PN结加正向电压 当PN结外加正向电压时,外电场将多数载流子推向空间电荷区,使其变窄,削弱了内电场,破坏了原来的平衡,使扩散运动加剧,PN结导通.PN结的压降只有零点几付,所以在其回路里应串联一个电阻. PN结加反向电压 当PN结加反向电压时,外电场使空间电荷区变宽,加强了内电场,阻止了扩散运动的进行,而加剧了漂移运动的进行,形成反向电流.但其电流很小,可忽略不计.这是PN结处于截止状态. PN结的电流方程      其中Ut=26mV,Is为反向饱和电流.     反向击穿又分为齐纳击穿和雪崩…

P型半导体 在纯净的硅晶体中掺入3价元素如硼,使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了P型半导体.在P型半导体中,空穴为多字,自由电子为少子,主要靠空穴导电.掺入的杂质越多,空穴的浓度就越大,导电性就越强. N型半导体 在纯净的硅晶体中掺入5价元素如磷, 使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体.在N 型半导体中,自由电子的浓度大于空穴的浓度,故自由电子为多子,空穴为少子.如下图: PN结的形成 把N型和P型半导体制作在一起时,必定存在扩散运动.N区的自由电子向P区扩散,P区空穴向N区扩散.由…

理论基础:导体是内部具有较多可以自由移动的电荷的物体. 绝缘体是内部没有或者有很少可以自由移动的电荷的物体. +代表空穴带正电 -代表电子带负电 两竖线之间表示无自由移动电子或空穴部分,相当于绝缘体 没加电压时:P ++| |-- N 当P加低电压N加高电压时,空穴会被P区的外加电压带负电荷的电极向左吸引,电子会被向右吸引.同时空穴会被N区电极向左排斥,电子会被P区电极向右排斥.又因为PN之间自由移动的空穴和电子是有限的数量. 于是形成:P +| |- N  绝缘体部分变的更宽了,外加电压越大,…

电场方向 电场方向和正电荷受力方向相同 飘移运动和扩散运动 多子和电场方向互相抵制,而多子是扩散运动,而对少子则是促进作用,当扩散和漂移达到动态平衡时,我们称PN结形成 PN结特性 单项导电性…

https://www.zhihu.com/question/60053574/answer/174137061 我理解的半导体 pn 结的原理,哪里错了? https://blog.csdn.net/cyousui/article/details/78509792 PN结的形成原理…

可能大家在使用半导体器件的时候只是在使用它的电气属性,并没有很好的关心下它是什么原因才有了这样的电气属性,那么我们本篇就从物理结构分析下PN结吧. 首先看一张比较陈旧的图图: (就按自己的笔记简单谈谈自己的理解吧,不到之处请各位积极留言啊) 1.怎样选取母体(基片) ? 答:我们在选取衬底时首先选取电中性的,在元素周期表中,外部电子数目处于4(C,Si,Ge,Sn,Pb)的为金属和非金属之间,称为半导体,元素属性教稳定. 对于为什么选Si,Ge,而不是其他的,原因可能是,Si,Ge资源多,获取成…

0.小叙闲言 前面已经写了两篇介绍放大器应用和MOSFET作驱动的文章:常规放大电路和差分放大电路和MOSFET使用与H桥驱动问题.但是对它们的工作原理并没有进一步研究一下,今天写下这篇文章,主要是介绍二极管的工作原理,为后面的三极管和MOSFET工作原理的理解打下基础,然后,应该能理解放大器的工作原理,最后也就也能解决上两篇文章提出的问题了. 1.PN结形成 P(Positive)型和N(Negative)型可根据它们的载流子(载流子说得比较学术,其实就是导体里面能流动的带电粒子,为电子或者是…

回到目录 1.   掺杂半导体 上面我们分析了本征半导体的导电情况,但由于本征半导体的导电能力很低,没什么太大用处.所以,一般我们会对本征半导体材料进行掺杂,即使只添加了千分之一的杂质,也足以改变半导体材料的导电特性.通过加入不同特性的掺杂的元素,可以做出两种不同性质的半导体材料:n型半导体材料和 p型半导体材料,下面分别予以介绍. (1) n型半导体 n型半导体材料是通过对本征半导体掺入有5个价电子的元素得到的,常见的5价元素有:锑(Sb).砷(As).磷(P),下面以锑作为掺杂元素.硅作为本…

