背景 1.2012年左右的数据SLC.MLC.TLC闪存芯片的区别:SLC = Single-Level Cell ,即1bit/cell,速度快寿命长,价格超贵(约MLC 3倍以上的价格),约10万次擦写寿命MLC = Multi-Level Cell,即2bit/cell,速度一般寿命一般,价格一般,约3000---10000次擦写寿命(2003)TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell,也有Flash厂家叫8LC,速度慢寿命短,价格便宜,约500次擦写寿命,目…

MDK开发环境从V4升级到V5后,支持包不再是集成到开发环境当中,而是封装在PACK中,需要自行安装,比较麻烦. 搭建MDK开发环境以及破解的方法,在前面的文章中有详细说明,这里不再赘述,有兴趣的可以参考:http://www.cnblogs.com/huanzxj/p/6200928.html 搭建好开发环境,在编译完代码需要下载的时候,需要选择下载算法:add flash programming algorithm,这时候可能会遇到本文锁讲述的问题,找不到与你使用的MCU 对应资源的软件算法…

本文转载自:http://www.yfrobot.com/thread-11763-1-1.html 最近安装了KEIL5,在使用KEIL5和JLIN实现在线调试功能时,一定会在Utilities选项卡里面设置下载时目标编程器,设置为J-LINK/J-TRACE Cortex,并点后面的Settings,来添加合适的器件,当我打开后发现,“Programming Algorithm”中无对应器件没有我想要的,我用的是STM32F103RBT6.<ignore_js_op> 56,1.png (…

转自:https://blog.csdn.net/fc34235/article/details/79584758 转载自:http://diy.pconline.com.cn/750/7501340.html 从前,大家谈TLC色变:如今,TLC攻占SSD半壁江山.是的,这个世界就是这么奇妙. 虽然TLC早已占据主流地位,但传言多了.百度多了,不少消费者还是抱有“怕”的态度,下面我们就来详细了解TLC. TLC是什么? 固态硬盘就是靠NAND Flash闪存芯片存储数据的,这点类似于我们常见的…

动态规划(Dynamic Programming)是求解决策过程(decision process)最优化的数学方法.它的名字和动态没有关系,是Richard Bellman为了唬人而取的. 动态规划主要用于解决包含重叠子问题的最优化问题,其基本策略是将原问题分解为相似的子问题,通过求解并保存重复子问题的解,然后逐步合并成为原问题的解.动态规划的关键是用记忆法储存重复问题的答案,避免重复求解,以空间换取时间. 用动态规划解决的经典问题有:最短路径(shortest path),0-1背包问题(K…

今天学习动态规划01背包问题,从一篇非常不错的文章中学习甚多.转载于此,感谢作者的分享! 原文地址 通过金矿模型介绍动态规划 对于动态规划,每个刚接触的人都需要一段时间来理解,特别是第一次接触的时候总是想不通为什么这种方法可行,这篇文章就是为了帮助大家理解动态规划,并通过讲解基本的01背包问题来引导读者如何去思考动态规划.本文力求通俗易懂,无异性,不让读者感到迷惑,引导读者去思考,所以如果你在阅读中发现有不通顺的地方,让你产生错误理解的地方,让你难得读懂的地方,请跟贴指出,谢谢! ----第一节…

转自:https://blog.csdn.net/qq_39560607/article/details/81714145 版权声明:请注明转载自Christa_RJ https://blog.csdn.net/qq_39560607/article/details/81714145NAND-Flash 的存储原理 固态硬盘最小单元的基本架构如下: 我们知道计算机中所有的信息储存最终都必须回归到 0与1,原则上,只要存储单元能提供两种或两种以上可供辨识的状态,便可以拿来纪录数据. (1)写入数据…

NAND-Flash 的存储原理 固态硬盘最小单元的基本架构如下: 我们知道计算机中所有的信息储存最终都必须回归到 0与1,原则上,只要存储单元能提供两种或两种以上可供辨识的状态,便可以拿来纪录数据. (1)写入数据 在 NAND-Flash 中,当我们需要写入数据时,会在图中的控制闸(Control Gate)施加高电压,然后允许源极(Source)与汲极(Drain)间的 N信道(N-Channel)流入电子,等到电流够强,电子获得足够能量时,便会越过浮置闸(Floating Gate)底下…

Samsung  K9F1G08U0D,数据存储容量为128M,采用块页式存储管理.8个I/O引脚充当数据.地址.命令的复用端口.详细:http://www.linux-mtd.infradead.org/nand-data/nanddata.html 芯片内部存储布局及存储操作特点: 一片Nand flash为一个设备(device),其数据存储分层为: 1(device)= 1024(blocks) 1(block)= 64(pages) 1  (page) = (数据块大小)2048 + …

最近一直在看大家在讨论sandisk,pny,金士顿等大厂都开始用tlc的芯片问题,让大家基本都不敢用U盘存数据了按照之前的擦写参数TLC        1000次MLC       10000次SLC        4万-10万次(这个也是前几天看论坛才知道不同制程的slc擦写次数不一样)注明是擦写意思就是你把里面东西删除了再存上一次才算一次擦写,只读取里面文件的不算假设你一天需要3次擦写那么全新的TLC可以用到2014年全新的mlc可以用到2041年全新的slc可以给你的孙子的孙子了大家现在…