通过实际测试,对TC297 Flash的一个地址空间可以重复执行写入操作(program),而不需要先对该区域所在扇区进行擦除. MPC5675K则需要在写入之前进行擦除.…

开发电子产品时,常常需要断电后保存某些数据,这就需要使用 FLASH或EEPROM芯片,这两种芯片,可擦除的次数是有限制的,通常FLASH为10万次,EEPROM要多一点,为100万甚至1000万次. FLASH的擦除不能单个字节进行,有一个最小单位,存储容量相对比较大,适合大量数据的存储:EEPROM可以单个字节进行擦除,存储容量不大,只适合存储少量的设置数据.   先以FLASH和EEPROM需要写入一个字节为例来说明新数据是如何写入的.假定都是在首地址要写入新数据0x55.不管是FLASH…

编译环境:我用的是(Keil)MDK4.7.2   stm32库版本:我用的是3.5.0一.本文不对FLASH的基础知识做详细的介绍,不懂得地方请查阅有关资料. 对STM32 内部FLASH进行编程操作,需要遵循以下流程: FLASH解锁 清除相关标志位 擦除FLASH(先擦除后写入的原因是为了工业上制作方便,即物理实现方便) 写入FLASH 锁定FLASH实例:#define FLASH_PAGE_SIZE    ((uint16_t)0x400) //如果一页为1K大小#define WRI…

最近研究了下nor flash的掉电问题,对nor的掉电有了更多的认识.总结分享如下 擦除从0变1,写入从1变0 nor flash的物理特性是,写入之前需要先进行擦除.擦除后数据为全0xFF,此时写入操作,实际上是将数据从1改成0. 一般先擦后写,但实际上擦除后每个位置是可以写入多次的,只要每次写入都是让某些bit从1变0即可. 例如在擦除后数据为0xFF,此时写入0x0F,可读出0x0F,再写入0x01,可读出0x01,再写入0x00,可读出0x00. 而对于0x00,就无法再改写成任何值了…

大家好,我是痞子衡,是正经搞技术的痞子.今天痞子衡给大家介绍的是i.MXRT下改造FlexSPI driver以AHB方式去写入NOR Flash. 痞子衡前段时间写过一篇 <串行NAND Flash的两大特性导致其在i.MXRT FlexSPI下无法XiP>,文章里介绍了 NAND Flash 的 Page Read 等待特性(发完 Read 命令后需要回读 Flash 内部状态寄存器 Busy 位来判断 Page 数据是否已准备好)导致其无法像 NOR Flash 那样通过 AHB 方式被…

STM32F4Discovery开发帮使用的STM32F407VGT6芯片,内部FLASH有1M之多.平时写的代码,烧写完之后还有大量的剩余.有效利用这剩余的FLASH能存储不少数据.因此研究了一下STM32F4读写内部FLASH的一些操作. [STM32F4 内部Flash的一些信息] STM32F407VG的内部FLASH的地址是:0x08000000,大小是0x00100000. 写FLASH的时候,如果发现写入地址的FLASH没有被擦出,数据将不会写入.FLASH的擦除操作,只能按Sec…

转自 http://m.blog.chinaunix.net/uid-30077524-id-5570244.html 文章对这几个东西讲得很清楚,值得收藏. 寄存器 寄存器是中央处理器内的组成部份.它跟CPU有关.寄存器是有限存贮容量的高速存贮部件,它们可用来暂存指令.数据和位址.在中央处理器的控制部件中,包含的寄存器有指令寄存器(IR)和程序计数器(PC).在中央处理器的算术及逻辑部件中,包含的寄存器有累加器(ACC). 存储器 存储器范围最大,它几乎涵盖了所有关于存储的范畴.你所说的寄存器…

