开发电子产品时,常常需要断电后保存某些数据,这就需要使用 FLASH或EEPROM芯片,这两种芯片,可擦除的次数是有限制的,通常FLASH为10万次,EEPROM要多一点,为100万甚至1000万次. FLASH的擦除不能单个字节进行,有一个最小单位,存储容量相对比较大,适合大量数据的存储:EEPROM可以单个字节进行擦除,存储容量不大,只适合存储少量的设置数据.   先以FLASH和EEPROM需要写入一个字节为例来说明新数据是如何写入的.假定都是在首地址要写入新数据0x55.不管是FLASH

在使用keil开发STM32应用程序时,点击Build后在Build Output窗口中经常会有如下信息:<ignore_js_op> 以前一直好奇这几个参数和实际使用的STM32芯片中Flash和SRAM的对应关系,于是上网搜了一圈,做如下总结: 这些参数的单位是Byte 图中几个参数分别代表  Code:代码的大小 RO:常量所占空间 RW:程序中已经初始化的变量所占空间 ZI:未初始化的static变量和全局变量以及堆栈所占的空间 上述参数和芯片Flash以及SRAM的对应关系是  Fl

首先声明,手册上给出的FlashSize地址是错误的,正确的应该是0x1FFF7A20,取高16位.确切说应该是(0x1FFF7A23,0x1FFF7A22两个字节), 芯片的这96位ID是产品唯一身份标识.可以从特定的寄存器中读出来.FlashSize表示内部flash的大小,也是固化在芯片内部的. 手册上讲的ChipID的基地址是0x1FFF7A10,ChipSize的基地址也是0x1FFF7A10.肯定是不对的 谷歌了半天才发现真正的ChipSize地址0x1FFF7A20.知道了地址,直

每个STM32有一个独立的ID,这个ID可以用来: 产品唯一的身份标识的作用:    ●  用来作为序列号(例如USB字符序列号或者其他的终端应用):    ●  用来作为密码,在编写闪存时,将此唯一标识与软件加解密算法结合使用,提高代码在闪存存储器内的安全性:    ●  用来激活带安全机制的自举过程: 以STM32F103CBT6来说,使用四个寄存器来存储这个ID,读取方式为: void GetChipUniqueID(void) { u32 chipUniqueID32[]; chipUn

Nor Flash是Intel在1988年推出的非易失闪存芯片,可随机读取,擦写时间长,可以擦写1~100W次,支持XIP(eXecute In Place). 本文以JS28F512M29EWH为例分析Nor Flash芯片的特性以及读.擦.写.查询等操作的具体实现原理. 1.芯片特性 1)页大小32Bytes, 块大小128KB, 写缓冲区1KB(芯片厂家决定写缓冲区大小) 2)随机或者按页读取 3)以块为单位擦除.写入(擦除之后所有位默认为1) 4)WP#引脚决定锁保护第一个块或者最后一个

编译环境:我用的是(Keil)MDK4.7.2   stm32库版本:我用的是3.5.0一.本文不对FLASH的基础知识做详细的介绍,不懂得地方请查阅有关资料. 对STM32 内部FLASH进行编程操作,需要遵循以下流程: FLASH解锁 清除相关标志位 擦除FLASH(先擦除后写入的原因是为了工业上制作方便,即物理实现方便) 写入FLASH 锁定FLASH实例:#define FLASH_PAGE_SIZE    ((uint16_t)0x400) //如果一页为1K大小#define WRI

STM32F4Discovery开发帮使用的STM32F407VGT6芯片,内部FLASH有1M之多.平时写的代码,烧写完之后还有大量的剩余.有效利用这剩余的FLASH能存储不少数据.因此研究了一下STM32F4读写内部FLASH的一些操作. [STM32F4 内部Flash的一些信息] STM32F407VG的内部FLASH的地址是:0x08000000,大小是0x00100000. 写FLASH的时候,如果发现写入地址的FLASH没有被擦出,数据将不会写入.FLASH的擦除操作,只能按Sec

1. SPI总线简介 SPI全称串行外设接口,是一种高速,全双工,同步的外设总线:它工作在主从方式,常规需要至少4根线才能够正常工作.SPI作为基本的外设接口,在FLASH,EPPROM和一些数字通讯中,具有广泛的应用.SPI总线由四个接口构成: CS  :片选端,由主设备控制 MISO:主设备输入,从设备输出 MOSI:主设备输出,从设备输入 SCK :时钟信号 其中SCK仅能由主设备提供,且接收和发送和同时产生的,因此在主设备接收数据时也要先发送数据从而为从设备提供时钟:根据SPI时钟信号配

