MOS-N 场效应管 双向电平转换电路 -- 适用于低频信号电平转换的简单应用 如上图所示,是 MOS-N 场效应管 双向电平转换电路.双向传输原理: 为了方便讲述,定义 3.3V 为 A 端,5.0V 为 B 端. A端输出低电平时(0V) ,MOS管导通,B端输出是低电平(0V) A端输出高电平时(3.3V),MOS管截至,B端输出是高电平(5V) A端输出高阻时(OC) ,MOS管截至,B端输出是高电平(5V) B端输出低电平时(0V) ,MOS管内的二极管导通,从而使MOS管导通,A端输…

设计的MOS管三极管简单开关电路驱动能力不够 [复制链接]     lxizj 9 主题 454 帖子 1783 积分 四级会员(40) 积分 1783 发消息 16#   发表于 2012-4-23 17:02 | 只看该作者 这个东西仔细看看规格书就知道了.0 n" Z0 o. r7 ~$ `; a) u! {9 j 1.首先,为什么10K/10K的分压不行? # Q7 _$ S" A. D3 r6 [, S 9楼说的有道理.从规格书上看,AOD409的阙值电压是2.4V,而10K…

下图是两种MOS管的典型应用:其中第一种NMOS管为高电平导通,低电平截断,Drain端接后面电路的接地端:第二种为PMOS管典型开关电路,为高电平断开,低电平导通,Drain端接后面电路的VCC端. @beautifulzzzz 智能硬件.物联网,热爱技术,关注产品 博客:http://blog.beautifulzzzz.com sina:http://weibo.com/beautifulzzzz?is_all=1…

您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册 x . ?& P' U5 r/ ~& `: B 用AOD409设计的开关电路为什么驱动能力不够,请大家帮忙分析一下原因啊.这个电路作用就是输入为高电平(3.3V)时5V\12V接通,输入低电平断开.这个电路可以实现断开与接通功能,但就是驱动不了我的马达.马达直接接电源可以转,通过这个电路就不转,应该是电流不够吧.谢谢啦~     分享到:  QQ好友和群 QQ空间 腾讯微博 腾讯朋友 微信 收藏5 支持! 反对! 微信分享   回复 举报  …

16楼说得非常明白,补充一点,R3如果不要,会有下冲产生.4 Q: Z/ G  G1 s8 Z- } 能解释下为什么会产生过冲吗?9 i, P* D* X) u. t/ b  ^ 让我们这些菜鸟学习学习         回复 支持 反对 举报   EDA365微信号及QQ群号! tyongfeng18 0 主题 3 帖子 83 积分 二级会员(20) 积分 83 发消息 32#   发表于 2012-7-31 13:51 | 只看该作者 当电压12V输入的时候,D2没拿掉为好.       回复…

PW2320采用先进的沟道技术,以提供优良的RDS(ON),低栅电荷和电压门极电压低至2.5V时工作.该装置适合用作电池保护或在其他开关应用中. 特征 VDS=20V ID=8A RDS(开)<12mΩ@VGS=4.5V SOTA 3针封装 芯片代理:深圳市夸克微科技  郑R  13528458039 绝对最大额定值(TA=25℃,除非另有说明) PW3400A采用先进的沟道技术,提供优秀的RDS(ON).低栅电荷和栅电压低至2.5V时工作.该装置适用于电池保护或在其他交换应用中. PW3428…

http://www.kiaic.com/article/detail/1308.html 场效应管种类场效应管 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET).由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.具有输入电阻高(107-1015Ω).噪声小.功耗低.动态…

mos工作原理:http://www.360doc.com/content/15/0930/11/28009762_502419576.shtml, 开关特性好,长用于开关电源马达驱动,CMOS相机场合. MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少,以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况,然后达到控制漏极电流的目的.在制造管子时,通过工艺使绝缘层中出现大量正离子,故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷,这些负电荷把高渗杂质的N区接通,形成了导电…

http://anlx27.iteye.com/blog/1583089 学过模拟电路,但都忘得差不多了.重新学习MOS管相关知识,大多数是整理得来并非原创.如有错误还请多多指点! 先上一张图 一. 一句话MOS管工作原理 NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到一定电压(如4V或10V, 其他电压,看手册)就可以了.          PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动).但是,虽然PMO…

一些关于MOS管的基础知识,很多资料来源于网络. 场效应管(FET)分类:(按材料) 1. 结型 2. 绝缘栅型(MOS) 耗尽型:在SiO2绝缘层中掺入了大量的碱金属正离子Na+或K+(制造P沟道耗尽型MOS管时掺入负离子) 增强型:无掺杂. 结型: 工作原理: 在uds=0时: ugs=0V ugs>0V,并没有夹断 ugs>0V,夹断 uds>0时,沟道的变化不会像uds=0那么规则.但是当沟道夹断之后,iD只取决于uGS,即电压控制电流. N沟道增强型MOS: N沟道耗尽型MOS…