S3C2440对Nand Flash操作和电路原理(基于K9F2G08U0A) 转载自:http://www.cnblogs.com/idle_man/archive/2010/12/23/1915303.html S3C2440内部集成了一个Nand flash控制器.S3C2440的Nand flash控制器包含了如下的特性: l        一个引导启动单元 l        Nand Flash存储器接口,支持8位或16位的每页大小为256字,512字节,1K字和2K字节的Nand f…

stm32——Flash读写 一.Flash简介 通过对stm32内部的flash的读写可以实现对stm32的编程操作. stm32的内置可编程Flash在许多场合具有十分重要的意义.如其支持ICP(In Circuit Programming,在电路编程:在线编程)特性使得开发人员对stm32可以警醒调试开发,可以通过JTAG和SWD接口对stm32进行程序烧写:支持IAP(In Application Programming,在应用中编程)使得开发人员可以在stm32运行程序的时候对其内部程…

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级.一.存储数据的原理两种闪存都是用三端器件作为存储单元,分别为源极.漏极和栅极,与场效应管的工作原理相同,主要是利用电场的效应来控制源极与漏极之间的通断,栅极的电流消耗极小,不同的是场效应管为单栅极结构,而…

我们使用的智能手机除了有一个可用的空间(如苹果8G.16G等),还有一个RAM容量,很多人都不是很清楚,为什么需要二个这样的芯片做存储呢,这就是我们下面要讲到的.这二种存储设备我们都统称为“FLASH”,FLASH是一种存储芯片,全名叫Flash EEPROM Memory,通地过程序可以修改数据,即平时所说的“闪存”.Flash又分为NAND flash和NOR flash二种.U盘和MP3里用的就是这种存储器. 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用.许多业内人士也搞不清…

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级.但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR 和NAND闪存. 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用.许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处,…

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写. ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算 机的内存.        RAM   有两大类,一种称为静态RAM(StaticRAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但 是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(…

我们使用的智能手机除了有一个可用的空间(如苹果8G.16G等),还有一个RAM容量,很多人都不是很清楚,为什么需要二个这样的芯片做存储呢,这就是我们下面要讲到的.这二种存储设备我们都统称为“FLASH”,FLASH是一种存储芯片,全名叫Flash EEPROM Memory,通地过程序可以修改数据,即平时所说的“闪存”.Flash又分为NAND flash和NOR flash二种.U盘和MP3里用的就是这种存储器. 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用.许多业内人士也搞不清…

nand flash:适合大容量数据存储,类似硬盘:nor flash:适合小容量的程序或数据存储,类似小硬盘:sdram:主要用于程序执行时的程序存储.执行或计算,类似内存. 区别:nor flash:可以直接执行指令,读取速度较快,写入不太方便,擦除速度较慢.nand flash:读取速度比nor flash略快,但写入.擦除都较快.但可靠性略低,需要做损耗平衡.数据校验等.因此:nor适合做程序存储,nand适合做大容量数据存储.二者都可以掉电保存数据/程序. sdram:掉电后数据不保存…

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级.但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存. 相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用.许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处,因…

来源:http://www.cypress.com Cypress官网,了解任何芯片都应该从它的官网入手,资料一定是最多最原始的,像Ronnie学习. Cypress’s EZ-USB® FX2LP™ (CY7C68013A/14/15/16A) is a low power, highly integrated USB 2.0 microcontroller. http://www.cypress.com/documentation/application-notes/an65209-gett…

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存.RAM 有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓 冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/…

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存. RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/D…

原文:http://hi.baidu.com/abners/item/a9042ef35d3f005bc8f337f5 一般来说这几种存储器是一个nios系统都具有的,sram的好处是接口简单,速度快容易操作,用资源也比较少:sdram的最大好处是容量大,当然速度也比较快,但是接口复杂些,也耗逻辑资源多些:flash是非易失性存储器,速度慢.SRAM.SDRAM都用于程序工作时保存临时数据和程序,因为在系统调电后,保存在其中的数据都会丢失. FLASH用于系统中保存长期的数据,如:配置信息,程序…

