这里有两种解释: 1.mos管本身自带有寄生二极管,作用是防止VDD过压的情况下,烧坏mos管,因为在过压对MOS管造成破坏之前,二极管先反向击穿,将大电流直接到地,从而避免MOS管被烧坏. 2.防止管子的源极和漏极反接时烧坏MOS管,也可以在电路有反向感生电压时,为反向感生电压提供通路,避免反向感生电压击穿MOS管.…

在实际问题中,一组数据往往具有不同的数据类型.例如,在学生登记表中,姓名应为字符型:学号可为整型或字符型:年龄应为整型:性别应为字符型:成绩可为整型或实型.显然不能用一个数组来存放这一组数据.因为数组中各元素的类型和长度都必须一致,以便于编译系统处理.为了解决这个问题,C语言中给出了另一种构造数据类型——“结构(structure)”或叫“结构体”. 它相当于其它高级语言中的记录.“结构”是一种构造类型,它是由若干“成员”组成的.每一个成员可以是一个基本数据类型或者又是一个构造类型.结构既是一种…

笔记本常用MOS.三极管.二极管厂家: 1.EMC 杰力电子(台湾)官方网站:http://www.excelliancemos.com/tw/solution.php 2.UBIQ(台湾电源厂家UPI力智2008年成立的MOSFET部门)官方网站:http://www.ubiq-semi.com/en-article-upi-290-53 目前uPI主要做电源IC:LDO,BUCK,BOOST,力智的大部分型号都可以与立崎(RichteK)兼容的,品质与Richtex一致,价格上比Richte…

http://anlx27.iteye.com/blog/1583089 学过模拟电路,但都忘得差不多了.重新学习MOS管相关知识,大多数是整理得来并非原创.如有错误还请多多指点! 先上一张图 一. 一句话MOS管工作原理 NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到一定电压(如4V或10V, 其他电压,看手册)就可以了.          PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动).但是,虽然PMO…

实际工程应用中常用的MOS管电路(以笔记本主板经典电路为例): 学到实际系统中用到的开关电路模块以及MOS管非常重要的隔离电路(结合IIC的数据手册和笔记本主板应用电路): MOS管寄生体二极管,极性判断?** 1. MOS管开关电路学习过模拟电路的人都知道三极管是流控流器件,也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流:而MOS管是压控流器件,也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流.MOSFET管是FET的一种,可以被制造为增强型或者耗尽型,P沟道或N沟道共四种类型,但实际应用的只有增…

电源反接,会给电路造成损坏,不过,电源反接是不可避免的.所以,我么就需要给电路中加入保护电路,达到即使接反电源,也不会损坏的目的. 一般可以使用在电源的正极串入一个二极管解决,不过,由于二极管有压降,会给电路造成不必要的损耗,尤其是电池供电场合,本来电池电压就3.7V,你就用二极管降了0.6V,使得电池使用时间大减. MOS管防反接,好处就是压降小,小到几乎可以忽略不计.现在的MOS管可以做到几个毫欧的内阻,假设是6.5毫欧,通过的电流为1A(这个电流已经很大了),在他上面的压降只有6.5毫伏.…

一.典型电路 1.电路1 说明: GND-IN 为电源接口的负极 GND 为内部电路的公共地 原理分析 正向接: VCC-IN通过R1.R2.MOS体二极管,最后回到GND-IN;然后GS电压升高,紧接着SD沟道形成:沟道电阻很小,将MOS体二极管短路. 反向接:MOS体二极管截至 2.电路2 说明: GND-A-24V 为电源接口的负极 GND-A    为内部电路的公共地 原理分析 正向接: VCC-IN通过R1.R2 ,最后回到GND-IN;然后GS电压升高,紧接着SD沟道形成,GND-A…

[导读]  一般可以使用在电源的正极串入一个二极管解决,不过,由于二极管有压降,会给电路造成不必要的损耗,尤其是电池供电场合,本来电池电压就3.7V,你就用二极管降了0.6V,使得电池使用时间大减. 关键词:PMOS管MOS管电源管理 一般可以使用在电源的正极串入一个二极管解决,不过,由于二极管有压降,会给电路造成不必要的损耗,尤其是电池供电场合,本来电池电压就3.7V,你就用二极管降了0.6V,使得电池使用时间大减. MOS管防反接,好处就是压降小,小到几乎可以忽略不计.现在的MOS管可以做到…

一.MOSFET 简介: 金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor).MOSFET依照其"通道"(工作载流子)的极性不同,可分为"N型"与"P型" 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMO…

一.MOS管驱动电路综述在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的.1.MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种.至于为什么不使用耗尽型的…

