使用IR2104S搭建的H桥-机器人队比赛经典版（原作者答疑）

原理图地址：http://bbs.ednchina.com/BLOG_ARTICLE_3020313.HTM?click_from=8800020962,4950449047,2014-05-01,EDNCOL,NEWSLETTER

首先要感谢MariannaZhu

问：请问能把你的一些封装库发给我吗？我试着用Altium Designer去画原理图，可是没有原件，我不会画，刚接触，求指教，谢谢~

答：我用的绘图软件是CadsoftEagle，基本上用里面自带的库。

问：博主，请问你的原理图中的中间上面在+12V与GND之间使用电容是去耦的作用吧？

那么为什么有1个采用有极性的电容，而其它的又是没有极性的呢？另外,有6个+24V与地(PE)之间采用电容，同样也分有极性和无极性的，为什么？

更重要的是，原理图中只有在H桥的部分采用+24V的电源，怎么会使用6个呢？这点很不明白。

最后，图中左上角，在地(PE)与GND之间为什么会采用电阻，而且电阻的阻值为0，弄不明白？请博主指点一下，虚心求教。能不能告诉我一下QQ，可以好好交流一下，谢谢~

答：+12V和GND之间的大容量有极性电容用作储能，配合一个104的无极性陶瓷电容滤除电源的高频噪声；其他104的无极性陶瓷电容用作芯片的旁路。

答：+24V和PE之间，使用了3对有极性大容量铝电解电容，配合104无极性陶瓷电容。使用多个电容并联能够减小电容的RMS，效果会更好。

答：0欧姆的电阻用作地平面的隔离，GND和PE其实电平是一样的，但是希望覆铜的时候它们可以分开，所以使用0欧姆的电阻使之单点共地。

问：请问你的原理图中：X4-1，X4-3，X4-5都是接单片机或者FPGA的IO口，然后X4-2，X4-4，X4-6都是接地吗？如果是接地，那么是接GND还是PE呢？

还有我看见你的有个第二版是+12P经VPP从LM2596给出，这个如果采用，那么扇热是不是一个很大的问题，能不能把原理图参考一下~

我想把你的这个原理图弄懂

答：246可以接地，但最好接vcc

单片机部分的vcc

因为单片机的io灌电流，一般要比驱动电流大一些

lm2596的散热不是大问题，因为它只负责给芯片供电，并不驱动电机，电流很小

问：我想了很久，前面的是不是弄错了~应该是246接单片机IO口，然后135接VCC，这样的话，光耦中的发光二极管就相当于是灌电流负载接法。其实这样的接法我又有一个疑问：在你下面遇到

的“问题二，光耦的选型？”中“6N135和TLP521-1的输入端，压降约为1.6V，推荐的工作电流为16mA”那么对于单片机的最大灌电流10mA来说，这个不是很大吗？

这里到底是怎么接法，我有点糊涂了

答：确实是135接vcc，246接io口

我没多想就弄反了

虽然推荐的为16ma，但是一般都不会用这么大

问：那么怎么保证不会超过单片机的最大灌电流10mA，如果超过了不就是不稳定了吗

问：还有你前面说的：“单片机的io灌电流，一般要比驱动电流大一些”，单片机的驱动能力不是由拉电流和灌电流决定吗？为什么单片机的io灌电流，一般要比驱动电流大一些

这个我也不是很理解

答：300欧姆的限流电阻，3.3-1.6=1.7的压降，也就不到6ma

那个驱动电流，其实就是输出电流的意思

单片机的io口电流，可以从vcc往io里面灌，也可以从io输出经过负载往gnd走

问：你这个驱动电路最大能驱动大多电流的步进电机呢

单片机的io口，如果接的负载电阻很小，比如应该接1k的只接了100偶，就可能烧坏io口。强悍点的io口可能不会坏，但是电平被小电阻拉过去了

这个h桥是6a的

6a经过8小时运行，实际上还能大一些

问：请问你这个24V的地和12V的地，画PCB的时候分别铺两层铜？这两个都是模拟地，如果我的原理图中还有数字地，那么我不是要铺3层铜把地隔开~你这个用0欧姆电阻分开的两个地必须

要分开吗？如果合在一起会有多大影响呢？

答：不同的地确实最好分开铺，数字地也是。最好是分开，铺在一起的话效果稍微差一下

不算是几层铜，而是一层铜被分隔成几块。

0欧相当于就是单点共地，不用它而是画pcb的时候用线也是可以的

使用0欧主要是便于命名不同的gnd

问：请问你当时画PCB时，6N135的封装是怎么画的呢？6N135的datasheet上面是方孔，方孔不是干扰大吗？你是怎么做的呢？

这个是datasheet里面的截图，请指教一下，第一次画PCB，不懂

答：actually，cadsoft eagle里面自带6n135的库

普通的椭圆形dip8封装

问：我用的是Altium Designer，eagle不会用，DIP8普通的焊盘可以用吗？

答：可以的

问：

答：第一个问题，散热片因为没有电气连接，所以画出示意图加封装就好了，到时候随意摆放，它和mos管必须用 隔离墩 聚xx片(名字忘了，灰色的时候布片) 以及导热硅脂相连

才能既传递热量，又不会短路，因为mos管的背板和它的中间引脚是连通的

图中的这个是封装库的原理图，它和pcb封装没有必然联系，就算这个图里面画了四朵花，只要它的封装画的是实际尺寸就行

c12和r14的值不要太大，1k加104就好了，不焊也行。它们的作用是让负载两端的电压不要有毛刺，负载不一样的时候，通过调整它们的值来获得更好的效果

选1k是不对的

1k是适用于晶体管的值，mos栅极是电压控制，输入电阻非常大，所以没有必要用更大的电阻限流。大电阻反而会减慢信号传递的速度

问：

答：这些我知道个大概，说起来内容太多了

建议翻墙去google

问：你的24V和PE之间的有极限电容选取的是多大呢

还有就是+12V与GND之间的有极性电容选取的是多大

电容和电阻的封装0805可以吗？

答：大电流用大电容

封装的参数和电流有关

小电流用小电容

像电流很小的时候用0805就是可以的

问：请问一下，你这个H桥是怎么控制的，我有点不懂，能不能解释一下~

 答：控制的步骤有三个：

1、首先是使能SD，应该是拉低它，具体记不太清楚了；
2、将左臂的信号L给低，也就是使能左臂的下桥臂；
3、将右臂的信号R给成PWM，这样，调整PWM的占空比，就能调整负载的功率了

具体的信号记不清了，因为还经过了光耦，逻辑关系要导一下。基本的原理是，使能、打开其中某一个下桥臂、PWM另外一边的上桥臂。