0.NAND的操作管理方式      NAND FLASH的管理方式:以三星FLASH为例,一片Nand flash为一个设备(device),1 (Device) = xxxx (Blocks),1 (Block) = xxxx (Pages),1(Page) =528 (Bytes) = 数据块大小(512Bytes) + OOB 块大小(16Bytes,除OOB第六字节外,通常至少把OOB的前3个字节存放Nand Flash硬件ECC码). 关于OOB区,是每个Page都有的.Page大小…

转:http://www.cnblogs.com/elect-fans/archive/2012/05/14/2500643.html 0.NAND的操作管理方式 NAND FLASH的管理方式:以三星FLASH为例,一片Nand flash为一个设备(device),1 (Device) = xxxx (Blocks),1 (Block) = xxxx (Pages),1(Page) =528 (Bytes) = 数据块大小(512Bytes) + OOB 块大小(16Bytes,除OOB第六…

最近因项目需要,做一个数据采集的单片机平台.需要移植 FatFs .现在把最后成果贴上来. 1.摘要 在 STM32 单片机上,成功移植 FatFs 0.12b,使用的 Nand Flash 芯片为 K9F2G08 . 特点: 系统配合 FatFs 实现了坏块管理,硬件ECC,软件 ECC 纠错 2.代码分析 2.1.擦写均衡分析 在create_chain 函数中实现,每次分配都由当前scl 指向的 free cluster 开始,逐块检查,是否有可用 cluster 存在.如果没有则取下一块…

0.NAND的操作管理方式      NAND FLASH的管理方式:以三星FLASH为例,一片Nand flash为一个设备(device),1 (Device) = xxxx (Blocks),1 (Block) = xxxx (Pages),1(Page) =528 (Bytes) = 数据块大小(512Bytes) + OOB 块大小(16Bytes,除OOB第六字节外,通常至少把OOB的前3个字节存放Nand Flash硬件ECC码). 关于OOB区,是每个Page都有的.Page大小…

OBB: 例如Samsung K9F1208U0B,数据存储容量为64MB,采用块页式存储管理.8个I/O 引脚充当数据.地址.命令的复用端口.芯片内部存储布局及存储操作特点: 一片Nand flash为一个设备(device), 其数据存储分层为: 1 (Device) = 4096 (Blocks)    1 (Block) - = 32   (Pages/Rows) 页与行是相同的意思,叫法不一样    1 (Page)   = 528 (Bytes) = 数据块大小(512Bytes)…

概述 Flash名称的由来,Flash的擦除操作是以block块为单位的,与此相对应的是其他很多存储设备,是以bit位为最小读取/写入的单位,Flash是一次性地擦除整个块:在发送一个擦除命令后,一次性地将一个block,常见的块的大小是128KB/256KB,全部擦除为1,也就是里面的内容全部都是0xFF了,由于是一下子就擦除了,相对来说,擦除用的时间很短,可以用一闪而过来形容,所以,叫做Flash Memory.所以一般将Flash翻译为 (快速)闪存. NAND Flash 在嵌入式系统中…

转: http://www.360doc.com/content/11/0915/10/7715138_148381804.shtml 在进行数据存储的时候,我们需要保证数据的完整性,而NAND Flash大容量存储器K9F1G08U芯片由于工艺上问题,不可避免就会出现有的Block中就是某个位或某些位是块的,就是用块擦除命令也是无法擦除的,K9F1G08U数据手册也讲了坏块是存在的,对于K9F1G08U最多有20个坏块.如果数据存储到这个坏块中,就无法保证该数据存储的完整性.对于坏块的管理K9…

看了很多坏块管理的文章,加上自己的理解,把整个坏块管理做了个总结. 坏块分类 1.出厂坏块 又叫初始坏块,厂商会给点最小有效块值(NVB,mininum number of valid blocks). 2.新增坏块 使用过程中因为磨损造成的新增坏块,或者使用坏块. 3.假性坏块 异常掉电等原因被主控误判的假性坏块. 坏块判断 1.对于出厂坏块的判断 扫描厂商指定地址所对应的byte是否有0xFF标志,若没有0xFF则为坏块. 2.对于新增坏块的判断 (1)当执行擦除指令时出错: (2)当执行写…