MOS-N 场效应管 双向电平转换电路 -- 适用于低频信号电平转换的简单应用 如上图所示,是 MOS-N 场效应管 双向电平转换电路.双向传输原理: 为了方便讲述,定义 3.3V 为 A 端,5.0V 为 B 端. A端输出低电平时(0V) ,MOS管导通,B端输出是低电平(0V) A端输出高电平时(3.3V),MOS管截至,B端输出是高电平(5V) A端输出高阻时(OC) ,MOS管截至,B端输出是高电平(5V) B端输出低电平时(0V) ,MOS管内的二极管导通,从而使MOS管导通,A端输…

结构体是一种具有一定数据结构思想的数据类型,我们在对待结构体的时候,用该从数据结构的思想去审视结构体.下面给出结构体的定义 struct mystruct {]; int score; double average; }: 上述是一段关于结构体类型定义的基本知识,总结两点: 1 struct 是关键字,不是变量类型,变量类型是 struct mystruct 注意每个结构体成员后面是分号:";",而不是逗号:“,”. mystruct students{,85.42}; 上述进行了结构…

1.常用的几种电平转换方案 2.三极管的电平转换及驱动电路分析 3.三级管老怀 4.关于MOSFET管驱动电路总结 5.一个IIC的5V和3.3V电平转换的经典电路分享 6.mos 7.mos应用 8.MOS管基本原理 9.dj 10.代码 微信分享:   在电平转换器的操作中要考虑下面的三种状态:1   没有器件下拉总线线路.“低电压”部分的总线线路通过上拉电阻Rp 上拉至3.3V. MOS-FET 管的门极和源极都是3.3V, 所以它的VGS 低于阀值电压,MOS-FET 管不导通.这就允许…

1.全局变量和局部变量 局部变量:     概念:定义函数内部变量     定义格式:变量类型 变量名称;     作用域:从定义那一行開始到所在代码块结束     生命周期:从代码运行到定义的哪一行開始,到其所在的代码的结束为止     特点:同样的代码块中不能够有同名的变量          不同的代码块中能够有同名的变量.内部的变量会覆盖外部定义的变量 全局变量:     概念:定义在函数外部变量     定义:变量类型 变量名称 = 值;     声明:变量类型 变量名称;     特点…

自己实现sprintf功能: 关于C中的系统函数sprintf在上次[https://www.cnblogs.com/webor2006/p/7545627.html]学习中已经用到过了,这里再来回顾一下: 而为了巩固学习咱们可以用之前所学的可变参数[https://www.cnblogs.com/webor2006/p/9499213.html].指针等知识实现类似的功能,自己实现一个只考虑传整型参数的情况就成,那如何来实现呢?下面开始: 如果遇到了“%”,则需要判断一下它的下一位字符是否是“…

相信大家对于结构体都不陌生.在此,分享出本人对C语言结构体的学习心得.如果你发现这个总结中有你以前所未掌握的,那本文也算是有点价值了.当然,水平有限,若发现不足之处恳请指出.代码文件test.c我放在下面. 在此,我会围绕以下2个问题来分析和应用C语言结构体: 1. C语言中的结构体有何作用 2. 结构体成员变量内存对齐有何讲究(重点) 对于一些概念的说明,我就不把C语言教材上的定义搬上来.我们坐下来慢慢聊吧. ==========================================…

相信大家对于结构体都不陌生.在此,分享出本人对C语言结构体的学习心得.如果你发现这个总结中有你以前所未掌握的,那本文也算是有点价值了.当然,水平有限,若发现不足之处恳请指出.代码文件test.c我放在下面. 在此,我会围绕以下2个问题来分析和应用C语言结构体: 1. C语言中的结构体有何作用 2. 结构体成员变量内存对齐有何讲究(重点) 对于一些概念的说明,我就不把C语言教材上的定义搬上来.我们坐下来慢慢聊吧. ==========================================…

1.Thrift定义文件,Thrift常见的数据类型 1.基本类型(括号内为对应的Java类型): bool(boolean): 布尔类型(TRUE or FALSE) byte(byte): 8位带符号整数 i16(short): 16位带符号整数 i32(int): 32位带符号整数 i64(long): 64位带符号整数 double(double): 64位浮点数 string(String): 采用UTF-8编码的字符串 2.特殊类型(括号内为对应的Java类型): binary(By…

结构体基本概念: 结构体属于用户自定义的数据类型,允许用户存储不同的数据类型: 结构体定义和使用: 语法:struct 结构体名 { 结构体成员列表 }: 通过结构体创建变量名的方式有三种:        1.struct 结构体名 变量名         2.struct 结构体名 变量名 = { 成员1值,成员2值...}        3.定义结构体时顺便创建变量 实例: #include<iostream> #include<string> using namespace…

以一个挂接在APB2上的外设函数使能为例 A : RCC_APB2PeriphClockCmd():时钟使能函数 1 RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_AFIO,ENABLE); B : RCC_APB2Periph_AFIO是什么呢? 1 #define RCC_APB2Periph_AFIO  ((uint32_t)0x00000001) RCC_APB2Periph_AFIO就是代表十六进制 1 C: 知道RCC_APB2Periph_AFIO是什…

