NandFlash_control

驱动：编写任何设备的驱动程序，都需要对该设备的原理有一定了解和认识。对于外部设备的访问总是需要通过一个控制器来间接访问，对于这个控制器的控制程序称为驱动程序

Nandflash 原理：

一：角色分析

数据存储的物理介质

二：Nandflash 分类

根据不同的方式可以将Nandflash 分出不同的类别出来，这里采用物理结构的方式来分类

（1）SLC(single level cell)：单层次存储

（2）MLC(multi level cell)：多层次存储

特点比较：

1)SLC 的存储格上只存储以为数据，而MLC的存储格上却存储两位数据，所以MLC的单位存储容量价格比SLC 更低

2)SLC使用寿命更长，SLC 10万次擦写，MLC只有1万次

3)SLC 比MLC访问速度更快，大约是3倍

4）MLC比SLC的功耗更高，大约高出15%

三：访问方式

（1）编址

注意：内存采用的是统一编址的方式，Nandfash采用的是独立编址的方式

1）内存单元既有地址总线，也有数据总线，然而Nandflash，地址和数据总线是复用的。

2）由于Nandflash 不像内存一样通过统一编址，那么怎么访问Nandflash呢？在cpu内部有一个叫做“Nandflash控制器”的东西，用来控制访问Nandflash

（2）地址结构

1）Nandflash控制器总共只有8个I/O管脚与之相连，明显根数太少，所以数据（地址或数据）是分几次送入的。

2）CPU内部的Nandflash控制器中，有几个寄存器，一个是“地址数据寄存器”，另外一个是“指令数据寄存器”，还有“数据寄存器”，这些寄存器的地址是统一编址的。实际上三个寄存器统称为“数据寄存器”，只是存放的数据的功能各不同。

地址——命令——数据

Nandflash 物理结构：

3）由图可知：

一个NandFlash被分为了，2048个块，每一个块又被分为64个页，每一个页被分为2k的空间，外加64byte 的空间用来放置校验码之类的。

4）对nandflash的读有两种方式：

页读：一种是给出页地址，一次将怎个页的内容读出来（只需要提供页地址，即为行地址）

随机读：另外一个方式是将页中的某个字节读出来。（需要给出行地址和列地址）

（3）信号引脚

控制引脚的含义如上图。

四：对Nandflash 的读操作

对于一些复杂的设备的操作，看懂时序图是一个很重要工作，按照时序图，根据I/O管脚上的信号有节奏的控制设备。

时序图：

Nandflash控制寄存器/Nandflash 配置寄存器（初始化配置）：

作用分析：

用于初始化nandflash ，因为任何一个硬件的使用都必须事先进行初始化。

Nandflash控制寄存器

作用：

NFCONT 用于片选控制

nandflash 配置寄存器：

NFCONF 用于初始nandflash的时序控制，主要用于配置该寄存器中的TACLS  TWRPH0  TWRPH1 这几个位。

作用分析：

根据上表可以算得各部分时间的最小值，然后根据此值，进行配置

重启控制方式时序逻辑：

写入时序逻辑图：

根据I/O管脚上的命令流，有节奏的操作

写入时序逻辑图：

根据I/O管脚上的命令流，有节奏的操作

擦除时序逻辑：

根据I/O管脚上的命令流，有节奏的操作