc,ADC_SEQ_NONE,DIE_TEMP,&die_temp_result)

读补偿

qpnp_vbat_sns_comp(&result->physical,vadc,die_temp_result.physical)

最后返回

qpnp_vadc_con_seq_request(vadc,ADC_SEQ_NONE,channel,result)

此项目通过软件计算电量，没有专用的电量计芯片
计算电量的要素：温度 电压 电流
虚拟电量计 qpnp-vm-bms.c
所以一旦温度采集不准，必导致电量百分比计算错误