W25Q80BV是台湾华邦电子(Winbond)生产的8M-bit串行flash芯片.主要特性有: 工作电压:2.5 ~ 3.6 V 功耗:读写(active)时4mA,低功耗(power-down)时<1μA 容量:8M-bit/1M-byte,包含4096个页(每页大小256字节) 接口:Standard/Dual/Quad SPI,支持时钟频率最高104MHz 支持以4/32/64k-bytes为单位进行Sector/Block擦除 一次写入最多256字节 软件/硬件写保护功能 大于10万…

源:STM32F10X SPI操作flash MX25L64读写数据 前一段时间在弄SPI,之前没接触过嵌入式外围应用,就是单片机也只接触过串口通信,且也是在学校的时候了.从离开手机硬件测试岗位后,自己一直想在嵌入式方面发展,在1月4号开始自己的第二份工作后,首先接触到的是为STM32F103写SPI控制flash读写操作,现记下曾经的脚印,希望以后能少走弯路!心得:细心活! 简单的一种应用,ARM芯片作为master,flash为slaver,实现单对单通信.ARM主控芯片STM32F103,…

STM32F10X SPI操作flash MX25L64读写数据 简单的一种应用,ARM芯片作为master,flash为slaver,实现单对单通信.ARM主控芯片STM32F103,flash芯片为MACRONIX INTERNATIONAL的MX25L6465E,64Mbit. SPI应该是嵌入式外围中最简单的一种应用了吧!一般SPI应用有两种方法:软件仿真,手动模拟产生时序和应用主控芯片的SPI控制器. 一般采用第二种方法比较好,比较稳定.应用主控芯片的SPI控制器,要点:正确的初始化S…

本文主要讲解两部分内容,不做任何转发,仅个人学习记录: 一. Arduino 与 SPI 结合使用  : 二. SPI 深层理解 有价值的几个好的参考: 1. 中文版: https://blog.csdn.net/xxxxxx91116/article/details/42620413  这版本适合比较容易理解大概, 细节翻译还是要去英文版:https://www.arduino.cc/en/Tutorial/SPIEEPROM 2 .https://www.cnblogs.com/adylee…

目录 FLASH简介 W25Q64 W25Q64简介 FLASH控制指令 FLASH内部存储结构 代码讲解 读取芯片ID 发送写使能信号 等待FLASH不忙 擦除扇区 写入数据 读取数据 注 FLASH简介 FLASH俗称闪存,和EEPROM一样,都是掉电数据不丢失的非易失行存储器,但FLASH的存储容量普遍大于EEPROM,现在像如U盘.SD卡.SSD固态硬盘以及STM32芯片内部存储程序的设备都是FLASH类型的存储器.由此可见FLASH对于我们学习和工作的重要性,EEPROM可以实现单字节…

Overview SPI flash, 分为spi flash, DUAL spi flash, QUAD spi flash, 3-wire spi, 4-wire spi, 6-wire spi. 在clock一定的情况下, 理论上线数越多速度越快 NOR flash和Nand flash相比 NOR缺点: 价格贵, 容量小, 擦除块大, 擦除速度慢, NOR flash擦出寿命为100,000次, 远小于NAND flash的一百万次. NOR可以单字节编程, 也就是说一次只更新一个byt…

经过一段时间的研究终于把TMS320C6657单核和双核的SPI Nor Flash的程序烧写调通了.工具都是前辈的工作,有需要的可以留下邮箱,我有空可以发. 原理参考钱丰的<TI c66x 系列DSP 多核BOOT 的研究>论文. 通过Nor flash 烧写加载程序的全部流程:(在no-boot模式下) 一.首先讲讲工具链: hex6x 配合.rmd文件(有几个.out文件就需要几个.rmd文件,描述输出控制.引导选项.存储器选项等内容)生成片上引导加载器加载程序所需的引导表,输出文件为*…

Nor Flash是Intel在1988年推出的非易失闪存芯片,可随机读取,擦写时间长,可以擦写1~100W次,支持XIP(eXecute In Place). 本文以JS28F512M29EWH为例分析Nor Flash芯片的特性以及读.擦.写.查询等操作的具体实现原理. 1.芯片特性 1)页大小32Bytes, 块大小128KB, 写缓冲区1KB(芯片厂家决定写缓冲区大小) 2)随机或者按页读取 3)以块为单位擦除.写入(擦除之后所有位默认为1) 4)WP#引脚决定锁保护第一个块或者最后一个…

Nand flash 芯片型号为 Samsung K9F1208U0B,数据存储容量为 64MB,采用块页式存储管理.8 个 I/O 引脚充当数据.地址.命令的复用端口. 芯片内部存储布局及存储操作特点 一片 Nand flash 为一个设备(device), 其数据存储分层为: 1 设备(Device) = 4096 块(Blocks) 1 块(Block) = 32 页/行(Pages/rows)  ;页与行是相同的意思,叫法不一样 1 块(Page) = 528 字节(Bytes) = 数…

1.1 SST25VF080B简介1.1.1 主要特性 关键点:容量.速度(时钟速度.读写速度).功耗. l 容量:8MBit: l 最高SPI时钟频率:50MHz: l 低功耗模式下电流消耗:5uA,正常读模式电流:15mA:低功耗!采用不同的制造技术功耗要低很多. l 整片擦除:35ms:扇区/块擦除:18ms:字节编程:7us:整片擦除的速度要快很多! 1.2 系统框图与电路1.2.1 系统框图 关于内部存储矩阵的访问和存储结构同并行NorFlash的一致,只不过多了个串行接口,用于实现对…