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Rtt: Dynamic ODT.DDR3引入的新特性.在特定的应用环境下为了更好的在数据总线上改善信号完整性, 不需要特定的MRS命令即可以改变终结强度(或者称为终端匹配).在MR2中的A9和A10位设置了Rtt_WR.Ddr3中, 有两种RTT值是可以选择的,一种是RTT_Nom,另一种是RTT_WR;Rtt_Nom是在没有写命令的时候被选择的, 当有了写命令后,ODT就会变成Rtt_wr,当写命令结束后,又会回到Rtt_nom.也就是说,RTT在ODT使能后,出现, 当总线上没有数据的时候…
example: if DDR is 512MB*16*8 COLBITS = 10,  A0-A9 be used for cloumn address. ORG = 16 ,  each bank's  datas bit 16. pagesize = 1024*16*8 =2k.…
reference: JEDS79-3F.pdf , page:181…
referce :https://blog.csdn.net/ghostyu/article/details/7728106 tRP(RAS Precharge Time): “内存行地址控制器预充电时间” tRCD(RAS-to-CAS Delay)“行寻址至列寻址延迟时间” CL(CAS Latency):“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间” tRAS(RAS Active Time): “内存行有效至预充电的最短周期”…