不管WL算法如何高明,在使用中都会碰到一个头痛的问题,那就是坏块,所以一个SSD必须要有坏块管理机制.何谓坏块?一个闪存块里包含有不稳定的地址,不能保证读/写/擦时数据的准确性.              坏块分出厂坏块和使用过程中出现的坏块,SSD有坏块表来管理坏块.出厂坏块在上面会有标记,所以很容易就能被识别,而使用中出现的坏块就要靠主控的能力了.一般来说,越到闪存生命的后期(P/E数开始接近理论最大值),坏块就会开始大量出现.       一般来说闪存出厂都包含坏块,不过厂商有个最小有效块…

(1)首先需要了解NAND FLASH的结构.如图: 以镁光MT29F4G08BxB Nand Flash为例,这款Flash(如上图)以4个扇区(sector)组成1个页(page),64个页(page)组成1个块(block),4096个块(block)构成整个Flash存储器:由于每个扇区的容量是512 字节(bytes),整个Flash容量为4224M Bit(相当于528M字节),去掉备用区域用于存放ECC数据校验16M(虚线部分),就是这个片子的容量512M字节.其他型号的Flash…

计算容量 厂家所说的4G指的是4 000 000 000字节,是按1000进制计算的,而电脑是按照1024进制计算的,所以标称为4G的NAND Flash理论容量是4 000 000 000 / 1024 / 1024 / 1024 = 3.72529G. 有无坏区的影响 所有的Flash都有坏区,只要起始地址没坏,Flash就可以正常使用.存储区如果有损坏,是会被自行替换的,无需用户参与. 至于其它容量的Flash,按照相同的算法,都可以算出相应的理论容量.…

https://www.crifan.com/files/doc/docbook/linux_nand_driver/release/html/linux_nand_driver.html#nand_driver_mechanism [详解]如何编写Linux下Nand Flash驱动 版本:v2.2.1   Crifan Li 摘要 本文先解释了Nand Flash相关的一些名词,再从Flash硬件机制开始,介绍到Nand Flash的常见的物理特性,且深入介绍了Nand Flash的一些高级…

[Nand Flash引脚(Pin)的说明] 图3.Nand Flash引脚功能说明 上图是常见的Nand Flash所拥有的引脚(Pin)所对应的功能,简单翻译如下: 1.       I/O0 ~ I/O7:用于输入地址/数据/命令,输出数据 2.       CLE:Command Latch Enable,命令锁存使能,在输入命令之前,要先在模式寄存器中,设置CLE使能 3.       ALE:Address Latch Enable,地址锁存使能,在输入地址之前,要先在模式寄存器中,…

Samsung  K9F1G08U0D,数据存储容量为128M,采用块页式存储管理.8个I/O引脚充当数据.地址.命令的复用端口.详细:http://www.linux-mtd.infradead.org/nand-data/nanddata.html 芯片内部存储布局及存储操作特点: 一片Nand flash为一个设备(device),其数据存储分层为: 1(device)= 1024(blocks) 1(block)= 64(pages) 1  (page) = (数据块大小)2048 + …

出自http://blog.csdn.net/maopig/article/details/7029930 DM365的视频处理涉及到三个相关处理器,分别是视频采集芯片.ARM处理器和视频图像协处理器(VICP),整个处理流程由ARM核协调.视频处理主要涉及三个处理流程,分别是视频采集.视频编码和对编码后的视频的处理,为了提高性能,通常为每个处理流程提供一个处理线程. 视频采集   TVP5146将采集到的视频数据转化为数字信号,并将这些数据送入DM365的BT656接口,然后通过Resize得…

