Mainstream Low Power techniques

  • Low Vth - 阈值电压比较低,翻转时间小,漏电流比较大,功耗大,速度快
  • High Vth - 阈值电压比较高,翻转时间长,漏电流比较小,功耗小,速度慢
  • 使用多阈值的器件,处于关键路径上的器件使用Low Vth,不在关键路径上的使用High Vth
  • 兼顾PPA

Advanced Low Power techniques

  • 多电压域设计
  • power gating - 对于某些不用的电压域可以关掉(shutdown)
  • 寄存器,电压关掉之后,其中保持的数据会消失;设置Retention register,用于存储寄存器的状态,这个寄存器一直维持上电状态

Adoption of low power techniques

Power Gating(MTCMOS)

  • VDD和logic连接的部分插入一个power switch(mos管),sleep enable = 1的时候,mos管关断,Logic没有供电,可以节省功耗,输出为Z(高阻态);如果将Z输入给其他模块会产生亚稳态,所以插入isolation模块,这个模块是为了关断之后,输出给其他模块输入没有影响的值

Power gating advantages

  • 可以显著降低Leakage Power

Power gating costs

  • 需要增加一些面积
  • IR-drop - 掉电瞬间,其他模块不太稳定
  • 控制信号需要插入buffer,不能掉电
  • isolation 模块,隔离高阻态信号传给其他模块
  • retention logic - 将掉电之前的状态值保存
  • 验证复杂度增加

Multi-Voltages

  • 不同电压域转换需要电压转换的模块

Multi-Votages advantages and disadvantages

DVFS(Dynamic Voltage and Frequency scaling)

  • 动态调控电压和频率,可以根据场景,自适应的去调节电压和频率

Low power impact on Design flow

Why do we need UPF

  • 对于ICG,可以在写RTL的时候进行代码风格规范
  • 其他低功耗设计方法,可以通过UPF文件进行引入
  • UPF就是用于描述低功耗设计的文件,在整个芯片设计周期中都存在

UPF & RTL

Power domain

Power supply

Power states table

  • 不同模式的描述

Low lower design require special cells

Level shifter

  • LS - 高电压域转到低电压域,低电压域转到高电压域
  • “1”和“0” - 都是有一定范围的,1V - 传递到 1.6V-2V之间的高电压域,传递过来可能在当前的电源域表示0.需要设置Level_shifer

Isolation cell

  • 对于掉电时钟域,需要设置Isolation cell进行隔离

Power switch

  • 器件不进行翻转也会产生漏电

Retention Registers

  • 掉电之前,将寄存器值存储到RR中,上电之后,回复之前的值

Always-On cells

UPF Example

UPF FLOWS

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