nandflash操作详解

1.nandflash就是嵌入式系统的硬盘

2.分类
（1）MLC：存储单元格存储两位，慢，偏移，寿命短，容量大
（2）SLC：存储一位。快，寿命长，容量小，昂贵

3访问；
（1）独立编址，有专用的控制器，控制器里有相应的寄存器，先送地址，然后命令，最后数据
（2）地址组成：行地址（页编号），列地址（在页中的偏移），一个nand可以有很多块，每一块可以很多页，每一页的两个部分可以不同规格
（3）信号引脚：

4.初始化nand控制器，（搜索关键字operation）
（1）初始化NFCONF，配置三个重要的与HCLK有关的时间参数
（2）初始化NGCONT，一开始要disable chip select 以及使能控制器
（3）复位：选中nandflash，清除RB标志，发送0xff命令，等待RB信号，取消选中RB信号

5.按页读
（1）选中nandflash
（2）清除RB标志
（3）写入0x00命令
（4）发送列地址，两次（但是由于是页读的方式，所以列地址，即页中的偏移量就是0）
（5）发送页编号，即行地址，分三次完成
（6）发送0x30命令
（7）等待RB信号变为ready
（8）读出数据，每次都取出数据寄存器的值，他会自动更新自己的值
（9）取消选中nandflash

6.修改之前的代码拷贝启动代码（之前只从iram复制到内存）
（1）时钟初始化有问题，错把UPLL当MPLL
（2）汇编和C语言的参数传递，不超过4个的时候，直接用r0--r3传递，且顺序和从函数的形参一致
（3）注意保存lr，否则连续两次跳转，会破坏lr，导致在执行完复制函数以后，不能返回到应执行的初始化后续代码部分
（4）注意在调用c函数之前进行栈的初始化

7.拷贝函数的三个参数，页的起始地址r0，（ulong，但是由于是页读方式，所以要去掉低11位，低11位是列地址，这里我们要去页编号，即行地址），内存起始地址r1（目标起始地址，uchar*），数据大小r3，每一页对应2048个字节（2K，视具体nandflash而言，每一个循环，大小减小2048）

8.一旦要去读取（等待）RB信号，之前就要对其进行清除；
一旦有选中操作，在结束之后要取消选中。

9.写入之前要擦除,参数是要擦除的页地址，擦除的是指定的页所在的块：
（1）选中nandflash
（2）清除RB标志
（3）写入0x60命令
（4）发送页编号，即行地址，分三次完成
（5）发送0xD0命令
（6）等待RB信号变为ready
（7）发送命令0x70
（8）读取擦出结果
（9）取消选中nandflash
（10）返回擦除结果

10.按页写
（1）选中nandflash
（2）清除RB标志
（3）写入0x80命令
（4）发送列地址，两次（但是由于是页读的方式，所以列地址，即页中的偏移量就是0）
（5）发送页编号，即行地址，分三次完成
（6）写入数据，用循环
（7）发送0x10命令
（8）等待RB信号变为ready
（9）发送命令0x70，
（10）读取写入结果，从数据寄存器读
（11）取消选中nandflash
（12）返回写入结果