在我们应用开发时,经常会有一些程序运行参数需要保存,如一些修正系数.这些数据的特点是:数量少而且不需要经常修改,但又不能定义为常量,因为每台设备可能不一样而且在以后还有修改的可能.将这类数据存在指定的位置,需要修改时直接修改存储位置的数值,需要使用时则直接读取,会是一种方便的做法.考虑到这些数据量比较少,使用专门的存储单元既不经济,也没有必要,而STM32F103内部的Flash容量较大,而且ST的库函数中还提供了基本的Flash操作函数,实现起来也比较方便. 以大容量产品STM32F103VE…

我们的项目中需要保存一些系统配置参数,这些数据的特点是:数量少而且不需要经常修改,但又不能定义为常量,因为每台设备可能不一样而且在以后还有修改的可能.这就需要考虑这些参数保存的问题.将这类数据存在指定的位置,需要修改时直接修改存储位置的数值,需要使用时则直接读取,会是一种方便的做法.考虑到这些数据量比较少,使用专门的存储单元既不经济,也没有必要,恰好有些MCU拥有比较大的FLASH,使用少量来存储这些参数则既方便有经济.STM32F4的Flash架构如下: 这次NUCLEO-F412ZG测试板上…

第50章     读写内部FLASH 全套200集视频教程和1000页PDF教程请到秉火论坛下载:www.firebbs.cn 野火视频教程优酷观看网址:http://i.youku.com/firege 本章参考资料:<STM32F4xx 中文参考手册>.<STM32F4xx规格书>.库说明文档<stm32f4xx_dsp_stdperiph_lib_um.chm>. 50.1 STM32的内部FLASH简介 在STM32芯片内部有一个FLASH存储器,它主要用于存储…

因为要用内部FLASH代替外部EEPROM,把参数放在STM32的0x08000000+320K处,其中20K是bootloader,300K是应用程序. 原理:先要把整页FLASH的内容搬到RAM中,然后在RAM中改动,然后擦除整页FLASH,再把改动后的内容写入原Flash页.下面程序调试通过. /******************************************************************************** Function Name  :…

源:STM32 对内部FLASH读写接口函数 因为要用内部FLASH代替外部EEPROM,把参数放在STM32的0x08000000+320K处,其中20K是bootloader,300K是应用程序. 原理:先要把整页FLASH的内容搬到RAM中,然后在RAM中改动,然后擦除整页FLASH,再把改动后的内容写入原Flash页.下面程序调试通过. /***************************************************************************…

最近做到的项目在运行需要把一组uint8_t(unsigned char)的数据进行掉电储存,想到单片机STM32f030f4p6内部flash可以直接由程序操作,写了以下代码用于uint8_t数据打包保存和读取. 1.程序清单 与 测试结果 本程序包含5个文件,分别是: 1.Flash.c:内部flash读取储存相关函数 2.Flash.h:flash头文件 3.USART1.c:STM32F030F4P6的串口驱动,串口仅用于打印数据观察. 4.USART1.h:串口头文件 5.main.c…

一.介绍 首先我们需要了解一个内存映射: stm32的flash地址起始于0x0800 0000,结束地址是0x0800 0000加上芯片实际的flash大小,不同的芯片flash大小不同. RAM起始地址是0x2000 0000,结束地址是0x2000 0000加上芯片的RAM大小.不同的芯片RAM也不同. Flash中的内容一般用来存储代码和一些定义为const的数据,断电不丢失, RAM可以理解为内存,用来存储代码运行时的数据,变量等等.掉电数据丢失. STM32将外设等都映射为地址的形式…

SpringMVC重定向保存参数(FlashMap):两种情况会保存参数:    1. 当前视图为RedirectView,也即是说当前请求为重定向请求.        org.springframework.web.servlet.view.RedirectView#renderMergedOutputModel!RequestContextUtils.saveOutputFlashMap(targetUrl, request, response);            2. 当前处理方法H…

1.基本简介 TMS570LS3137内部Flash分为三个 Bank,主Flash 数据存储区3MB,是Bank1和Bank2.还有一个Bank7是作为内部Flash模拟EEPROM使用.内部存储器如下图所示: FEE功能只是用于Bank7,需要使用这块存储器就需要相应的函数实现数据的读取.写入和擦除.Ti为我们准备了F021FLASH-library实现了程序代码和系统存储器之间的桥梁.因此我们只需要调用F021FLASH-library的接口代码即可实现对存储器的读写操作.这可比翻手册写代…

 一.实验内容: 通过串口发送单个字符到NRF51822,NRF51822 接收到字符后将其写入到FLASH 的最后一页,之后将其读出并通过串口打印出数据. 二.nRF51822芯片内部flash知识: EN-nRF51D 开发板使用NRF51822 芯片为nRF51822-QFAA,如下图所示,共有256KBFLASH,256 页,页大小为1024 字节. NRF51822 内部FLASH 写流程如下: 三.代码解析: main: int main(void) { ... 串口初始化 prin…