<学渣的电子技术自学笔记>--二极管的工作频率与PN结结面积的关系 书本原文 :按结构分,二极管有点接触型.面接触型和平面型三类.点接触型二极管(一般为锗管)的PN结结面积很小(结电容小),因此不能通过较大电流,但其高频性能好,故一般适用于高频和小功率的工作,也用作数字电路中的开关元件.面接触型二极管(一般为硅管)的PN结结面积大(结电容大),故可通过较大电流,但其工作频率较低,一般用作整流.平面型二极管可用作大功率整流管和数字电路中的开关管.   二极管 a)符号:b)点接触型:c)面接触型…

摘自:https://blog.csdn.net/CPJ_phone/article/details/40979027                                                                                                                     2018-07-29         13:06:21 1.怎样选取母体(基片) ? 答:我们在选取衬底时首先选取电中性的,在元素周期表中,外部电子…

本文转载自:@manxisuo的<通过一张简单的图,让你彻底地.永久地搞懂JS的==运算>. 大家知道,==是JavaScript中比较复杂的一个运算符.它的运算规则奇怪,容让人犯错,从而成为JavaScript中"最糟糕的特性"之一. 在仔细阅读了ECMAScript规范的基础上,我画了一张图,我想通过它你会彻底地搞清楚关于==的一切.同时,我也试图通过此文向大家证明==并 不是那么糟糕的东西,它很容易掌握,甚至看起来很合理. 先上图: 图1 == 运算规则的精确描述在此…

整定电流: 整定: 调整, 确定, 是指某一物理量,到达某个一个设定值时, 设备开始动作. 主要是指电路中的一些起 保护作用的 继电器, 如: 电机, 控制电路中的 过电流继电器, 的整定值. 如空气开关的整定值等等. 额定电流则不同, 它是指设备长时间工作时, 稳定情况下, 可以通过的电流. 电阻的类型: 工艺过程: 都是 在 细小的 陶瓷棒 上, 在 真空状态下, 通过 噴涂喷涂的方式, "镀上"一层薄膜, 然后外面加上一般是环氧树脂 保护层, 然后加工成 螺旋状, 连出引脚而成的…

博客之旅: 刚刚申请了博客,感觉非常兴奋,整个人都变得有精神了. 想来几个月之前看到奇奇申了博客,在上面写文章,写各种解题报告,心里就好羡慕,好希望将来有一天,也能有一个属于自己的博客.由于之前课业压力较大,没有充裕的时间,自己水平也不够,就算有了博客也会被我空置,便迟迟没有开始. 感谢奇奇和新蜂的小伙伴们,让我收获了成长与自信,现在,属于我的一片小天地终于诞生了! 大学生活: 最近又到期中考试了,不得不拾起搁置已久的课内学习.虽说大学的考试,不挂就行,可是,要达到这个标准,也需要付出相当多的时…

电子设备中使用着大量各种类型的电子元器件,设备发生故障大多是由于电子元器件失效或损坏引起的.因此怎么正确检测电子元器件就显得尤其重要,这也是电子维修人员必须掌握的技能.我在电器维修中积累了部分常见电子元器件检测经验和技巧,供大家参考. 1．测整流电桥各脚的极性 万用表置R×1k挡,黑表笔接桥堆的任意引脚,红表笔先后测其余三只脚,如果读数均为无穷大,则黑表笔所接为桥堆的输出正极,如果读数为4-10kΩ,则黑表笔所接引脚为桥堆的输出负极,其余的两引脚为桥堆的交流输入端. 使用数字万用表时只需将档位打…

面包板入门电子制作(class1)套件(30集高清) 本套件以电子制作中最基础的元器件在面包板上搭建电路,用启发性的视频教学方式,使学习者熟悉电子电路基础.发挥想像力.在创新设计和制作中学会独立设计和思考. 适合0基础的电子制作爱好者.中小学生的兴趣入门.希望在电子电路上有所创新的爱好者.学完后可以达到独立设计电路.熟悉电路特性和原理.有一定动手制作能力.具有探索精神.可独立思考和实验,为以后的复杂电子电路学习和嵌入式系统硬件电路设计打下基础. 全套视频购买,只要￥2,赶快来淘宝购买吧. htt…

tvs管器件按极性可分为单极性和双极性两种,即单向tvs管和双向tvs管.    单向tvs管保护器件仅能对正脉冲或者负脉冲进行防护,而双向tvs管保护器件一端接要保护的线路,一端接地,无论来自反向还是来自正向的ESD脉冲均被释放,更有效地保护了IC.     单向TVS管的正向特性与普通稳压二极管相同,反向击穿拐点处近似“直角”的硬击穿为典型的PN结雪崩.当有瞬时过压脉冲时,器件的电流急骤增加而反向电压则上升到箝位电压值,并保持在这一水平上.    双向TVS管的V-I特性曲线如同两只单向TV…

