[粘贴]环绕闸极不能让三星在3nm工艺领先台积电

环绕闸极不能让三星在3nm工艺领先台积电

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转身遇见她 2019-08-15

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半导体工艺在进入14nm/16nm之后，最经常被提到就是鳍式场效应晶体管(FinFET)，它的出现满足了7nm至14nm之间的工艺制造。不过在进入更小的5nm、甚至3nm之后，FinFET工艺已经难以满足半导体芯片的制造需求，业界也在对新一代晶体管进行研究。

三星在5月公布了新一代“环绕闸极(GAA)”制程技术，同时宣称在3纳米工艺上领先台积电一年。环绕闸极的原理就是通过增加闸极与电子通道间的接触面积，增加控制效果、减少漏电流，从而让晶体管尺寸进一步缩小、将定芯片的漏电率。

台湾知产力专家社群创办人曲建仲介绍，场效电晶体(FET)是最基本的电子元件，是数字信号的最小单位，一个FET代表一个0或一个1，就是电脑里的一个位数。电子流入再流出，由一个闸极开关控制电子导通代表1或不导通代表0，科学家将它制作在硅晶圆上。

“制程节点”代表闸极的“平均长度”，会随制程技术的进步而变小。当晶体管缩小到14纳米以下之后，原来的技术不能满足14nm产品的需求，才有了胡正明教授的“鳍式场效电晶体(FinFET)”，但是5纳米以下又遇到问题，才出现“环绕闸极场效电晶体”。

曲建仲强调，各家晶圆厂早就在发展GAA，只是结构稍有不同，测试效果没有比FinFET好，良率又低，所以没有拿GAA初来“唬人”而已。三星展出的“水平式”GAA和FinFET性能差异不大，更多的作用是唬外行人，报导说三星想用GAA在3纳米弯道超车台积电，“只能说不是想像力太丰富，就是三星的营销比较厉害”。