电压规格:VDSS.VDS.BVDSS.V(BR)DSS VDSS中的"V"表示电压,前面的"D"."S"表示"Drain"(漏极)与"Source"(源极),最后一个"s"表示"Short"(短路).VDSS的具体含义是"Maximum Drain-SourceVoltage Rating with Gate-Source Shorted",中文…

三极管是流控型器件,MOS管是压控型器件,两者存在相似之处.三极管机可能经常用,但MOS管你用的可能较少.对于MOS管先抛出几个问题: 如何区分P-MOS和N-MOS:   如何区分MOS的G.D.S管脚: MOS管的寄生二极管方向如何: MOS管如何导通: 带着这几个问题,再看下面的内容,你会理解的更快.更多. 原文链接:http://www.elecfans.com/d/711803.html…

三极管与MOS管都常在电路中被当做开关使用,比较起来: 1. 三极管集电极电流IC (一般为mA级别),远小于MOS管ID(一般为A级别),因此MOS管多用在大电流电路中,如电机驱动 2. 三极管耗散功率(一般为mW级别)一般也远小于MOS管耗散功率(一般为W级别) 3. 三极管死区时间及上升时间一般长于MOS管死区时间及上升时间,高速情况下多用MOS管 4. MOS管导通电阻一般较小,为mΩ级别 三极管基极串联电阻选取: 三极管集电极电流IC 为mA级别,截止电流为nA级别,因此基极串联电阻一…

MOS管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型.本文就结构构造.特点.实用电路等几个方面用工程师的话简单描述. 其结构示意图: 解释1:沟道 上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求. 解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可.因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,而p型的相反. 解释3…

区别: 1.MOS管损耗比三极管小,导通后压降理论上为0. 2.MOS管为电压驱动型,只需要给电压即可,意思是即便串入一个100K的电阻,只要电压够,MOS管还是能够导通. 3.MOS管的温度特性要比三极管好. MOS管比三极管最大的有点是所需的驱动功率小,用MOS管做电源驱动时,只需要一个驱动电压信号即可,就可以控制很大的电源电流了(几安培到几十安培),控制很方便,如果用三极管,需要几级推动电路,将控制电流逐步加大,也就是多级放大,常见的方式是达林顿电路,这样在设计电路时就很繁琐了,调试也费劲…

http://www.kiaic.com/article/detail/1308.html 场效应管种类场效应管 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET).由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.具有输入电阻高(107-1015Ω).噪声小.功耗低.动态…

Buck-Boost电路中,最低电压为其最恶劣情况 以下图为例: 注:1.Np为初级绕组匝数,Ns为次级绕组匝数: 2.Vmos为MOS最大耐压值,1为整流管压降,Vl为漏,Vl=100V,Vmos选取遵循的原则:开关关断瞬间,加在MOS上电压值为Vmos的25%(或30V)时,应留有50V的裕度. 若电路处于CCM模式,取频率为f. 1.确定初/次级匝数比 ∵Vmos=Vinmax+(Np/Ns) (Vo+1)+Vl ∴初/次级匝数比n=Np/Ns=(Vmos-Vinmax-80-100)/(…

Holtek推出e-Banking智能卡读卡器MCU——HT56RU25,继HT56RB27.HT56RB688 USB接口单片机之后,推出全新UART接口单片机.HT56RU25内建ISO7816-3接口,并整合DC/DC与LDO至单片机内,同时支持1.8V/ 3V/ 5V三种卡片电压规格,ISO7816-3可符合国际EMV 4.3与中国PBOC 3.0 Contact Level 1规范认证,可应用于各种智能卡读卡器产品.其内建的高精准度32.768kHz LXT振荡器,LXT工作时MCU低…

1.做电源设计,或者做驱动方面的电路,难免要用到MOS管.MOS管有很多种类,也有很多作用.做电源或者驱动的使用,当然就是用它的开关作用. 2.MOS管的三个极,G.S.D分别代表是什么? (1).判断栅极G MOS驱动器主要起波形整形和加强驱动的作用:假如MOS管的G信号波形不够陡峭,在点评切换阶段会造成大量电能损耗其副作用是降低电路转换效率,MOS管发烧严峻,易热损坏MOS管GS间存在一定电容,假如G信号驱动能力不够,将严峻影响波形跳变的时间. 将G-S极短路,选择万用表的R×1档,黑表笔接…

3.5 示例:Boost变换器中包含的半导体传导损耗 作为最后一个示例,让我们考虑对图3.22所示的Boost变换器中的半导体传导损耗进行建模.功率损耗的另一个主要来源是半导体器件的正向电压降引起的传导损耗.金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)或双极结型晶体管(BJT)的导通压降可以以合理建模为导通电阻\(R_{on}\).如果是二极管,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)或晶闸管,则电压源加上导通电阻会得到精度非常高的模型:如果在单个工作点对变换器建模,则可以省略导通电阻. Fig 3.22 Bo…