C51常用的数据类型 数据类型 关键字 所占位数 表示数范围 无符号字符型 unsigned char 8 0~255 有符号字符型 char 8 -128~127 无符号整型 unsigned int 16 0~65535 有符号整型 int 16 -32768~32767 无符号长整型 unsigned long 32 0~2^32-1 有符号长整型 long 32 -2^31~2^31-1 单精度实型 float 32 3.4e-38~3.4e38 双精度实型 double 64 1.7e…

磁珠专用于抑制信号线.电源线上的高频噪声和尖峰干扰,还具有吸收静电脉冲的能力.磁珠是用来吸收超高频信号,像一些RF电路,PLL,振荡电路,含超高频存储器电路(DDR SDRAM,RAMBUS等)都需要在电源输入部分加磁珠,而电感是一种蓄能元件,用在LC振荡电路,中低频的滤波电路等,其应用频率范围很少超过50MHZ.   磁珠的功能主要是消除存在于传输线结构(电路)中的RF噪声,RF能量是叠加在直流传输电平上的交流正弦波成分,直流成分是需要的有用信号,而射频RF能量却是无用的电磁干扰沿着线路传输和…

二极管是大家熟悉的元件,但瞬态抑制二极管就可能不太熟悉了.本文将介绍这种特殊二极管的用途. 工作原理等基本知识.各种电子设备中的各种半导体器件,一般都在直流低电压范围各作;如果在电源中串入一个瞬间上百伏甚室上千伏的高电压脉冲,就有可能将电路中的半导体器件击穿.例如,人体往往带有静电.放电时的电压脉冲可达几百状到上千伏.瞬态抑制二极管可用来保护电路,不使这种瞬态高压脉冲损坏半导体器件. 从稳压二极管说起 稳压二极管是大家比较熟悉的器件,其基本工作电路如图1所示.VIN是输入电压,R 是限流电阻.…

1. 瞬态抑制二极管简称TVS (Transient Voltage Suppressor ),TVS的电气特性由P-N结面积,参杂浓度及晶片阻质决定的.其耐突波电流的能力与其P-N结面积成正比. 特点:反映速度快(为pS级),体积小,箝位电压低,可靠性高.10/1000μs波脉冲功率从400W-30000W,脉冲峰值电流从几安-几百安.常用的TVS管的击穿电压有从5V到550V的系列值.且可靠性高,在TVS管规范之工作范围内,性能可靠,不易劣化,使用寿命长. 原理: TVS用于瞬间突波之抑制,…

原文:http://hi.baidu.com/abners/item/a9042ef35d3f005bc8f337f5 一般来说这几种存储器是一个nios系统都具有的,sram的好处是接口简单,速度快容易操作,用资源也比较少:sdram的最大好处是容量大,当然速度也比较快,但是接口复杂些,也耗逻辑资源多些:flash是非易失性存储器,速度慢.SRAM.SDRAM都用于程序工作时保存临时数据和程序,因为在系统调电后,保存在其中的数据都会丢失. FLASH用于系统中保存长期的数据,如:配置信息,程序…

许多开发人员都遇到过这样的情况:在实验室开发好的产品,测试完全通过,但到了客户手里用了一段时间之后,出现异常现 象,甚至是产品失效需要返修,并且故障率往往也不高(1%以下).一般情况下,以上问题大都由于浪涌冲击.ESD冲击等原因造成. ESD抑制器是目前最新一代防静电产品(98年由军工转民用,现行业内已经全面铺开),由聚合物(POLYMER)电压诱变材料和高电分子材料核心制成的新型固体电子元件.其最大的特点就是物理放电无使用寿命的限制,再加上其反应快速(<1 ns), 超低电容 (<0.15p…

半导体发光器件包括半导体发光二极管(简称LED).数码管.符号管.米字管及点阵式显示屏(简称矩阵管)等.事实上,数码管.符号管.米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管. 一. 半导体发光二极管工作原理.特性及应用(一)LED发光原理发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓).GaP(磷化镓).GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结.因此它具有一般P-N结的I-N特性,即正向导通,反向截止.击穿特性.此外,在一定条件下,它还具有发光特性.在正向电压下,电子由N…

