定义一个全局变量数组:const u8 TEXT_Buffer[]={"STM32F103 FLASH TEST"};    //u8和char* 写入到内存里会有什么区别???????不都是0101吗,难道一个元素占的位置大小不同????? #define SIZE sizeof(TEXT_Buffer)                        //数组长度 sizeof是一个函数 ,函数的作用是求出括号里参数的长度#define FLASH_SAVE_ADDR  0X0807…

STM32中存储区分为:随机存取存储器RAM和只读存储器ROM. 其中: RAM为常说的内存,比如手机的2G内存4G内存等,就是程序跑起来的时候所占用的存储空间,特点是掉电数据丢失. ROM为常说的硬盘,比如手机的64G和128G等,可以简单的理解为硬盘的存储空间,特点是掉电数据不丢失,所以又叫“非易失性存储器件”.  ROM又包含:EEPROM和flash. 画个嵌入式产品存储器件的思维导图如下(如有什么地方不对,恳请大神们进行指正):  作为ROM的一份子,flash的特点自然是掉电数据不丢…

说到STM32的FLSAH,我们的第一反应是用来装程序的,实际上,STM32的片内FLASH不仅用来装程序,还用来装芯片配置.芯片ID.自举程序等等.当然, FLASH还可以用来装数据. FLASH分类 根据用途,STM32片内的FLASH分成两部分:主存储块.信息块. 主存储块用于存储程序,我们写的程序一般存储在这里. 信息块又分成两部分:系统存储器.选项字节. 系统存储器存储用于存放在系统存储器自举模式下的启动程序(BootLoader),当使用ISP方式加载程序时,就是由这个程序执行.这个…

前言:    在嵌入式开发中,如uboot的移植,kernel的移植都需要对Flash 有基本的了解.下面细说一下标题中的中Flash中的关系 一,Flash的内存存储结构    flash按照内部存储结构不同,分为两种:nor flash和nand flash. NorFLASH使用方便,易于连接,可以在芯片上直接运行代码,稳定性出色,传输速率高,在小容量时有很高的性价比,这使其很适合应于嵌入式系统中作为 FLASH ROM.    相对于NorFLASH,NandFLASH强调更高的性能,更…

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级.一.存储数据的原理两种闪存都是用三端器件作为存储单元,分别为源极.漏极和栅极,与场效应管的工作原理相同,主要是利用电场的效应来控制源极与漏极之间的通断,栅极的电流消耗极小,不同的是场效应管为单栅极结构,而…

我们使用的智能手机除了有一个可用的空间(如苹果8G.16G等),还有一个RAM容量,很多人都不是很清楚,为什么需要二个这样的芯片做存储呢,这就是我们下面要讲到的.这二种存储设备我们都统称为“FLASH”,FLASH是一种存储芯片,全名叫Flash EEPROM Memory,通地过程序可以修改数据,即平时所说的“闪存”.Flash又分为NAND flash和NOR flash二种.U盘和MP3里用的就是这种存储器. 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用.许多业内人士也搞不清…

我们使用的智能手机除了有一个可用的空间(如苹果8G.16G等),还有一个RAM容量,很多人都不是很清楚,为什么需要二个这样的芯片做存储呢,这就是我们下面要讲到的.这二种存储设备我们都统称为“FLASH”,FLASH是一种存储芯片,全名叫Flash EEPROM Memory,通地过程序可以修改数据,即平时所说的“闪存”.Flash又分为NAND flash和NOR flash二种.U盘和MP3里用的就是这种存储器. 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用.许多业内人士也搞不清…

整理自NOR FLASH 与NAND FLASH 1:NandFlash与NorFlash典型电路图 Nor Flash接原理图 从上图可以看出,该NorFlash采用并行地址和数据总线, 其中,21bit地址总线,16bit数据总线. 该NorFlash最大可寻址2M的地址空间.实际上,该NorFlash大小为2M.所以,NorFlash可作内存使用.可以直接寻址每一个存储单元. NandFlash的典型原理图 NandFlash没有区分地址总线和数据总线.只有一个8bit的I/O总线.6根控…

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存.RAM 有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓 冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/…

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存. RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/D…

1.SPI Flash (即SPI Nor Flash)是Nor Flash的一种: 2.NOR Flash根据数据传输的位数可以分为并行(Parallel)NOR Flash和串行(SPI)NOR Flash: 3.SPI Nor Flash每次传输一个bit位的数据,parallel Nor Flash每次传输多个bit位的数据(有x8和x16bit两种): 4.SPI Nor Flash比parallel便宜,接口简单点,但速度慢. SPI FLASH是指外接口符合SPI协议,也就是串口.…