电子设备中使用着大量各种类型的电子元器件,设备发生故障大多是由于电子元器件失效或损坏引起的.因此怎么正确检测电子元器件就显得尤其重要,这也是电子维修人员必须掌握的技能.我在电器维修中积累了部分常见电子元器件检测经验和技巧,供大家参考. 1．测整流电桥各脚的极性 万用表置R×1k挡,黑表笔接桥堆的任意引脚,红表笔先后测其余三只脚,如果读数均为无穷大,则黑表笔所接为桥堆的输出正极,如果读数为4-10kΩ,则黑表笔所接引脚为桥堆的输出负极,其余的两引脚为桥堆的交流输入端. 使用数字万用表时只需将档位打…

作者:   来源:电源网 关键字:MOSFET 结构 开关 驱动电路 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的. 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创.包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路. 1,MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以…

MOS/CMOS集成电路简介及N沟道MOS管和P沟道MOS管 在实际项目中,我们基本都用增强型mos管,分为N沟道和P沟道两种. 我们常用的是NMOS,因为其导通电阻小,且容易制造.在MOS管原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管.这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要.顺便说一句,体二极管只在单个的MOS管中存在,在集成电路芯片内部通常是没有的.     1.导通特性   NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电…

/* *本文转载自互联网,仅供个人学习之用,请勿用于商业用途. */ 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的 ,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的.   下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创.包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路. 1,MOS管种类和结构   MOSFET管是FET的一种(另一种是JFE…

源:http://www.micro-bridge.com/news/news.asp?id=258 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的. 1.MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道M…

在现在的MCU使用量中,STM32绝对是翘楚!因为现在使用STM32开发产品的公司非常多,这主要得益于ST公司对自家MCU的大力推广,而且ST对自己MCU也配套了一系列开发软件,也有相应的硬件开发板供客户使用,还有更给力的是对每一个系列的MCU都有固件开发库供客户使用,这不仅缩短了开发时间,而且省去了攻城狮很多的开发工作.正因为这些原因,所以现在STM32非常火,学习的人也非常多,关于自学STM32,我给出一点我自己的经验供参考: 1.STM32的学习门槛 STM32的开发是基于C语言的,当然也…

1 引言 MOSFET凭开关速度快.导通电阻低等优点在开关电源及电机驱动等应用中得到了广泛应用.要想使MOSFET在应用中充分发挥其性能,就必须设计一个适合应用的最优驱动电路和参数.在应用中MOSFET一般工作在桥式拓扑结构模式下,如图1所示.由于下桥MOSFET驱动电压的参考点为地,较容易设计驱动电路,而上桥的驱动电压是跟随相线电压浮动的,因此如何很好地驱动上桥MOSFET成了设计能否成功的关键.半桥驱动芯片由于其易于设计驱动电路.外围元器件少.驱动能力强.可靠性高等优点在MOSFET驱动电路…

http://www.amobbs.com/thread-5541344-1-2.html 3.3V转5V:S3输入为0V时,NMOS管导通,S5＝S3＝0V:S3输入为3.3V时,NMOS管截止,S5上拉到5V: 5V转3.3V:S5输入为0V时,NMOS管体二极管导通,S3＝0.7V,此时NMOS管导通,S3＝S5＝0V:S5输入为5V时,NMOS管截止,S3上拉到3.3V. NMOS管可以选用BSS138 R2可以省略,NMOS管G极可以直接连接到3.3V电源,R2的作用是改善EMI性能.…

电源的拓扑有很多种,但是其实我们能够理解一种拓扑,就可以理解其他拓扑结构.因为组成各种拓扑的基本元素是一样的. 对于隔离电源.大家接触最多的电路拓扑应该是 flyback. 但是大家一开始做电源的时候,不会设计,连分析也不懂,唯一能做的是模仿(额,难听点就是抄袭了).这样子的状态持续了一段时间后,才开始慢慢的有一些了解.但对于新手来说,如果能从基本拓扑结构BUCK.BOOST进行演变成更复杂的拓扑结构,那么我们融会贯通的理解各种拓扑结构,就变得非常容易. 其实理解隔离电源,相对非隔离DCDC来说…

4.2 功率半导体器件概述 功率半导体设计中最根本的挑战是获得高击穿电压,同时保持低正向压降和导通电阻.一个密切相关的问题是高压低导通电阻器件的开关时间更长.击穿电压,导通电阻和开关时间之间的折衷是各种功率器件的关键区别特征. 反向偏置的PN结及其相关的耗尽区的击穿电压是掺杂程度的函数:在PN结的至少一侧的材料中,获得高击穿电压需要低掺杂浓度,从而导致高电阻率.该高电阻率区域通常是设备导通电阻的主要贡献者,因此高压设备必定具有比低压设备更高的导通电阻.在多数载流子元件(单极型器件)中(包括MOS…