概要: 本文介绍了DM368 NAND Flash启动的原理,并且以DM368  IPNC参考设计软件为例,介绍软件是如何配合硬件实现启动的. 芯片上电后是如何启动实现应用功能的?这是许多工程师在看到处理器运行的时候,通常都会问的一个问题.下面我们就以德州仪器的多媒体处理芯片TMS320DM368为例,介绍它的NAND Flash启动原理以及实现. 1. NAND Flash启动原理 德州仪器的多媒体处理芯片TMS320DM368可以实现1080P30 h264的编码,已经广泛的使用在了网络摄像…

Flash名称的由来,Flash的擦除操作是以block块为单位的,与此相对应的是其他很多存储设备,是以bit位为最小读取/写入的单位,Flash是一次性地擦除整个块:在发送一个擦除命令后,一次性地将一个block,常见的块的大小是128KB/256KB,全部擦除为1,也就是里面的内容全部都是0xFF了,由于是一下子就擦除了,相对来说,擦除用的时间很短,可以用一闪而过来形容,所以,叫做Flash Memory.所以一般将Flash翻译为 (快速)闪存. NAND Flash 在嵌入式系统中有着广…

linux的NAND Flash驱动位于drivers/mtd/nand子文件夹下: nand_base.c-->定义通用的nand flash基本操作函数,如读写page,可自己重写这些函数 nand_bbt.c-->与坏块管理有关的函数和结构体 nand_ids.c-->nand_flash_ids[](芯片ID)和nand_manuf_ids[](厂商ID) nand_ecc.c-->软件ECC代码,若系统支持硬件ECC.则不用理会这个文件 pl353_nand.c-->…

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级.一.存储数据的原理两种闪存都是用三端器件作为存储单元,分别为源极.漏极和栅极,与场效应管的工作原理相同,主要是利用电场的效应来控制源极与漏极之间的通断,栅极的电流消耗极小,不同的是场效应管为单栅极结构,而…

NAND Flash的容量   一直到2006年,MLC芯片的容量每年都成倍数增长:由于NAND Flash的制程升级的挑战越来越大,所以NAND Flash之后的容量成倍增长所需要的时间也在不断增加,从06年以前的一年到18个月再到2年.由于MLC已经成为主流产品,SLC开始在制程和容量方面逐渐落后.例如SLC的NAND Flash从8Gb到16Gb的转移的花了3年的时间. 8LC和16LC的优点在于可以将更大容量的数据存储于一块芯片上面,而这些是SLC和MLC不能够做到的.例如,第一块16L…

讨论到eMMC的发展历程,必须要从介绍Flash的历史开始 Flash分为两种规格:NOR Flash和NAND Flash,两者均为非易失性闪存模块. 1988年,Intel首次发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.NOR类似于DRAM, 以存储程序代码为主,可以让微处理器直接读取.因为读取速度较快,但晶片容量较低,所以多应用在通讯产品中,如手机. 19***,东芝公司发表NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且像磁盘一样可…

1.NAND Flash 是一种存储介质,要在上面读写数据,外部要加主控和电路设计. 2.eMMC是NAND flash+主控IC ,对外的接口协议与SD.TF卡类似:对厂家而言简化了电路设计,降低了成本. 3.使用emmc的好处是,除了得到大容量的空间(这一点,只用NAND FLASH多堆叠也可以做到),还有就是emmc可以管理NAND (坏块处理,ECC)等. 4.NAND Flash 主要生产厂家有Samsung, Toshiba,Hynix, Intel, Micron, 5.eMMC控…

这里我想以一个纯玩家的角度来谈谈关于NAND Flash的底层结构和解析,可能会有错误的地方,如果有这方面专家强烈欢迎指正. NAND Flash作为一种比较实用的固态硬盘存储介质,有自己的一些物理特性,需要有基本的管理技术才能使用,对设计者来说,挑战主要在下面几点: 1.需要先擦除才能写入.2.损耗机制,有耐久度限制.3.读写时候造成的干扰会造成数据出错.4.数据的保存期.5.对初始和运行时候的坏块管理. 只有至少满足这些基本的管理技术,才能让NAND Flash成为一款可以使用的固态存储介质…

