SDRAM介绍

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一．介绍存储器的最初结构为线性,它在任何时刻,地址线中都只能有一位有效.设容量为N×M的存储器有S0-Sn-1条地址线:当容量增大时,地址选择线的条数也要线性增多,利用地址译码虽然可有效地减少地址选择线的条数,但这种存储器的长宽比太大,显然,这在工业上是无法实现的.而且由于连线的延时与连线的长度成正比,这样的设计会使存储器的存取速度很慢.为了解决这个问题,现在常用的存储器都是将存储单元设计成阵列形状,使其长宽比接近1:1.这样,电路就必须增加一个列地址译码器,才能选出…

SDRAM基础知识

SDRAM知识普及在学习SDRAM之前,必须先了解"SDRAM"这个概念性的东西,并有感性的认识转变到一种理性的认识,所谓理性的认识就是实质性的东西…….不多说,相信你已经迫不急待了.那我们就开始了. 初识SDRAM SDRAM的全称是:Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步动态随机存储器,同步是指 Memory工作需要同步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准:动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失:随机是指数据不是线…

基于fpga的256m的SDRAM控制器

2018/7/26 受教于邓堪文老师,开始真真学习控制sdram 由于自己买的sdram模块是256的,原来老师的是128,所以边学边改,不知道最后好不好使,但是我有信心一.sdram的初始化 sdram介绍啥的就不用了,上来就是干,简单粗暴. 1.下面是引脚说明,看不懂自己可以用百度翻译,需要注意的是红框内的地址引脚和行列地址是复用的,A0~A12是行地址,A0~8是列地址简单说一下SDRAM的容量计算:数据位宽 *行地址*列地址*bank数,我们用的256有4个bank,就是:16*81…

十二、S3C2440 裸机 — SDRAM

12.1 SDRAM 介绍 12.1.1 SDRAM 定义 SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory):同步动态随机存储器-内存条同步是指内存工作需要同步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准: 动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失: 对比:SRAM(静态的-触发器) 随机是指数据不是线性依次存储,而是自由指定地址进行数据读写对比:Flash(块) DDR:DDR就是DDR SDRAM,是SDRAM的升级版.(DDR…

SSRAM、SDRAM和Flash简要介绍

问题1:什么是DRAM.SRAM.SDRAM?答:名词解释如下DRAM--------动态随即存取器,需要不断的刷新,才能保存数据,而且是行列地址复用的,许多都有页模式SRAM--------静态的随机存储器,加电情况下,不需要刷新,数据不会丢失,而且一般不是行列地址复用的SDRAM-------同步的DRAM,即数据的读写需要时钟来同步问题2:为什么DRAM要刷新,SRAM则不需要?答:这是由RAM的设计类型决定的,DRAM用了一个T和一个RC电路,导致电容会漏电和缓慢放电,所以需要经常刷新…

SDRAM的主要参数

(1) 容量.SDRAM的容量经常用XX存储单元×X体×每个存储单元的位数来表示.例如某SDRAM芯片的容量为4M×4×8bit,表明该存储器芯片的容量为16 M字节.或128 M bit. (2) 时钟周期.它代表SDRAM所能运行的最大频率.显然,这个数字越小说明SDRAM芯片所能运行的频率就越高. 对于一片普通的PC-100 SDRAM来说,它芯片上的标识10代表了它的运行时钟周期为10 ns,即可以在100 MHz的外频下正常工作.例如芯片上标有7.5,表示它可以运行在133MHz的频…

ARM学习篇 SDRAM理解

1.SDRAM单管存储单元 SDRAM单管电路图 C记忆单元 T控制门管 Z字线 W位线注:图示为N沟道耗尽型MOS管写入:Z加高电平,MOS导通,W状态决定了电容C的状态读出:Z加高电平,MOS导通,可以从W状态得知C的状态保持:Z加低电平,MOS关闭,电容保持原状态注意:单管读出是破坏性读出,因为读出时电容充电或者放电了,所以读出后还要重写 2. 刷新与重写 ● 刷新是每隔一段时间,自动重写一次:重写是破坏性读出后立即还原最大刷新间隔:所有的动态单元都被重新刷一遍的…

DDR3详解（以Micron MT41J128M8 1Gb DDR3 SDRAM为例）

转自:http://www.360doc.com/content/14/0116/16/15528092_345730642.shtml 以及参考网络. 首先,我们先了解一下内存的大体结构工作流程,这样会比较容量理解这些参数在其中所起到的作用. 这部分的讲述运用DDR3的简化时序图.DDR3的内部是一个存储阵列,将数据“填”进去,你可以它想象成一张表格. 和表格的检索原理一样,先指定一个行(Row),再指定一个列(Column),我们就可以准确地找到所需要的单元格, 这就是内存芯片寻址的基本原理…

