NAND FLASH 原理 http://www.360doc.com/content/12/0522/21/21412_212888167.shtml 闪存保存数据的原理: 与DRAM以电容作为存储元件不同,闪存的存储单元为三端器件,与场效应管有相同的名称:源极.漏极和栅极.栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层,用 来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏.采用这种结构,使得存储单元具有了电荷保持能力,就像是装进瓶子里的水,当你倒入水后,水位就一直保持在那里,直到你再 次倒入或倒出,所以闪存具有记忆能力.…

NAND FLASH  优势 : 可以用当硬盘   这里好像型号是 K9F2G08 基本结构: 不是很难自己看看,暂时不要看…

区别:http://zhidao.baidu.com/question/1068445.html?qbl=relate_question_0&word=Serial%20Flash%20%D3%EBNand%C7%F8%B1%F0 Nand Flash原理:http://blog.chinaunix.net/uid-22731254-id-3622773.html…

转自:http://www.cnblogs.com/lifan3a/articles/4958224.html 以Micron公司的MT29F2G08为例介绍NAND Flash原理和使用. 1． 概述 MT29F2G08使用一个高度复用的8-bit总线(I/O[7:0])来传输数据.地址.指令.5个命令脚(CLE.ALE.CE#.WE#)实现NAND命令总线接口规程.3个附加的脚用作: 控制硬件写保护(WP#).监视芯片状态(R/B#),和发起上电自动读特征(PRE-仅3V芯片支持).注意,…

NAND Flash 以Micron公司的MT29F2G08为例介绍NAND Flash原理和使用. 1． 概述 MT29F2G08使用一个高度复用的8-bit总线(I/O[7:0])来数据传输.地址.指令.5个命令脚(CLE.ALE.CE#.WE#)实现NAND命令总线接口规程.3个附加的脚用作: 控制硬件写保护(WP#).监视芯片状态(R/B#),和发起上电自己主动读特征(PRE-仅3V芯片支持).注意, PRE功能不支持宽温芯片. MT29F2G08内部有2048个可擦除的块,每一个块分为…

S3C2440对Nand Flash操作和电路原理(基于K9F2G08U0A) 转载自:http://www.cnblogs.com/idle_man/archive/2010/12/23/1915303.html S3C2440内部集成了一个Nand flash控制器.S3C2440的Nand flash控制器包含了如下的特性: l        一个引导启动单元 l        Nand Flash存储器接口,支持8位或16位的每页大小为256字,512字节,1K字和2K字节的Nand f…

     本篇文章主要介绍ECC基本原理以及在Nand Flash中的应用,本文记录自己对ECC校验原理的理解和学习. ECC介绍      ECC,全称为Error Correcting Code,错误纠正码,这是一种编码方式,用于在于可以在一定程度上自行发现和纠正传输过程中发生的错误.      香农在1948年发表的<通信的数学理论>中的信道编码定理指出:主要采取适当的纠错码,就可以在多类信道上传输消息,其误码率可以任意小.经过历代人们的持续努力,找出了许多好的信道编码方法,满足许多实用…

ECC简介 由于NAND Flash的工艺不能保证NAND的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠,因此,在NAND的生产中及使用过程中会产生坏块.为了检测数据的可靠性,在应用NAND Flash的系统中一般都会采用一定的坏区管理策略,而管理坏区的前提是能比较可靠的进行坏区检测. 如果操作时序和电路稳定性不存在问题的话,NAND Flash出错的时候一般不会造成整个Block或是Page不能读取或是全部出错,而是整个Page(例如512Bytes)中只有一个或几个bit出错. 对数…

对 Nand Flash 存储芯片进行操作, 必须通过 Nand Flash 控制器的专用寄存器才能完成.所以,不能对 Nand Flash 进行总线操作.而 Nand Flash 的写操作也必须块方式进行.对 Nand Flash 的读操作可以按字节读取.   Nand Flash 控制器特性 1. 支持对 Nand Flash 芯片的读.检验.编程控制 2. 如果支持从 Nand Flash 启动, 在每次重启后自动将前 Nand Flash 的前 4KB 数据搬运到 ARM 的内部 RAM…

Nand flash 芯片型号为 Samsung K9F1208U0B,数据存储容量为 64MB,采用块页式存储管理.8 个 I/O 引脚充当数据.地址.命令的复用端口. 芯片内部存储布局及存储操作特点 一片 Nand flash 为一个设备(device), 其数据存储分层为: 1 设备(Device) = 4096 块(Blocks) 1 块(Block) = 32 页/行(Pages/rows)  ;页与行是相同的意思,叫法不一样 1 块(Page) = 528 字节(Bytes) = 数…