转自 http://m.blog.chinaunix.net/uid-30077524-id-5570244.html 文章对这几个东西讲得很清楚,值得收藏. 寄存器 寄存器是中央处理器内的组成部份.它跟CPU有关.寄存器是有限存贮容量的高速存贮部件,它们可用来暂存指令.数据和位址.在中央处理器的控制部件中,包含的寄存器有指令寄存器(IR)和程序计数器(PC).在中央处理器的算术及逻辑部件中,包含的寄存器有累加器(ACC). 存储器 存储器范围最大,它几乎涵盖了所有关于存储的范畴.你所说的寄存器

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级.一.存储数据的原理两种闪存都是用三端器件作为存储单元,分别为源极.漏极和栅极,与场效应管的工作原理相同,主要是利用电场的效应来控制源极与漏极之间的通断,栅极的电流消耗极小,不同的是场效应管为单栅极结构,而

转自:http://blog.csdn.net/xgbing/article/details/18422691 版权声明:原创文章,转载请注明来自:http://blog.csdn.net/xgbing 传统的FLASH分为Nor falsh和Nand flash. (1)Nor flash Nor flash存储以块为单元,写入时必须先擦除,并且擦除和写入的速度都很慢.但nor fash具有SRAM接口,有单独的地址总线和地址总线,接口简单,就像是访问ROM一样,读取速度快,能随机访问存储单元

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写. ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算 机的内存.        RAM   有两大类,一种称为静态RAM(StaticRAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但 是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(

本文原创于http://www.cnblogs.com/humaoxiao,非法转载者请自重!   硬件平台:STM32F4 DISCOVERY开发板 型号:MB997A或MB997C主芯片型号:STM32F405xx, STM32F407xx, STM32F415xx, 或 STM32F417xx 主要参考文档: (1)PM0081 STM32F40xxx and STM32F41xxx Flash programming manual.pdf (2)STM32F407 datasheet.p

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存.RAM 有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓 冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存. RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/D

原文:http://hi.baidu.com/abners/item/a9042ef35d3f005bc8f337f5 一般来说这几种存储器是一个nios系统都具有的,sram的好处是接口简单,速度快容易操作,用资源也比较少:sdram的最大好处是容量大,当然速度也比较快,但是接口复杂些,也耗逻辑资源多些:flash是非易失性存储器,速度慢.SRAM.SDRAM都用于程序工作时保存临时数据和程序,因为在系统调电后,保存在其中的数据都会丢失. FLASH用于系统中保存长期的数据,如:配置信息,程序

最近一直在看大家在讨论sandisk,pny,金士顿等大厂都开始用tlc的芯片问题,让大家基本都不敢用U盘存数据了按照之前的擦写参数TLC        1000次MLC       10000次SLC        4万-10万次(这个也是前几天看论坛才知道不同制程的slc擦写次数不一样)注明是擦写意思就是你把里面东西删除了再存上一次才算一次擦写,只读取里面文件的不算假设你一天需要3次擦写那么全新的TLC可以用到2014年全新的mlc可以用到2041年全新的slc可以给你的孙子的孙子了大家现在

用 饿狼 的 RAM和ROM和Flash ROM的区别 RAM(Random Access Memory)的全名为随机存取记忆体,它相当于PC机上的移动存储,用来存储和保存数据的.它在任何时候都可以读写,RAM通常是作为操作系统或其他正在运行程序的临时存储介质(可称作系统内存). 不过,当电源关闭时RAM不能保留数据,如果需要保存数据,就必须把它们写入到一个长期的存储器中(例如硬盘).正因为如此,有时也将RAM称作“可变存储器”.RAM内存可以进一步分为静态RAM(SRAM)和动态内存(DRAM

源:http://www.cnblogs.com/bingoo/p/3551753.html FLASH和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作,EEPROM则按字节操作,二者寻址方法不同,存储单元的结构也不同,FLASH的电路结构较简单,同样容量占芯片面积较小,成本自然比EEPROM低,因而适合用作程序存储器,EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器.当然用FLASH做数据存储器也行,但操作比EEPROM麻烦的多,所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存

ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写.ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存. RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲.另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/D

Flash Memory又叫做闪存,是一种非易失性存储器.非易失性是指断电之后数据不会丢失,这里就涉及到断电保护(后面详细讲解). 总体思路 1.NAND Flash的用途. 2.NAND Flash规则介绍. 3.SSD固件(Firmware,FW)包括:映射表(Mapping Table).垃圾回收(Garbage Collection).磨损平衡(Wear Leveling,WL)等. 4.补充概念:写入放大(Write Application).预留空间(Over Provisionin