一、特性:

1、4个内部PLL

2、内部非易失EEPROM.

3、最快400k的I2C串行接口。

4、输入时钟范围:1M—200M。

5、输出时钟范围:4.9k—200M

6、输入晶振参数带有在线可编程负载

晶振参数范围:8M---50M

7、四个独立的VDD0控制器(1.8V—3.3V)

8、每个PLL有一个7bit的分频参数和一个12bit的分频反馈。

9、8bit的输出分频块。

10、一个PLL带小数分频功能。

11、2个PLL支持扩频功能。

12、I/O标准:

--输出:1.8—3.3V LVTTL/LVCMOS

---输入:3.3V LVTTL/LVCMOS

13、可编程转换速率控制。

14、可编程环路带宽。

15、可编程输出倒置去减少双峰抖动。

16、多余的时钟输入可有开发者自动和手动切换操作。

17、启用/禁用独特的时钟输出。

18、断电模式

19、3.3V核电压。

20、合理的VFQFPN 封装

21、工业温度:-40--+85°C。

二、芯片内部视图:

三、管脚视图以及管脚解释:

四、PLL0与其他的分频的差别示意图:

五、编程指导:

1、输入时钟可以被指为主时钟和副时钟。

时钟输入管脚有两个:XIN(晶振)和CLKIN(时钟输入)。这两个时钟可以分别被配制成主时钟和副时钟。

寄存器0XBE—0XC3的:PRIMSRC位决定哪个时钟为主输入时钟。0,则XIN为主,1则CLKIN为主时钟。

两个外部参数时钟可以用CLKSEL管脚手动设置为主副时钟,则此时寄存器0XBE—0XC3的SM位必须设置为”0X”。

使用的晶振应为石英晶振而不是谐波晶振,

当参考时钟是晶振时,则内部负载电容的计算公式为:

当使用外部时钟通过XIN/REF管脚时,不用内部负载电容,允许最大输入频率为200M,

此时XOUT管脚应被悬空,XTAL被编程为00H,XDRV(0X06)被编程为11h,

2、选择功能:SEL[2:0]

IDT5V49支持6个单元配置,用户可以重新编程所有的配置,用SEL[2:0]管脚选择配置,另外用户还可以通过I2C接口来时时配置这些寄存器。

3、SD/OE管脚功能:

SD/OE信号管脚的极性可以被编程为高有效还是低有效,用SP bit位(0x02).当SP = 0(默认)则高有效。SP = 1,则低有效。

SD/OE管脚可以被配置为关闭PLLS还是启用/禁用输出功能。

OE Mode:OE被设置时,禁止输出。

SD Mode:关于输出和3级管脚的电源关闭检测。

4、配置IO标准:

用户可以配置独立的输出标准从1.8v到3.3V电压,每个输出支持1.8v到3.3V电压。

OUT0仅支持3.3V电压输出。

5、编程时序:

通过编程,可以对IDT5V49做以下四种操作:

写:向IDT5V49的寄存器里写入数据。

读:从IDT5V49的寄存器里读出数据。

保存:将IDT5V49的寄存器的数据全部存储到自带的EEPROM中。

恢复:将数据从IDT5V49的EEPROM中读出再写入IDT5V49的寄存器中。

编程时芯片地址为:

第0bit为读写选择位:R = 1,/W =0;

1、写时序格式:

只要没有停止信号,写操作可以连续,寄存器地址会自动加增加。

2、读时序格式:

注意:如果想读的寄存器不是上次读或写操作的寄存器的下一个寄存器,则可以设置一个已经知道读寄存器地址通过以下命令

(优先编程命令去设置寄存器)优先  进行读取操作:

用户也可以忽略上面的STOP条件,在从机应答位之后,用一个重新开始命令代替。(例如:紧跟一下编程后)

3、保存:

4、恢复:

六、寄存器:

详细参考Datasheet。

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