SDRAM知识普及 在学习SDRAM之前,必须先了解"SDRAM"这个概念性的东西,并有感性的认识转变到一种理性的认识,所谓理性的认识就是实质性的东西…….不多说,相信你已经迫不急待了.那我们就开始了. 初识SDRAM SDRAM的全称是:Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步动态随机存储器,同步是指 Memory工作需要同步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准:动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失:随机是指数据不是线…

一． 介绍 存储器的最初结构为线性,它在任何时刻,地址线中都只能有一位有效.设容量为N×M的存储器有S0-Sn-1条地址线:当容量增大时,地址选择线的条数也要线性增多,利用地址译码虽然可有效地减少地址选择线的条数,但这种存储器的长宽比太大,显然,这在工业上是无法实现的.而且由于连线的延时与连线的长度成正比,这样的设计会使存储器的存取速度很慢.为了解决这个问题,现在常用的存储器都是将存储单元设计成阵列形状,使其长宽比接近1:1.这样,电路就必须增加一个列地址译码器,才能选出正确的存储单元.这样,整…

实验十八:SDRAM模块① — 单字读写 笔者与SDRAM有段不短的孽缘,它作为冤魂日夜不断纠缠笔者.笔者尝试过许多方法将其退散,不过屡试屡败的笔者,最终心情像橘子一样橙.<整合篇>之际,笔者曾经大战几回儿,不过内容都是点到即止.最近它破蛊而出,日夜不停:“好~痛苦!好~痛苦!”地呻吟着,吓得笔者不敢半夜如厕.疯狂之下,誓要歪它不可 ... 可恶的东西,笔者要它血债血还! 图18.1 数据读取(理想时序左,物理时序右). 首先,让我们来了解一下,什么才是数据读取的最佳状态?如图18.1所示,红…

实验十九:SDRAM模块② — 多字读写 表示19.1 Mode Register的内容. Mode Register A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 0 0 OP Code 0 0 CAS Latency BT Burst Length A3 Burst Type 0 Sequential 1 Interleave   Burst Length A2 A1 A0 A3 = 0 A3 = 1 0 0 0 1 1 0 0 1 2 2 0 1 0…

实验二十:SDRAM模块③ — 页读写 α 完成单字读写与多字读写以后,接下来我们要实验页读写.丑话当前,实验二十的页读写只是实验性质的东西,其中不存在任何实用价值,笔者希望读者可以把它当成页读写的热身运动. 表示20.1 Mode Register的内容. Mode Register A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 0 0 OP Code 0 0 CAS Latency BT Burst Length A3 Burst Type 0 Sequ…

简介 一本为入门图像处理的入门书,另外还教你徒手搭建平台(片上系统),内容请看目录. 注意 为了达到最好的实验的结果,请准备以下硬件. AX301开发板, OV7670摄像模块, VGA接口显示器, 7" 液晶显示器(可选). 开明的心,顽强的毅力,不言败的精神. 贴士 这本教程难度略高,综合能力不好的朋友请先用<概念篇>与<驱动篇I>垫底. 目录 Experiment 01:SDRAM基础模块 - 基础原理 Experiment 02:SDRAM基础模块 - 图像储存模…

2015.4.8星期三 晴天 今天老师讲的内容是内核编写led和pwm驱动,实现花样灯和放歌的功能.理解应用和驱动的对接,最后自己实现了在放歌的时候根据歌曲的节奏亮灭一个小灯,应为两个独立的驱动都已经写好,想要组合其实很简单,只要在主调函数里面打开两个驱动的设备节点,分别进行操作并有机的组合在一起就行了.最后老师复习了中断的一些基础知识,总结一下: 异常处理:当异常发送时:nand flash 拷贝到sdram中运行,这是和nor flash 的区别之一 1.拷贝cpsr到spsr2.设置适当的…

一:SDRAM SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory),同步动态随机存储器,同步是指 Memory工作需要同步时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准:动态是指需要不断的刷新来保证数据不丢失:随机是指数据不是线性依次存储,而是自由指定地址进行数据读写. SDRAM的一些参数: (1)容量.SDRAM的容量经常用XX存储单元×X体×每个存储单元的位数来表示.例如某SDRAM芯片的容量为4M×4×8bit,表明该存储器芯片的容量为16 M…

1.SDRAM单管存储单元 SDRAM单管电路图 C记忆单元 T控制门管 Z字线 W位线 注:图示为N沟道耗尽型MOS管 写入:Z加高电平,MOS导通,W状态决定了电容C的状态 读出:Z加高电平,MOS导通,可以从W状态得知C的状态 保持:Z加低电平,MOS关闭,电容保持原状态 注意:单管读出是破坏性读出,因为读出时电容充电或者放电了,所以读出后还要重写 2.      刷新与重写  ●  刷新是每隔一段时间,自动重写一次:重写是破坏性读出后立即还原 最大刷新间隔:所有的动态单元都被重新刷一遍的…

转自:http://www.360doc.com/content/14/0116/16/15528092_345730642.shtml 以及参考网络. 首先,我们先了解一下内存的大体结构工作流程,这样会比较容量理解这些参数在其中所起到的作用. 这部分的讲述运用DDR3的简化时序图.DDR3的内部是一个存储阵列,将数据“填”进去,你可以它想象成一张表格. 和表格的检索原理一样,先指定一个行(Row),再指定一个列(Column),我们就可以准确地找到所需要的单元格, 这就是内存芯片寻址的基本原理…