2010-10-08 22:26:00 A,nor flash与nand flash的一些区别 1)接口区别: NOR FLASH地址线和数据线分开,来了地址和控制信号,数据就出来. NAND Flash地址线和数据线在一起,需要用程序来控制,才能出数据. 通俗的说,就是光给地址不行,要先命令,再给地址,才能读到NAND的数据.而且都是在一个总线完成的. 结论是:ARM无法从NAND直接启动.除非装载完程序,才能使用NAND Flash. 2)性能区别 NOR的传输效率很高,在1-4MB的小容量…

1.Flash/Actionscript3 载入资源文件方法考 http://zengrong.net/post/1107.htm 2.使用Flash Professional CS5和Flash Builder 4组合动画和ActionScript http://www.infoq.com/cn/vendorcontent/show.action?vcr=1005 3.flash builder 在线帮助文档 http://help.adobe.com/en_US/Flex/4.0/Using…

Avinash Aravindan reference:https://www.embedded.com/design/prototyping-and-development/4460910/2/Flash-101--NAND-Flash-vs-NOR-Flash Embedded system designers must take into account many considerations when selecting a Flash memory: which type of Fla…

[Nor Flash] Nor Flash的“读取”和RAM很类似,只要能能够提供数据的地址,数据总线就能够正确的给出数据,但不可以直接进行“写”操作: Nor Flash的写操作,需要遵循特定的命令序列,最终由芯片内的控制单元完成写操作: 在对Nor Flash进行写操作的时候,每个Bit可以通过编程由1变为0,但不可以由0修改为1: 为了保证写操作的正确性,在执行写操作前,都要执行擦除操作: 擦除操作会把Flash的一个Sector.一个Block或整片Flash的值修改为0xFF: Nor…

他们四者相互独立 RAM掉电易失数据: RAM又分两种,一种是静态RAM,SRAM:一种是动态RAM,DRAM.前者的存储速度要比后者快得多,我们现在使用的内存一般都是动态RAM. DDR是Double Data Rate SDRAM的缩写(双倍数据速率) 也就是DRAM的一种 ROM掉电不丢失数据. NOR Flash 和 NAND Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术, Nand-flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用…

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存. RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/D…

片内的ram用来存储启动代码,在2440初始化sdram之前,代码就在片内ram中运行.片内ram装载的是norflash中的内容,即u-boot. uboot放在norflash里,nandflash就存放的操作系统.所以norflash相当于电脑的bios,nanflash才是硬盘.sdram就是内存了 uboot是一级启动代码,即bootloader,用来加载操作系统(nandflash)到sdram并且执行,当然uboot还能格式化nandflash和安装新系统的功能.   追问 哎,新…

目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash.NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样,用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码,这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本. NAND Flash没有采取内存的随机读取技术,它的读取是以一次读取一块的形式来进行的,通常是一次读取512个字节,采用这种技术的Flash比较廉价.用户不能直接运行NAND Flash上的代码,因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外,还作上了一…

1,从NANDFLASH启动时,在ARM上电时,ARM会自动把NANDFLASH前4K的内容拷贝到S3C2440内部SRAM中,同时把SRAM的地址映射到0X00000000.ARM上电后会从SRAM处开始运行. 2,从NOR FLASH启动时,因为NORFLASH接在bank0.地址映射是0X00000000.所以ARM上电后直接运行NORFLASH里的程序.此时S3C2440内部SRAM地址为0X40000000. 3,ARM上电启动都是从0X00000000开始运行.但是对于复位程序入口,…

nor flash和nand flash差别 学习嵌入式有一段时间了,刚接触nor和nand时非常是迷惑.非要逼我写一篇博客才干记清楚. 首先他们都是存储设备.统称叫做flash memory.导致他们存在差异的原因肯定是硬件上的差异了.//好似男人和女人,先有硬件的不同.才发展出来生理上的不同 导致性能和用途不同根本原因(硬件):组成存储单元的逻辑器件,nor採用与非门.nand採用或非门. 事实上所谓nor和nand是基于不同的制造技术.按字面,nor是与非门.nand是或非门,就是做IC时…

flash是存储芯片的一种,通过特定的程序可以修改里面的数据.FLASH在电子以及半导体领域内往往表示Flash Memory的意思,即平时所说的“闪存”,全名叫Flash EEPROM Memory.flash存储器又称闪存,它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能,还可以快速读取数据(NVRAM的优势),使数据不会因为断电而丢失. flash相对于EEPROM做的改进就是擦除时不再以字节为单位,而是以块为单位,一次简化了电路,数据密度更高,降低了成本.上M…