1.FLASH转换层(FTL) EXt2/EXT3/EXT4文件系统可以通过FTL实现对flash的支持,因为FTL可以将闪存flash模拟成磁盘结构. 在ext2文件系统的基础上上,为了保证数据的一致性ext3文件系统增加了日志功能. 在ext3文件系统的基础上ext4文件系统增加了对大文件(T单位级的文件)的支持,另外对于每个目录下的文件个数没有了限制. 2.JFFS.JFFS2文件系统(链表结构,典型的日志文件系统) 书上是这样说的: JFFS2 是一个日志结构(log-structure…

1.NAND Flash 是一种存储介质,要在上面读写数据,外部要加主控和电路设计. 2.eMMC是NAND flash+主控IC ,对外的接口协议与SD.TF卡类似:对厂家而言简化了电路设计,降低了成本. 3.使用emmc的好处是,除了得到大容量的空间(这一点,只用NAND FLASH多堆叠也可以做到),还有就是emmc可以管理NAND (坏块处理,ECC)等. 4.NAND Flash 主要生产厂家有Samsung, Toshiba,Hynix, Intel, Micron, 5.eMMC控…

RAM(Random Access Memory)的全名为随机存取记忆体,它相当于PC机上的移动存储,用来存储和保存数据的.它在任何 时候都可以读写,RAM通常是作为操作系统或其他正在运行程序的临时存储介质(可称作系统内存). 不过,当电源关闭时RAM不能保留数据,如果需要保存数据,就必须把它们写入到一个长期的存储器中(例如硬盘).正因为如此, 有时也将RAM称作“可变存储器”.RAM内存可以进一步分为静态RAM(SRAM)和动态内存(DRAM)两大类.DRAM由于具有较 低的单位容量价格,所以…

S3C2440对Nand Flash操作和电路原理(基于K9F2G08U0A) 转载自:http://www.cnblogs.com/idle_man/archive/2010/12/23/1915303.html S3C2440内部集成了一个Nand flash控制器.S3C2440的Nand flash控制器包含了如下的特性: l        一个引导启动单元 l        Nand Flash存储器接口,支持8位或16位的每页大小为256字,512字节,1K字和2K字节的Nand f…

1.NAND FLASH 的特殊性. 1)存在坏块.由于NAND生产工艺的原因,出厂芯片中会随机出现坏块.坏块在出厂时已经被初始化,并在特殊区域中标记为不可用,在使用过程中如果出现坏块,也需要进行标记. 2) 易出现位反转.NAND FLASH更易出现位反转的现象,如果位反转出现在关键文件上,会导致系统挂机.所以在使用NAND FLASH的同时,建议使用ECC/EDC算法确保可靠性. 3) 存在Spare Area.正因为NAND FLASH有着上面的两项特殊的地方,Spare Area就扮演作…

本章目标  了解NAND Flash 芯片的接口 掌握通过NAND Flash控制器访问NAND Flash的方法 8.1 NAND Flash介绍和NAND Flash控制器使用     NAND Flash在嵌入式系统中的地位与PC上的硬盘类似,用于保存系统运行所需的操 作系统.应用程序.用户数据.运行过程中产生的各类数据.与内存掉电数据丢失不同, NAND Flash中的数据在掉电后仍可永久保存. 8.1.1 Flash介绍     常用的Flash类型由NOR Flash和NAND Fl…

我板子的启动过程如下: ..showlogo.. Flash:   1 MB NAND:    SLC detected.256 MB In:      serial Out:     serial Err:     serial *************show logo***************Hit any key to stop autoboot:  0 NAND read: device 0 offset 0x900000, size 0x300000 s3c-nand: ECC…