是采样速率低于5Msps (每秒百万次采样)的中等至高分辨率应用的常见结构. SAR ADC的分辨率一般为8位至16位,具有低功耗.小尺寸等特点. 这些特点使该类型ADC具有很宽的应用范围,例如便携/电池供电仪表.笔输入量化器.工业控制和数据/信号采集等. 顾名思义,SAR ADC实质上是实现一种二进制搜索算法. 所以,当内部电路运行在数兆赫兹(MHz)时,由于逐次逼近算法的缘故,ADC采样速率仅是该数值的几分之一. SAR ADC的架构 尽管实现SAR ADC的方式千差万别,但其基本结构非常简

转自:http://bbs.dzsc.com/space/viewspacepost.aspx?postid=86760 摘要:逐次逼近寄存器型(SAR)模数转换器(ADC)占据着大部分的中等至高分辨率ADC市场.SAR ADC的采样速率最高可达5Msps,分辨率为8位至18位.SAR架构允许高性能.低功耗ADC采用小尺寸封装,适合对尺寸要求严格的系统. 本文说明了SAR ADC的工作原理,采用二进制搜索算法,对输入信号进行转换.本文还给出了SAR ADC的核心架构,即电容式DAC和高速比较器.

SAR型 (逐次逼近型) 摘要:逐次逼近寄存器型(SAR)模数转换器(ADC)占据着大部分的中等至高分辨率ADC市场.SAR ADC的采样速率最高可达5Msps,分辨率为8位至18位.SAR架构允许高性能.低功耗ADC采用小尺寸封装,适合对尺寸要求严格的系统. 本文说明了SAR ADC的工作原理,采用二进制搜索算法,对输入信号进行转换.本文还给出了SAR ADC的核心架构,即电容式DAC和高速比较器.最后,对SAR架构与流水线.闪速型以及Σ-Δ ADC进行了对比. 引言 逐次逼近寄存器型(SAR

MCU,硅片,BOM BOM(Bill of Material,物料清单),就是指一个东西的各个材料的的成本价格 BOM成本要控制,有三点要注意的. 一,是否有芯片替代料,在性能不降低的情况下,替代料和原有芯片的价差是否可以弥补更换方案的迁移成本.如果是,可以更换. 二,在掌握足够的芯片替代料信息后,和原有的芯片供应商进行谈判,降低BOM. 三,是否可以方案的系统层面考虑,研究竞争对手的情况,结合自身技术的特点,对系统进行功能优化,减少元器件的数量,降低BOM. 硅片:供需剪刀差形成,从12寸向

STM32经典概述(干货 ) 首先,在学习Cortex-M3时,我们必须要知道必要的缩略语.  在网上看的,觉得挺好的,分享过来了 整理如下: AMBA:先进单片机总线架构   ADK:AMBA设计套件 , AHB:先进高性能总线    AHB-AP:AHB访问端口APB:先进外设总线    ARM ARM:ARM架构参考手册ASIC:行业领域专用集成电路    ATB :先进跟踪总线BE8:字节不变式大端模式    CPI:每条指令的周期数DAP:调试访问端口    DSP:数字信号处理(器)

欢迎大家前往腾讯云社区,获取更多腾讯海量技术实践干货哦~ 作者:kevinxiaoyu,高级研究员,隶属腾讯TEG-架构平台部,主要研究方向为深度学习异构计算与硬件加速.FPGA云.高速视觉感知等方向的构架设计和优化."深度学习的异构加速技术"系列共有三篇文章,主要在技术层面,对学术界和工业界异构加速的构架演进进行分析. 一.概述:通用=低效 作为通用处理器,CPU (Central Processing Unit) 是计算机中不可或缺的计算核心,结合指令集,完成日常工作中多种多样的计

一.新手常常问的一个问题:C语言和嵌入式C编程有什么区别?而嵌入式工程师一般都会告诉你,其区别在于嵌入式的C语言是跑在嵌入式的开发板上的,CPU和电脑不一样,所以编译器也是不一样的,生成的可执行程序也是不一样的.不同于一般形式的软件编程,基于特定的硬件平台嵌入式系统编程的,势必要求其编程语言具备较强的硬件直接操作能力.毫无疑问,汇编语言是具备这种特点的.然而,由于该语言编写开发过程的复杂性,通常不选择它用于嵌入式系统开发,而C语言是一种“低层次”的语言,已经成为嵌入式系统开发的最佳选择. 二.嵌

低端功率开关驱动电路的工作原理 低端功率开关驱动的原理非常简单,就是负载一端直接和电源正端相连,另外一端直接和开关管相连,正常情况下,没有控制信号的时候,开关管不导通,负载中没有电流流过,即负载处于断电状态:反之,如果控制信号有效的时候,打开开关管,于是电流从电源正端经过负载,然后经过功率开关流出,负载进入通电状态,从而产生响应的动作.基本的驱动原理图如图所示. 一般现在采用的开关功率管为N型MOSFET,N型MOSFET的优点是驱动采用电压驱动,驱动电流很小,驱动功耗低,而且工作频率可以很高,

DAC种类: 有权电阻网络DAC 输出电压变化范围为:0~-(2^n-1)/2^n*Vref 当位数很高时,每个电阻都有很高精度是十分困难的. 倒T型电阻网络DAC(比如AD7520 10bit 已停产 乘法) 输出电压变化范围为:0~-(2^n-1)/2^n*Vref 权电流型DAC 尽管倒T型电阻网络D/A转换器具有较高的转换速度,但由于电路中存在模拟开关电压降,当流过各支路的电流稍有变化时,就会产生转换误差.为进一步提高D/A转换器的精度,可采用权电流型D/A转换器. 权电容DAC 原理通

