Multi-Die系统介绍

一个典型的存储系统一般是有几片NAND存储器组成的。一般会使用8-bit的总线，用来将不同的存储器与控
制器进行连接，如图2.32所示。一个系统中多片NAND的存储系统可以提高存储容量，同时还可以提高读写速度。
    基于一个通道的操作是能够被插入的，也就是说当一个占有通道的芯片（die）处于空闲状态，而另一个芯
片（die）处于忙碌状态（例如写或者擦除），这个时候这个处于忙碌的芯片就可以去占有这个通道进行使用。
例如：如图2.37所示的一个需要多次写操作的序列。当使用这种可插入的读写方式之后，数据通道的利用率就因
为充分利用通道而被最大化了；同时也不用专门的通道去进行（以前的芯片读和写要分开）；一个典型的系统
一般会同时操作一个并行的2到8个（甚至更多）通道。

如图2.38所示，当每个页的写入时间是固定的时候，使用了多die芯片之后，整个系统的吞吐效率就增加了
很多。

存储芯片的控制器要负责通过通道来对所有的数据进行分配存储。控制器一般会使用专门的低功耗通讯工具
来与NAND Flash进行通信。
    另外，和写操作（与输出的数据是同样的内容）对比起来，数据的负载阶段也是要特别注意的：持续增加的
输入/输出接口的传输速度是另一个可以考虑的提高输入/输出效能的方式。一些高速接口（比如DDR）我们会在
之后的内容中详细介绍。图2.39展示了DDR高速接口在写数据的时候对速度的影响。随着速度的增加，更多的
NAND芯片能够在同一时间被读写，当然，接口的速度也是会有极限的。例如：假设一个终端的接口速度只有
30MB/s，有两块NAND芯片，要求最低速的DDR频率至少为50MHz，给定NAND的一个页的写时间为200us，当在
50MHz的时候我们就可以通过切换芯片同时对4块NAND进行操作，这显然已经达到了终端写入速度的两倍。
4块NAND的计算方式：（1000000/200）*2K*4 略小于 50MHz的速度（这里以一个page为2K进行计算）。除此之外，功耗当然也是需要特别注意的一个问题。

除了单独的NAND芯片结构之外，还有一些将不同类的存储芯片集合在一起的存储结构体，例如一些存储体
里面除了包含NAND还使用了DRAM或者SRAM来做存储缓存；在写入阶段这些缓存就可以用来在真正写入NAND之前
暂存数据。这样做的好处就是可以得到更快的速度的同时还可以延长NAND的寿命。
    还有一种结构是使用NOR Flash和NAND Flash共用的形式，使用NOR Flash的目的是可以片上执行软件，从
而省去了读取数据的时间。
    对于这些使用不同存储芯片的混合存储体而言，在一个包装好的芯片里面打包多个die的方式是一种很不错的既可以降低空间又可以降低功耗的方式。