由于altera公司的epcsxxx芯片比较贵,所以一般用其它公司的spi flash芯片代替也可以.据AlteraFAE描述:“EPCS器件也是选用某家公司的SPIFlash,只是中间经过Altera公司的严格测试,所以稳定性及耐用性都超过通用的SPIFlash” 如ST 的M25P10-A, M25P40, M25P16 和 M25P64正好可以替代Altera 的EPCS1, EPCS4, EPCS16 和 EPCS64…

1.SPI FLASH的基本特征 本文实现用FPGA来设计SPI FLASH,FLASH型号为W25Q128BV.支持3种通信方式,SPI.Dual SPI和Quad SPI.FLASH的存储单元无法写入bit 1,只能写入bit 0,所以写入数据之前要将原来的数据擦除(FFh),遇到写入bit 1的情况不作处理.W25Q128BV的特征为如下图所示: 2.SPI FLASH的基本结构 W25Q128BV由Block0~Block255共256个Block组成,容量大小为256*64KB=256…

http://forums.xilinx.com/t5/General-Technical-Discussion/Configuring-spartan-6-using-mcu-and-spi-flash/td-p/88658 I'm currently using spartan 6 in my design and I was wondering if I could configure it using MCU to download fpga design file into the s…

W25Q80BV是台湾华邦电子(Winbond)生产的8M-bit串行flash芯片.主要特性有: 工作电压:2.5 ~ 3.6 V 功耗:读写(active)时4mA,低功耗(power-down)时<1μA 容量:8M-bit/1M-byte,包含4096个页(每页大小256字节) 接口:Standard/Dual/Quad SPI,支持时钟频率最高104MHz 支持以4/32/64k-bytes为单位进行Sector/Block擦除 一次写入最多256字节 软件/硬件写保护功能 大于10万…

W25Q16V 是华邦出的一颗 spi flash. 25系列是比较通用的一个系列. 后面的数字 16 跟容量有关, 16 表示 16Mbits, 相当于 2MB. 与此类似的还有 W25Q128V 等, 128 就表示容量 16MB. 对于 W25Q16V: page 为最大的编程单位. 1 page = 256 bytes sector 为最小的擦除单位, 1sector = 16 pages = 4096 bytes (4KB) 块擦除有两种大小: 32K block = 8 secotr…

参考博文: 博文很长,但是实际要操作的步骤没几下. http://m.elecfans.com/article/730878.html  为了防止几年后文章链接找不到,我把文章复制过来了 /**********************************************转载注明出处 http://m.elecfans.com/article/730878.html  Start******************************************************…

一设计功能 对SPI_flash进行扇区擦除,分为写指令和扇区擦除两个时序部分. 二设计知识点 我简单理解flash,第一它是掉电不丢失数据的存储器,第二它每次写入新数据前首先得擦除数据,分为扇区擦除和全擦擦. 下面讲讲我自己亲自动手设计的原创代码过程: 自己设计过程: 第一步:就先看了SPI FLASH文档,了解SPI FLAHS的原理:先有写使能信号及其时序波形,然后是扇区擦除指令和地址及时序波形,再是延时3秒回到初始状态. 第二步:自己画出所有的状态及其转移图,还是就是用线性序列机表达写使…

前言:    在嵌入式开发中,如uboot的移植,kernel的移植都需要对Flash 有基本的了解.下面细说一下标题中的中Flash中的关系 一,Flash的内存存储结构    flash按照内部存储结构不同,分为两种:nor flash和nand flash. NorFLASH使用方便,易于连接,可以在芯片上直接运行代码,稳定性出色,传输速率高,在小容量时有很高的性价比,这使其很适合应于嵌入式系统中作为 FLASH ROM.    相对于NorFLASH,NandFLASH强调更高的性能,更…

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Flash有掉电数据保存的特点,RAM掉电则数据丢失,但是RAM的速度更高,擦写次数理论上没有限制,而Flash则不行. Nand Flash相比其余的几种flash优势在于可擦写次数多,擦写速度快,但是在使用以及使用过程中会出现坏块因此需要做特殊 处理才可以使用.其主要用于数据存储,大部分U盘都是Nand Flash. Nor Flash读写时序类似于SRAM,只是写的次数较少,速度也慢,由于其读时序类似于SRAM,读地址是线性结构,多用于程序代码的 存储. SPI Flash同Nand Fl…