----------------------------------------------------------------------文章1---------------------------------------------------------------------- Flash简介: Flash全名叫做Flash Memory,属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device),与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Devic

RAM可分为SRAM(Static RAM/静态存储器)和DRAM(Dynamic RAM/动态存储器).SRAM是利用双稳态触发器来保存信息的,只要不掉电,信息是不会丢失的.SRAM存储元件所用MOS管多,占硅片面积大,因而功耗大,集成度低:但因为采用一个正负反馈触发器电路来存储信息,所以只要直流供电电源一直加在电路上,就能一直保持记忆状态不变,所以无需刷新.也不会因为读操作而使状态发生改变,特别是它的读写速度快,其存储原理可看作是对带时钟的RS触发器的读写过程.由于SRAM价格比较昂贵,因而

ARM的嵌入式IDE发展: 1)SDT,英文全称ARM SoftWare Development Kit,是ARM为方便用户在ARM芯片进行应用软件开发而推出的一整套开发工具. 2)ADS,英文全称ARM Developer Suite,是ARM推出的新一代ARM集成开发环境,用来取代SDT. 3)RVDS,英文全称RealView Development Suite,是ARM公司继SDT和ADS1.2之后主推的新一代研发工具. 4)DS-5,英文全称ARM Development Studio

norflash 带有 SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内容每一字节:nandflash器件使用复杂的IO口串行的存取数据,读写操作采用512字节的块(也就是读/写某个字节,必须从其所在的块起始位置开始读/写),这一点有点像硬盘管理类操作,很自然地,基于nandlflash的存储器就可以取代硬盘或其它块设备. flash存储原理 一.半导体存储设备的原理 目前市面上出现了大量的便携式存储设备,这些设备大部分是以半导体芯片为存储介质的.采用半导体存储介质,可以把体积变的很小

高端功率开关驱动的原理非常简单,和低端功率开关驱动相对应,就是负载一端和开关管相连,另外一端直接接地.正常情况下,没有控制信号的时候,开关管不导通,负载中没有电流流过,即负载处于断电状态:反之,如果控制信号有效的时候,打开开关管,于是电流从电源正端经过高端的开关管,然后经过负载流出,负载进入通电状态,从而产生响应的动作.基本的驱动原理图如图所示. 一般现在采用的开关功率管为N型MOSFET,N型MOSFET的优点是驱动采用电压驱动,驱动电流很小,驱动功耗低,而且工作频率可以很高,适用于高    

本文来自计算机体系结构专家王逵.他认为,“摩尔定律结束之后,性能提升一万倍”不会是科幻,而是发生在我们眼前的事实.   2008年,<三体2:黑暗森林>里写到:   真的很难,你冬眠后不久,就有六个新一代超级计算机大型研究项目同时开始,其中三个是传统结构的,一个是非冯结构的,另外两个分别是量子和生物分子计算机研究项目.但两年后,这六个项目的首席科学家都对我说,我们要的计算能力根本不可能实现.量子计算机项目是最先中断的,现有的物理理论无法提供足够的支持,研究撞到了智子的墙壁上.紧接着生物分子计算

MOS/CMOS集成电路简介及N沟道MOS管和P沟道MOS管 在实际项目中,我们基本都用增强型mos管,分为N沟道和P沟道两种. 我们常用的是NMOS,因为其导通电阻小,且容易制造.在MOS管原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管.这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要.顺便说一句,体二极管只在单个的MOS管中存在,在集成电路芯片内部通常是没有的.     1.导通特性   NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电

GPU编程和流式多处理器(四) 3.2. 单精度(32位) 单精度浮点支持是GPU计算的主力军.GPU已经过优化,可以在此数据类型上原生提供高性能,不仅适用于核心标准IEEE操作(例如加法和乘法),还适用于非标准操作(例如对先验的近似(例如sin()和log())).32位值与整数保存在同一寄存器文件中,因此单精度浮点值和32位整数(使用__float_as_int()和__int_as_float())之间的强制转换是免费的. 加法,乘法和乘加 编译器自动将浮点值的+,–和*运算符转换为加,乘

GPU编程和流式多处理器(三) 3. Floating-Point Support 快速的本机浮点硬件是GPU的存在理由,并且在许多方面,它们在浮点实现方面都等于或优于CPU.全速支持异常可以根据每条指令指定直接舍入,特殊功能单元可为六种流行的单精度先验函数,提供高性能的近似函数.相比之下,x86 CPU在微代码中实现异常,其运行速度可能比在规范化浮点算子上运行的速度慢100倍.舍入方向是由一个控制字指定的,该控制字需要数十个时钟周期来更改,并且SSE指令集中唯一的超越逼近函数是用于倒数和倒数平

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人们一直追求CPU分支预测的准确率,论文Simultaneous Subordinate Microthreading (SSMT)中给了一组数据,如果分支预测的准确率是100%,大多数应用的IPC会提高2倍左右. 为了比较不同分支预测算法的准确率,有个专门的比赛:Championship Branch Prediction(CPB).CPB-5的冠军是TAGE-SC-L,在TAGE-SC-L Branch Predictors Again中有详细描述: 但是分支预测准确率高意味着更复杂的算法,