转自:http://m.elecfans.com/article/778203.html 本文主要是关于SPI FLASH与NOR FLASH的相关介绍,并着重对SPI FLASH与NOR FLASH的区别进行了详细的区分. SPI FLASH 首先它是个Flash,Flash是什么东西就不多说了(非易失性存储介质),分为NOR和NAND两种(NOR和NAND的区别本篇不做介绍).SPI一种通信接口.那么严格的来说SPI Flash是一种使用SPI通信的Flash,即,可能指NOR也可能是NAN…

一.内容概述  采用STM32内部自带USB控制器外加大页NAND FLASH K9F1G08U0A实现一个128M的U盘. 1.STM32的USB控制器 STM32F103的MCU自带USB从控制器,符合USB规范的通信连接:PC主机和微控制器之间的数据传输是通过共享一专用的数据缓冲区来完成的,该数据缓冲区能被USB外设直接访问.这块专用数据缓冲区的大小,由所使用的端点数目和每个端点最大的数据分组大小所决定,每个端点最大可使用512字节缓冲区,最多可用于16个单向或8个双向端点.USB模块同P…

#define FLASH_ID_OFFSET 30000    //任意定义一个数 //把地址直接减去或者加上一个数是不要程序中直接出现这个地址 volatile u32 Flash_ID_addr[3]={ 0x1FFFF7E8 - FLASH_ID_OFFSET, 0x1FFFF7EC + FLASH_ID_OFFSET, 0x1FFFF7F0 - FLASH_ID_OFFSET }; /**读取STM32 FLASH ID**/ void Flash_Read_ID(u32 *p){ …

今天在进行STM32内部falsh存储的时候,发现固件库历程的函数原型是这样的: 第一个是地址,在我的STM32中是2K一页的,第二个是要写入的数据. 问题就来了,存储一个小数该怎么办呢?固件库给的是整形数据啊! 三种解决办法: 第一:最具大众性的 把小数乘以系数放大,当做整数存储,然后再除以放大系数得到小数本身.例如 float  a=1.23; int b=a*100;把b存进去,取出来的时候再除以100,就可以得到小数a了.这是最简单可能也是最好想到的了,但同时,这也是最麻烦的了.稍有C语…

从STM32编程手册中,可以知道:在进行写或擦除操作时,不能进行代码或数据的读取操作. 比如:你在写Flash期间有接收串口数据,很有可能会丢串口数据. 因为比较耗时,所以,在写数据时,CPU不会执行其他操作. 简单说:在写Flash时,CPU 不能取指令,导致中断得不到及时响应,从而发生接收到的数据未及时读走而被覆盖的现象. 遇到这种情况,解决的办法:使用DMA.DMA不需要CPU干预,一旦 USART 有数据接收到,由 DMA 负责将其传输至循环缓冲区中.软件定期检测循环缓冲区中是否有接收到…

​ /* Base address of the Flash sectors */ #define ADDR_FLASH_SECTOR_0 ((uint32_t)0x08000000) /* Base @ of Sector 0, 16 Kbytes */ #define ADDR_FLASH_SECTOR_1 ((uint32_t)0x08004000) /* Base @ of Sector 1, 16 Kbytes */ #define ADDR_FLASH_SECTOR_2 ((uint…

嵌入式闪存 闪存存储器有主存储块和信息块组成 大容量产品主存储块最大为64K×64位,每个存储块划分为256个2K字节的页 编程和擦除闪存 闪存编程一次可以写入16位(半字) 闪存擦除操作可以按页面擦除或完全擦除(全擦除).全擦除不影响信息块 编程过程 页擦除过程 操作步骤 1.解锁 2.读操作 3.擦除操作 4.写操作 5.获取FLASH状态 6.锁定 举例 #define STM32_FLASH_BASE 0x08000000 #define STM32_PAGE_NUM 256 #defi…

文章目录 背景 1.连接ST-LINK V2与单片机 2.配置工程 3.配置ST-LINK Utility 4.烧录bin文件 背景 项目需求,要把字模文件导入到32中FLASH的指定地址,使用了ST-LINK V2 连接单片机和计算机,然后通过ST-LINK Utility 软件的配合将弄好的字模bin文件导入到FLASH指定地址.下面记录一下整个过程: 1.连接ST-LINK V2与单片机 博主的只需要连接4个线即可: VDD GND SWCLK SWDIO 2.配置工程 然后打开工程,进行…