闪速存储器(Flash Memory)是一类非易失性存储器NVM(Non-Volatile Memory)即使在供电电源关闭后仍能保持片内信息;而诸如DRAM、SRAM这类易失性存储器,当供电电源关闭时片内信息随即丢失。 Flash Memory集其它类非易失性存储器的特点:与EPROM相比较,闪速存储器具有明显的优势——在系统电可擦除和可重复编程,而不需要特殊的高电压(某些第一代闪速存储器也要求高电压来完成擦除和/或编程操作);与EEPROM相比较,闪速存储器具有成本低、密度大的特点。
  DINOR(Divided bit-line NOR)技术是Mitsubishi与Hitachi公司发展的专利技术,从一定程度上改善了NOR技术在写性能上的不足。DINOR技术Flash Memory和NOR技术一样具有快速随机读取的功能,按字节随机编程的速度略低于NOR,而块擦除速度快于NOR。这是因为NOR技术Flash Memory编程时,存储单元内部电荷向晶体管阵列的浮栅极移动,电荷聚集,从而使电位从1变为0;擦除时,将浮栅极上聚集的电荷移开,使电位从0变为1。而DINOR技术Flash Memory在编程和擦除操作时电荷移动方向与前者相反。DINOR技术Flash Memory在执行擦除操作时无须对页进行预编程,且编程操作所需电压低于擦除操作所需电压,这与NOR技术相反。
  Mitsubishi公司推出的DINOR技术器件——M5M29GB/T320,采用Mitsubishi和Hitachi的专利BGO技术,将闪速存储器分为四个存储区,在向其中任何一个存储区进行编程或擦除操作的同时,可以对其它三个存储区中的一个进行读操作,用硬件方式实现了在读操作的同时进行编程和擦除操作,而无须外接EEPROM。由于有多条存取通道,因而提高了系统速度。该芯片采用0.25μm制造工艺,不仅快速读取速度达到80ns,而且拥有先进的省电性能。在待机和自动省电模式下仅有0.33μW功耗,当任何地址线或片使能信号200ns保持不变时,即进入自动省电模式。对于功耗有严格限制和有快速读取要求的应用,如数字蜂窝电话、汽车导航和全球定位系统、掌上电脑和顶置盒、便携式电脑、个人数字助理、无线通信等领域中可以一展身手。

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