Atitit  3种类型的公司:运营驱动型:产品驱动型: 技术驱动型. 领导驱动,产品驱动,运营驱动还是工程师驱动 3种类型的公司: 一种是运营驱动型: 一种是产品驱动型: 一种技术驱动型. 运营驱动型基本上是运营和销售.运营不是运营你的产品也不是运营你的业务,是运营人.运营用户.产品驱动型专注于产品的提升,用户的体验.技术驱动型,通过技术支撑大规模的运营.技术是为了支撑用户的体验,技术驱动系统更不用说,技术就是核心. 运营驱动最大的问题是没有安全感的,这也是为什么阿里巴巴要跟苏宁绑在一块.阿里…

5.3 Boost变换器实例 作为第二个示例,考虑图5.12的Boost变换器.让我们来确定不同模式的边界并且求解DCM下的电压变换比.此前在2.3节中分析了在CCM工作的Boost变换器的特性,并确定了电感电流直流分量\(I\)和纹波峰值幅度\(\Delta i_{L}\)的表达式. Fig 5.12 Boost converter example 当二极管导通时,其电流等于电感电流\(i_{L}(t)\),从图2.18可以看出,电感电流的最小值在二极管导通间隔期间,\(DT_{s}<t<T…

MIPI联盟,即移动产业处理器接口(Mobile Industry Processor Interface 简称MIPI)联盟.MIPI(移动产业处理器接口)是MIPI联盟发起的为移动应用处理器制定的开放标准和一个规范.是2003年由ARM,TI,ST,Nokia等公司成立的联盟.MIPI协议被广泛应用于各种嵌入式图像设备中,如智能手机,VR,智能可穿戴设备等-- MIPI包括两类协议规范: 1.DSI:Display Serial Interface,主机处理器与显示模块之间的高速串行接口(显…

原文地址点击这里: LVDS(Low-Voltage Differential Signaling ,低电压差分信号)是美国国家半导体(National Semiconductor, NS,现TI)于1994年提出的一种信号传输模式的电平标准,它采用极低的电压摆幅高速差动传输数据,可以实现点对点或一点对多点的连接,具有低功耗.低误码率.低串扰和低辐射等优点,已经被广泛应用于串行高速数据通讯场合当中. LVDS技术规范有两个标准,即TIA(电讯工业联盟)/EIA(电子工业联盟)的ANSI/TIA/…

区别: 1.MOS管损耗比三极管小,导通后压降理论上为0. 2.MOS管为电压驱动型,只需要给电压即可,意思是即便串入一个100K的电阻,只要电压够,MOS管还是能够导通. 3.MOS管的温度特性要比三极管好. MOS管比三极管最大的有点是所需的驱动功率小,用MOS管做电源驱动时,只需要一个驱动电压信号即可,就可以控制很大的电源电流了(几安培到几十安培),控制很方便,如果用三极管,需要几级推动电路,将控制电流逐步加大,也就是多级放大,常见的方式是达林顿电路,这样在设计电路时就很繁琐了,调试也费劲…

4.2 功率半导体器件概述 功率半导体设计中最根本的挑战是获得高击穿电压,同时保持低正向压降和导通电阻.一个密切相关的问题是高压低导通电阻器件的开关时间更长.击穿电压,导通电阻和开关时间之间的折衷是各种功率器件的关键区别特征. 反向偏置的PN结及其相关的耗尽区的击穿电压是掺杂程度的函数:在PN结的至少一侧的材料中,获得高击穿电压需要低掺杂浓度,从而导致高电阻率.该高电阻率区域通常是设备导通电阻的主要贡献者,因此高压设备必定具有比低压设备更高的导通电阻.在多数载流子元件(单极型器件)中(包括MOS…

3.5 示例:Boost变换器中包含的半导体传导损耗 作为最后一个示例,让我们考虑对图3.22所示的Boost变换器中的半导体传导损耗进行建模.功率损耗的另一个主要来源是半导体器件的正向电压降引起的传导损耗.金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)或双极结型晶体管(BJT)的导通压降可以以合理建模为导通电阻\(R_{on}\).如果是二极管,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)或晶闸管,则电压源加上导通电阻会得到精度非常高的模型:如果在单个工作点对变换器建模,则可以省略导通电阻. Fig 3.22 Bo…

4 开关实现 在前面的章节中我们已经看到,可以使用晶体管,二极管来作为Buck,Boost和其他一些DC-DC变换器的开关元件.也许有人会想为什么会这样,以及通常如何实现半导体的开关.这些都是值得被提出的问题,开关的实现可能取决于所执行电源处理的功能.逆变器与Cycloconverter相比这些DC-DC变换器的开关需要更为复杂的实现.同样,实现半导体开关的方式可以通过上一章的理想开关分析所无法预测的方式来改变变换器的性能,例如下一章将会介绍不连续导电模式.本章的主题是使用晶体管和二极管实现开关…

下面介绍一种用单片机AD采样的方式检测市电电压的方法  要检测交流市电的电压,通常有两种方法 一.通过频繁的采样后再求平均值来获得实际电压值 二.通过采样交流市电的峰值,再通过算法得出实际电压值 这里我们讲述峰值采样法的步骤: 1.在正半波时,频繁采样市电AD值,在每次采样后进行 从小到大排序并保存几个最大值的结果,分别放在R_SaveVolAC[0]..R_SaveVolAC[3] 2.在负半波时,把刚才所采样到的几个值中,提取R_SaveVolAC[1]的值作为 上个正半波的的最大值.(R_…

在使用STM32的ADC进行检测电压时必须回涉及到电压值的计算,为了更高效率的获取电压,现在有以下三种方法: 你得到的结果是你当前AD引脚上的电压值相对于3.3V和4096转换成的数字.假如你得到的AD结果是ADC_DR这个变量,他们存在以下关系: ADC_DR/当前电压值 = 4096/3300毫伏如果你反过程想得到当前电压值,可以如下计算:unsigned long Voltage;Voltage = ADC_DR; //---假设你得到的AD结果存放到ADC_DR这个变量中;Voltage…