存储器分为两大类:ram和rom.ram就不讲了,今天主要讨论rom. rom最初不能编程,出厂什么内容就永远什么内容,不灵活.后来出现了prom,可以自己写入一次,要是写错了,只能换一片,自认倒霉.人类文明不断进步,终于出现了可多次擦除写入的EPROM,每次擦除要把芯片拿到紫外线上照一下,想一下你往单片机上下了一个程序之后发现有个地方需要加一句话,为此你要把单片机放紫外灯下照半小时,然后才能再下一次,这么折腾一天也改不了几次.历史的车轮不断前进,伟大的EEPROM出现了,拯救了一大批程序员,终…

源:http://www.cnblogs.com/bingoo/p/3551753.html FLASH和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作,EEPROM则按字节操作,二者寻址方法不同,存储单元的结构也不同,FLASH的电路结构较简单,同样容量占芯片面积较小,成本自然比EEPROM低,因而适合用作程序存储器,EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器.当然用FLASH做数据存储器也行,但操作比EEPROM麻烦的多,所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存…

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存. RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/D…

1.本节使用的nand flash型号为K9F2G08U0M,它的命令如下: 1.1我们以上图的read id(读ID)为例,它的时序图如下: 首先需要使能CE片选 1)使能CLE 2)发送0X90命令,并发出WE写脉冲 3)复位CLE,然后使能ALE 4)发送0X00地址,并发出WE写脉冲 5)设CLE和ALE为低电平 6)读出8个I/O的数据,并发出RE上升沿脉冲 (我们的nand flash为8个I/O口,所以型号为K9F2G08U0M) 1.2 nand flash 控制器介绍 在244…

概述 Flash名称的由来,Flash的擦除操作是以block块为单位的,与此相对应的是其他很多存储设备,是以bit位为最小读取/写入的单位,Flash是一次性地擦除整个块:在发送一个擦除命令后,一次性地将一个block,常见的块的大小是128KB/256KB,全部擦除为1,也就是里面的内容全部都是0xFF了,由于是一下子就擦除了,相对来说,擦除用的时间很短,可以用一闪而过来形容,所以,叫做Flash Memory.所以一般将Flash翻译为 (快速)闪存. NAND Flash 在嵌入式系统中…

1.nandflash     Nandflash是IO设备,数据.地址.控制线都是共用的,须要软件区控制读取时序, 所以不能像nor flash.内存一样随机訪问,不能EIP(片上执行).因此不能直接作为boot.     S3C2440把Bootloader烧到nand flash上启动,由于在S3C2440里有一个内置的SRAM. 叫做stepping stone(垫脚石,非常形象-).系统启动加电后, 会把nandflash上的起始4KB的内容复制到SRAM里运行,这样就实现了从nand…

                      SRAM/DRAM,PROM/EPROM/EEPROM,NOR/NAND FLASH区别 RAM / ROM 存储器 ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存. RAM 有两大类: 1) 静态RAM(Static RAM / SRAM),SRAM…

单片机运行时的数据都存在于RAM(随机存储器)中,在掉电后RAM 中的数据是无法保留的,那么怎样使数据在掉电后不丢失呢?这就需要使用EEPROM 或FLASHROM 等存储器来实现. 插播一段:ROM最初不能编程,出厂什么内容就永远什么内容,不灵活.后来出现了PROM,可以自己写入一次,要是写错了,只能换一片.随着不断改进,终于出现了可多次擦除写入的EPROM,每次擦除要把芯片拿到紫外线上照一下,想一下你往单片机上下了一个程序之后发现有个地方需要加一句话,为此你要把单片机放紫外灯下照半小时,然后…

处理器运行时要做大量的数据计算和交换,要求内存读写速度很快. NOR Flash读取快,写入慢,总线结构,能运行代码,价格贵. NAND Flash读取慢,写入快,非总线结构,不能运行代码,价格便宜. SDRAM读取和写入都很快,掉电不能保存数据,价格贵. 1.SDRAM+NAND Flash 是因为SDRAM快,NAND Flash便宜,现在最好的搭配. 2.NOR Flash + NAND Flash NOR Flash写入慢,NAND Flash便宜. 3.SDRAM + NOR Flas…

ROM(Read Only Memory)和RAM(Random Access Memory)指的都是半导体存储器.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,但是访问速度快.典型的RAM就是计算机的内存. RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备,但是也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM),D…