作者:   来源:电源网 关键字:MOSFET 结构 开关 驱动电路 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的. 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创.包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路. 1,MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以…
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MCU(Micro Control Unit)中文名称为微控制单元,又称单片微型计算机(Single Chip Microcomputer)或者单片机,是指随着大规模集成电路的出现及其发展,将计算机的CPU.RAM.ROM.定时计数器和多种I/O接口集成在一片芯片上,形成芯片级的计算机,为不同的应用场合做不同组合控制.今天小编就为各位盘点一下中国的十大MCU企业! 1 瑞萨电子(中国)有限公司 2 飞思卡尔半导体(中国)有限公司 3 中颖电子股份有限公司 4 盛群半导体股份有限公司 5 炬力集成…
锂电池常规的供电电压范围是3V-4.2V之间,标称电压是3.7V.锂电池具有宽供电电压范围,需要进行降压或者升压到固定电压值,进行恒压输出,同时根据输出功率的不同,(输出功率=输出电压乘以输出电流).不同的输出电流大小,合适很佳的芯片电路也是不同. 1, 锂电池升降压固定3.3V输出,电流150MA,外围仅3个电容 2, 锂电池升压固定5V输出,外围仅3个电容 3, 锂电池DC-DC升降压芯片,输出1-2A 4, 锂电池升压5V 600MA,8uA低功耗 5, 锂电池升压到5V,8.4V,9V…
PW5300是电流模式升压DC-DC转换器.其内置0.2Ω功率MOSFET的PWM电路使该稳压器具有效高的功率效率.内部补偿网络还可以程度地减少了6个外部元件的数量.误差放大器的同相输入接到0.6V精密基准电压,内部软启动功能可以减低浪涌电流. PW5300采用SOT23-6L封装,为应用提供节省空间的PCB. 特征 可调输出MAX达12V 内部固定PWM频率: 1.0MHz Precision Feedback Reference Voltage:0.6V (±2 ) 内部0.2Ω, 2.5安…
锂离子电池在如今是广泛应用存在我们生活中的方方面面的电子产品中.如,电子玩具,美容仪,医疗产品,智能手表,手机,笔记本,电动汽车等等非常多. 锂电池3.7V升压到5V,3.7V转5V稳压输出的电子产品电路设计,由于锂电池的供电范围是3V-4.2V之间,无法持续提高恒定的电压输出,给到后级电路供电,保障稳定性. 3.7V升压5V的电源管理电路方式有七种: 1,升压类型,小电流250MA类型 2,升压类型,低功耗8uA,600MA类型 3,升压类型,升压可达12V,1.2A类型 4,升压类型,升压可…
4.2 功率半导体器件概述 功率半导体设计中最根本的挑战是获得高击穿电压,同时保持低正向压降和导通电阻.一个密切相关的问题是高压低导通电阻器件的开关时间更长.击穿电压,导通电阻和开关时间之间的折衷是各种功率器件的关键区别特征. 反向偏置的PN结及其相关的耗尽区的击穿电压是掺杂程度的函数:在PN结的至少一侧的材料中,获得高击穿电压需要低掺杂浓度,从而导致高电阻率.该高电阻率区域通常是设备导通电阻的主要贡献者,因此高压设备必定具有比低压设备更高的导通电阻.在多数载流子元件(单极型器件)中(包括MOS…
基于4H-SIC的先进集成电路用n型LDMOS晶体管 摘要: 通过对具有不同的设计方式的具有减小的表面电场的横向4H-SIC-N型-横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管进行测量和模拟,得到了得出了不同的设计情况下集成电路中的电气行为.在p型参杂的外延层中制作一个额外n型区域从而形成漂移区,这促进了减小表面电场并因此增强了击穿能力.已有功率MOSFET的设计规则可与现有的20伏特4H-SIC的CMOS工艺技术兼容.额外植入的减小表面电场区域在深度大约为390纳米处为3.5×1012cm2.…
BOOST升压电路中:      电感的作用:是将电能和磁场能相互转换的能量转换器件,当MOS开关管闭合后,电感将电能转换为磁场能储存起来,当MOS断开后电感将储存的磁场能转换为电场能,且这个能量在和输入电源电压叠加后通过二极管和电容的滤波后得到平滑的直流电压提供给负载,由于这个电压是输入电源电压和电感的磁砀能转换为电能的叠加后形成的,所以输出电压高于输入电压,既升压过程的完成:     肖特基二极管主要起隔离作用,即在MOS开关管闭合时,肖特基二极管的正极电压比负极电压低,此时二极管反偏截止,…
说明:本介绍包含了\capture\library\pspice和capture\library\pspice\advanls目录下所有库,但由于作者水平有限,介绍得也比较简单,有些说明可能不一定对.请高手指正.谢谢! 1.1_SHOT              : 10个杂项器件,其中有54,74,CD的2.7400~74S            : 74系列的器件3.AA_IGBT             : IGBT是强电流.高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET4.AA_MISC…