内存管理单元（MMU）和协处理器CP15介绍（转）

内存管理单元(MMU)和协处理器CP15介绍内存管理单元(MMU)介绍嵌入式系统中,存储系统差别很大,可包含多种类型的存储器件,如FLASH,SRAM,SDRAM,ROM等,这些不同类型的存储器件速度和宽度等各不相同:在访问存储单元时,可能采取平板式的地址映射机制对其操作,或需要使用虚拟地址对其进行读写:系统中,需引入存储保护机制,增强系统的安全性.为适应如此复杂的存储体系要求,ARM处理器中引入了存储管理单元来管理存储系统.一内存管理单元(MMU)概述在ARM存储系统中,使用MMU实现虚拟地址…

网络存储技术介绍(1) ( based on zt)

最近由于某同学微信发了一些网络存储的文章,开始感兴趣,稍微收集了一些一. 网络存储技术 http://ask.zol.com.cn/q/187044.html (yxr:很老的技术介绍吧) 网络存储技术(Network Storage Technologies)是基于数据存储的一种通用网络术语. 网络存储结构大致分为三种:直连式存储(DAS:Direct Attached Storage).网络存储设备(NAS:Network Attached Storage)和存储网络(SAN:Stor…

DRAM 内存介绍(二)

参考资料:http://www.anandtech.com/show/3851/everything-you-always-wanted-to-know-about-sdram-memory-but-were-afraid-to-ask/4 DDR3 SDRAM的读写操作都是burst相关的,在一个address启动读写操作后,它都要连续进行burst length的byte读写,就像前一章的图中,ACT命令后,会跟着一个多个读写命令.read burst 的长度总是4 clocks…

mini2440的SDRAM分析

首先是2440的存储控制器: 暂时不管是从nand启动还是nor启动,因为我现在只关注内存,从上图可以看到由2440的Memory Controller可以寻址的范围是0x0000,0000---0x4000,0000,总共是1G,这1G又分为8个bank,bank0-bank7,每个bank为128M, 8*128M＝1G.其中bank0-bank5这6个bank是只能接SROM,那么什么是SROM,2440数据手册的221页说明了,SROM是ROM或者SRAM. 通用存储设备: 内存存储设备…

【转】DDR3详解（以Micron MT41J128M8 1Gb DDR3 SDRAM为例）

这两天正在学习FPGA如何控制DDR3的读写,找到一篇个人感觉比较有意义的文章,可以对DDR的内部结构有一个初步的了解.原文出处:http://blog.chinaunix.net/uid-28458801-id-3459509.html,感谢大神的付出. 首先,我们先了解一下内存的大体结构工作流程,这样会比较容量理解这些参数在其中所起到的作用.这部分的讲述运用DDR3的简化时序图. DDR3的内部是一个存储阵列,将数据“填”进去,你可以它想象成一张表格.和表格的检索原理一样,先指定一个行(R…

用ModelSim仿真SDRAM操作

之前写了两篇关于Modelsim仿真的blog,其中模块管脚的命名可能让人觉得有些奇怪,其实不然,之前的两篇内容都是为了仿真SDRAM操作做铺垫的. 由于SDRAM的仿真过程相对比较复杂,也比较繁琐.故可能需要不止一篇blog来完成. 在开始仿真之前,如果对SDRAM原理以及时序不是很了解的朋友,推荐看一下如下这篇文章: SDRAM-高手进阶,终极内存技术指南——完整进阶版 OK,下面正式开始仿真的过程. 通过看内存技术指南,我们大概可以总结出SDRAM的工作过程: 上电后进入200us的输入稳…

N3292x IBR介绍

N3292x IBR介绍 1 IBR启动流程图1-1 IBR启动流程 CHIP_CFG[0] Mode 0 Boot from IBR Recovery Mode with crystal input is 12MHz. 1 Boot From IBR Normal Mode with crystal input is 12MHz. Table 0‑1 IBR启动模式设置 IBR使用到的上电设置 2 时钟设置 Clock Source Divider Clock MPLL 216MHz …

FPGA系统中DRAM,SRAM,SDRAM,FLASH 区别（转）

原文:http://hi.baidu.com/abners/item/a9042ef35d3f005bc8f337f5 一般来说这几种存储器是一个nios系统都具有的,sram的好处是接口简单,速度快容易操作,用资源也比较少:sdram的最大好处是容量大,当然速度也比较快,但是接口复杂些,也耗逻辑资源多些:flash是非易失性存储器,速度慢.SRAM.SDRAM都用于程序工作时保存临时数据和程序,因为在系统调电后,保存在其中的数据都会丢失. FLASH用于系统中保存长期的数据,如:配置信息,程序…