VMOS场效应管既有电子管的长处又有晶体管的长处,用它制作的功率放大器声音醇厚.甜美,动态范围大.频率响应好.因此近年来在音响设备中得到了广泛应用. 大功率的场效应管功率放大器.电．路比較复杂.制作和调试难度也较大.而且．成本也非常高.所以不太适合刚開始学习的人制作. 以下介绍的这款VMOS场效应管小功放,电路非常easy,制作调试也非常容易,十分适合初学的爱好者. 仅仅要所用元器件良好,电路·焊接正确,就可一举成功,而且音质也相当不错.本机的缺点是输出功率略显小了一点(约3W~4W).但用作M…

0.小叙闲言 最开始学习三极管的时候,很注重它的工作原理,后来到了实际应用,就直接把三极管或MOSFET直接当作一个开关器件使用.直到前这几天,接触到MOSFET组成的H桥驱动电路时,发现它纯当作一个开关器件来看,会出现许多问题.在这里总一下问题和对出现问题的一些原因做一些分析.个人知识有限,很多地方思虑难免有所不足,希望能够与网上各位一起学习交流. 目前我们一般将H桥驱动当作电机或步进电机的驱动,如下图1所示,要做好驱动电路,必须得了解清楚MOSFET的一些原理,才不会出错.  图1 H桥全桥…

低功耗设计这个专题整理了好久,有一个月了,有图有证据: 然而最近一直有些烦心事.郁闷事,拖延了一下,虽然现在还是有点烦,但是还是先发表了吧.下面我们就来聊聊低功耗设计吧,由于文章比较长,因此我就不一次性发完,我整理之后再发上去.当然,这里的低功耗设计基本上是入门阶段,也就是大部分从理论角度进行阐述,你也可以说是从书本上说的,但是呢,我可以先给大家剧透一下:不仅仅是从理论上说,我还结合EDA工具进行说明如何进行低功耗设计.废话不多说,下面就来看看这个专题的主要内容: ·低功耗设计的目的 ·功耗的构…

一直想给大家讲讲ESD的理论,很经典.但是由于理论性太强,任何理论都是一环套一环的,如果你不会画鸡蛋,注定了你就不会画大卫. 先来谈静电放电(ESD: Electrostatic Discharge)是什么?这应该是造成所有电子元器件或集成电路系统造成过度电应力破坏的主要元凶.因为静电通常瞬间电压非常高(>几千伏),所以这种损伤是毁灭性和永久性的,会造成电路直接烧毁.所以预防静电损伤是所有IC设计和制造的头号难题. 静电,通常都是人为产生的,如生产.组装.测试.存放.搬运等过程中都有可能使得静电…

分立元件门电路虽然结构简单,但是存在着体积大.工作可靠性差.工作速度慢等许多缺点.1961年美国德克萨斯仪器公司率先将数字电路的元器件和连线制作在同一硅片上,制成了集成电路.由于集成电路体积小.质量轻.工作可靠,因而在大多数领域迅速取代了分立元件电路.随着集成电路制作工艺的发展,集成电路的集成度越来越高. TTL信号是数字信号.CMOS传输门(Transmission Gate)是一种既可以传送数字信号又可以传输模拟信号的可控开关电路. 按照集成度的高低,将集成电路分为小规模集成电路.中规模集成…

在电路设计当中假设我们想要对电流中止控制,那就少不了三极管的帮助.我们俗称的三极管其全称为半导体三极管,它的主要作用就是将微小的信号中止放大.MOS管与三极管有着许多相近的地方,这就使得一些新手不断无法明白两者之间的区别,本篇文章就将为大家引见三极管和MOS管的一些不同. 关于三极管和MOS管的区别,我们简单总结了几句话便当大家理解. 从性质上来说:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制. 从本钱上来说:三极管低价,MOS管贵. 关于功耗问题:三极管损耗大. 驱动能力上的的不同:MOS管常用于电…

信息来自网络,可能有误,希望指正! 一.ESD工作原理 ESD静电保护元件,又称静电抑制二极管.ESD是多个TVS晶粒或二极管采用不同的布局做成具有特定功能的多路或单路ESD保护器件,主要应用于各类通信接口静电保护,如USB.HDMI.RS485.RS232.VGA.RJ11.RJ45.BNC.SIM.SD等. 二.ESD特点 1. ESD是一种钳位型过压保护器件,用于静电防护及一些较低浪涌的防护: 2. ESD电压根据被保护IC 的工作电压设计,如2.5V.2.8V.3.3V.5V.8V.12…