从7nm到5nm,半导体制程 芯片的制造工艺常常用XXnm来表示,比如Intel最新的六代酷睿系列CPU就采用Intel自家的14nm++制造工艺.所谓的XXnm指的是集成电路的MOSFET晶体管栅极的宽度,也被称为栅长.栅长越短,则可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶体管. 目前,业内最重要的代工企业台积电.三星和GF(格罗方德),在半导体工艺的发展上越来越迅猛,10nm制程才刚刚应用一年半,7nm制程便已经好似近在眼前,上个月雷锋网刚刚还报道过下一代iPhone A12处理器将使用台积电7nm…

https://mp.weixin.qq.com/s/LjFTtEKFX2o8kLjn3y6GbQ 深度学习的异构加速技术1:效率因通用而怠,构架为AI而生 一方面,当半导体的工艺制程走到7nm后,已逼近物理极限,摩尔定律逐渐失效,导致CPU不再能像以前一样享受工艺提升带来的红利:通过更高的工艺,在相同面积下,增加更多的计算资源来提升性能,并保持功耗不变.为了追求更高的性能,更低的功耗,来适应计算密集型的发展趋势,更多的设计通过降低通用性,来提升针对某一(或某一类)任务的性能,如GPU和定制AS…

华为海思Hi1620芯片发布在即 7nm制程ARM架构最高可达3.0GHz https://www.cnbeta.com/articles/tech/850561.htm 中电科旗下的普华软件 支持国产CPU Hi1620 参数看起来 还是很不错的. 一夜间,华为海思“备胎转正”,不仅周边的“备胎股”受到广泛关注.5月23日,普华基础软件在公众号透露“海思hi1620系列即将发布”的消息.并配有一张“普华基础软件”与“华为海思”的关系拼图. 访问: 华为商城 普华是一家什么公司?普华基础软件股份…

集微网消息,台积电董事长张忠谋表示,摩尔定律可能还可再延续10年,3nm制程应该会出来,2nm则有不确定性,2nm之后就很难了. 张忠谋表示,1998年英特尔总裁贝瑞特来台时,两人曾针对摩尔定律还可延续多久进行讨论,他当时回答还有15年,贝瑞特较谨慎回答,大概还有10年. 现在已经2017年,张忠谋表示,两人当时的答案都错了:他指出,目前大胆预测摩尔定律可能再有10年. 张忠谋表示,台积电明年将生产7nm制程,5nm已研发差不多,一定会出来,3nm也已经做2至3年,看来也是会出来. 张忠谋指出,…

本章目的:明确公差分布(Tolerance Distribution)也有自己的形状,了解CPK概念. 1.正态分布(常态分布)normal distribution的概念 统计分析常基于这样的假设:零件在大批量生产时,其尺寸在其公差范围内呈正态分布(常态分布)normal distribution. 事实也是如此,针对一个零件尺寸,在一定制造条件下制造并测量无数个零件,并记录相同尺寸出现的频率,可以绘制出一张尺寸大小的频率图,这张图纸就是正态分布图.如下面两张图所示(一简一繁). 多数的零件尺…

从光刻机的发展,看懂ASML为何是不可取替 http://mini.eastday.com/mobile/171230223351249.html# 2017-12-30 22:33    来源:半导体行业观察 阿斯麦(ASML.O)是全球最大的半导体光刻机设备及服务提供商,在细分领域具备垄断地位.总部位于荷兰费尔德霍芬(Veldhoven),是飞利浦与 ASMI于 1984年合资创立,原称 Advanced Semiconductor Material LithographyHolding N…

everspin提供了8/16-bit的DDR4-1333MT/s(667MHz)接口,但与较旧的基于DDR3的MRAM组件一样,时序上的差异使得其难以成为DRAM(动态随机存取器)的直接替代品.   最新的1Gb容量STT-MRAM扩大了MRAM的吸引力,但Everspin仍需努力追赶DRAM的存储密度.   低容量的特性,使得MRAM组件更适用于嵌入式系统,其中SoC和ASIC可更容易地设计兼容的DDR控制器.   目前行业内已通过MRAM来部分替代DRAM,比如IBM就在去年推出了Flas…

当今许多企业的领导者几乎已经成为其企业的代名词,而在芯片业,我们听说的更多的是“龙芯”.“国芯”,他们的领导者的声音却鲜有传出.芯片业透出的强烈的民族色彩,也使这些隐身的企业家们的注意力更聚集在研发上,而坦然出现在镁光灯下的则是更能表达民族使命感的产品. 我们要感谢那些嗅觉灵敏的投资家,18号文件之后,大量的资本陆续涌入IC业,正在崛起的中国IC产业.IC企业.IC企业家们,正成为媒体关注的焦点 .为此,<中国高新技术企业>杂志开始独家搜索:是谁引擎了中国IC产业?<中国高新技术企业&g…

1. 前言 蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术. 蚀刻技术可以分为『湿蚀刻』(wet etching)及『干蚀刻』(dry etching)两类.在湿蚀刻中是使用化学溶液,经由化学反应以达到蚀刻的目的,而干蚀刻通常是一种电浆蚀刻(plasma etching),电浆蚀刻中的蚀刻作用,可能是电浆中离子撞击晶片表面的物理作用,或者可能是电浆中活性自由基(Radical)与晶片表面原子间的化学反应,甚至也可能是这两者的复合作用. 在航空.机械.化学工业中,蚀刻技术广泛地被使用于减轻重量…

----------------------------------------------------------------------文章1---------------------------------------------------------------------- Flash简介: Flash全名叫做Flash Memory,属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device),与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Devic…