【转】S3C2440存储系统-SDRAM驱动

SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步动态随机存储器)也就是通常所说的内存.内存的工作原理.控制时序.及相关控制器的配置方法一直是嵌入式系统学习.开发过程中的一个难点.我们从其硬件的角度来分析其原理,然后再引出SDRAM的驱动编写过程. 内存是代码的执行空间,以PC机为例,程序是以文件的形式保存在硬盘里面的,程序在运行之前先由操作系统装载入内存中,由于内存是RAM(随机访问存储器),可以通过地址去定位一个字节的数据,CPU在执行程序时将…

【转】RAM 大全-DRAM, SRAM, SDRAM的关系与区别

http://blog.csdn.net/huleide/article/details/5506698 ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存. RAM 有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所…

SDRAM操作（FPGA实现）

对SDRAM基本概念的介绍以及芯片手册说明,请参考上一篇文章SDRAM操作说明. 1. 说明如图所示为状态机的简化图示,过程大概可以描述为:SDRAM(IS42S16320D)上电初始化完成后,进入"空闲"状态,此时一直监控外部控制模块给予的控制信号.初始化完成后,外部定时器开始定时,定时周期为SDRAM刷新周期(7.7us),一旦计数到刷新周期后,向状态机发送auto_ref_req(自动刷新请求),此时状态机进入"刷新"状态,这样就确保在无任何操作时,SDRA…

SDRAM操作说明

SDRAM是做嵌入式系统中,常用是的缓存数据的器件.基本概念如下(注意区分几个主要常见存储器之间的差异): SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory),同步动态随机存储器.同步是指 Memory工作需要同步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准:动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证存储的数据不丢失,因为SDRAM中存储数据是通过电容来工作的,大家知道电容在自然放置状态是会有放电的,如果电放完了,也就意味着SDRAM中的数据丢失了,所…

ROM、SDRAM、RAM、DRAM、SRAM、FLASH区别

body, table{font-family: 微软雅黑; font-size: 13.5pt} table{border-collapse: collapse; border: solid gray; border-width: 2px 0 2px 0;} th{border: 1px solid gray; padding: 4px; background-color: #DDD;} td{border: 1px solid gray; padding: 4px;} tr:nth-chil…

继续死磕SDRAM控制器

SDRAM控制器博主上一篇介绍了一些SDRAM的基本原理是否有必要学习使用纯Verilog写一个SDRAM控制器,接下来记录SDRAM控制器的工作原理.首先是上电初始化. 上电初始化时序图中,tRP.tRC.这些时间参数可以从手册中找到,这里的系统时钟采用50Mhz. 从初始化的时序图可以看出,首先在进行预充电(Precharge)命令之前要等待100us(手册要求是至少100us,我们设定延时200us),等待系统上电稳定和时钟稳定,然后对所有bank进行预充电(Precharge),经历…

痞子衡嵌入式：飞思卡尔i.MX RT系列MCU特性介绍（1）- 概览

大家好,我是痞子衡,是正经搞技术的痞子.今天痞子衡给大家介绍的是飞思卡尔i.MX RT系列MCU的基本特性. ARM Cortex-M微控制器芯片厂商向来竞争激烈,具体可参看我的另一篇文章<第一款Cortex-M微控制器>,其中意法半导体凭借高性价比的STM32系列牢牢占据市场主要份额,但随着物联网IoT.边缘计算等市场对MCU性能要求越来越高.各芯片厂商也在不断推出性能越来越强的MCU,其中飞思卡尔半导体(现恩智浦半导体)于2017年开始推出的i.MX RT系列更是进一步拉高了MCU的上限,…

SDRAM 学习笔记（一）

前面几篇博客已经讲到了关于0V7725的相关驱动问题,那么OV7725驱动成功之后,设定OV7725输出RGB565格式,那么对于640x480x16,那么若是选用FIFO,应该设置为位宽16bit,存储深度为30万,但是这样是不现实的.所以采用存储深度更大的SDRAM来实现数据的缓存. 要么对于SDRAM的学习资料,笔者列举以下几篇文档供大家学习. 当然还有之前各位大神写的博客,都可以进行参考,这里不一一列举. 本篇博客先整体介绍SDRAM,以及SDRAM的重要知识点. 1.基础知识 SD…

AP与CP介绍【转】

本文转载子:https://blog.csdn.net/wqlinf/article/details/8663170 基带芯片加协处理器(CP,通常是多媒体加速器).这类产品以MTK方案为典型代表,MTK全系列的产品基本上都属于这样的方案,展讯等其他公司也在推类似的产品.这是增强了多媒体功能的featurephone. 注:协处理器(coprocessor):用来通过处理主cpu的一些工作负荷来使操作提速的辅助处理器. *基带芯片+应用处理器(AP:应用处理器),也就是通常说的智能手机(smar…