普通的定义上区分:内存,是连接CPU 和其他设备的通道,起到缓冲和数据交换作用.当CPU在工作时,需要从硬盘等外部存储器上读取数据,但由于硬盘这个“仓库”太大,加上离CPU也很“远”,运输“原料”数据的速度就比较慢,导致CPU的生产效率大打折扣!为了解决这个问题,人们便在CPU与外部存储器之间,建了一个“小仓库”—内存 ECC内存,即应用了能够实现错误检查和纠正技术(ECC)的内存条.一般多应用在服务器及图形工作站上,这将使整个电脑系统在工作时更趋于安全稳定.ECC是“Error Checkin

ECC内存,即应用了能够实现错误检查和纠正技术(ECC)的内存条.一般多应用在服务器及图形工作站上,这将使整个电脑系统在工作时更趋于安全稳定.ECC是“Error Checking and Correcting”的简写,中文名称是“错误检查和纠正”.   1基本信息 技术原理 要了解ECC技术,就不能不提到Parity(奇偶校验).在ECC技术出现之前,内存中应用最多的是另外一种技术,就是Parity(奇偶校验).我们知道,在数字电路中,最小的数据单位就是叫“比特(bit)”,也叫数据“位”,“

都知道,在INTEL平台,北桥负责与CPU的联系,并控制内存.AGP.PCI数据在北桥内部传输.基本上只要主板芯片组确定,那么其支持的内存类型也就确定了. INTEL芯片组划分的很清楚,865PE属于工作站级别芯片组,不支持ECC内存,只能使用普通内存,875P芯片组属于低端服务器/工作站级别,支持ECC内存和普通非ECC内存,而E7525属于高端服务器,为了保证其稳定性,必须采用ECC REG内存,使用其他内存无法点亮. 在AMD方面,K8 CPU集成了内存控制器,CPU与内存直接交换数据,不

最近因项目需要,做一个数据采集的单片机平台.需要移植 FatFs .现在把最后成果贴上来. 1.摘要 在 STM32 单片机上,成功移植 FatFs 0.12b,使用的 Nand Flash 芯片为 K9F2G08 . 特点: 系统配合 FatFs 实现了坏块管理,硬件ECC,软件 ECC 纠错 2.代码分析 2.1.擦写均衡分析 在create_chain 函数中实现,每次分配都由当前scl 指向的 free cluster 开始,逐块检查,是否有可用 cluster 存在.如果没有则取下一块

Flash型号: NandFlash型号:TC58NVG2S3ETA00 pagesize: 2KB oobsize  : 64B blocksize : 128K 关于ECC可以参考:http://www.cnblogs.com/pengdonglin137/p/3438001.html,其中介绍了256B纠错1位的ECC生成算法,而这里的512B跟它的方法类似. 这里有一个EXCEL表格,它是对下面将要分析的算法的动态演示,只需要更改其中的16*16的表格中的数字,相应的ECC会自动计算出来

Flash名称的由来,Flash的擦除操作是以block块为单位的,与此相对应的是其他很多存储设备,是以bit位为最小读取/写入的单位,Flash是一次性地擦除整个块:在发送一个擦除命令后,一次性地将一个block,常见的块的大小是128KB/256KB,全部擦除为1,也就是里面的内容全部都是0xFF了,由于是一下子就擦除了,相对来说,擦除用的时间很短,可以用一闪而过来形容,所以,叫做Flash Memory.所以一般将Flash翻译为 (快速)闪存. NAND Flash 在嵌入式系统中有着广

转:http://www.cnblogs.com/elect-fans/archive/2012/05/14/2500643.html 0.NAND的操作管理方式 NAND FLASH的管理方式:以三星FLASH为例,一片Nand flash为一个设备(device),1 (Device) = xxxx (Blocks),1 (Block) = xxxx (Pages),1(Page) =528 (Bytes) = 数据块大小(512Bytes) + OOB 块大小(16Bytes,除OOB第六

大家好,我是痞子衡,是正经搞技术的痞子.今天痞子衡给大家分享的是恩智浦i.MXRT1170上Cortex-M7内核的FlexRAM ECC功能. ECC是"Error Correcting Code"的简写,ECC能够实现错误检查和纠正,含有ECC功能的内存一般称为ECC内存,使用了ECC内存的系统在稳定性和可靠性上得到很大提升.相比前几代不带ECC的i.MXRT10xx型号,新一代i.MXRT1170在ECC上做了全面武装,从eFuse到FlexRAM,从OCRAM到外部存储空间全都

     本篇文章主要介绍ECC基本原理以及在Nand Flash中的应用,本文记录自己对ECC校验原理的理解和学习. ECC介绍      ECC,全称为Error Correcting Code,错误纠正码,这是一种编码方式,用于在于可以在一定程度上自行发现和纠正传输过程中发生的错误.      香农在1948年发表的<通信的数学理论>中的信道编码定理指出:主要采取适当的纠错码,就可以在多类信道上传输消息,其误码率可以任意小.经过历代人们的持续努力,找出了许多好的信道编码方法,满足许多实用

0.NAND的操作管理方式      NAND FLASH的管理方式:以三星FLASH为例,一片Nand flash为一个设备(device),1 (Device) = xxxx (Blocks),1 (Block) = xxxx (Pages),1(Page) =528 (Bytes) = 数据块大小(512Bytes) + OOB 块大小(16Bytes,除OOB第六字节外,通常至少把OOB的前3个字节存放Nand Flash硬件ECC码). 关于OOB区,是每个Page都有的.Page大小

ECC的全称是Error Checking and Correction,是一种用于Nand的差错检测和修正算法.如果操作时序和电路稳定性不存在问题的话,NAND Flash出错的时候一般不会造成整个Block或是Page不能读取或是全部出错,而是整个Page(例如512Bytes)中只有一个或几个bit出错.ECC能纠正1个比特错误和检测2个比特错误,而且计算速度很快,但对1比特以上的错误无法纠正,对2比特以上的错误不保证能检测.校验码生成算法:ECC校验每次对256字节的数据进行操作,包含列

ECC简介 由于NAND Flash的工艺不能保证NAND的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠,因此,在NAND的生产中及使用过程中会产生坏块.为了检测数据的可靠性,在应用NAND Flash的系统中一般都会采用一定的坏区管理策略,而管理坏区的前提是能比较可靠的进行坏区检测. 如果操作时序和电路稳定性不存在问题的话,NAND Flash出错的时候一般不会造成整个Block或是Page不能读取或是全部出错,而是整个Page(例如512Bytes)中只有一个或几个bit出错. 对数

OBB: 例如Samsung K9F1208U0B,数据存储容量为64MB,采用块页式存储管理.8个I/O 引脚充当数据.地址.命令的复用端口.芯片内部存储布局及存储操作特点: 一片Nand flash为一个设备(device), 其数据存储分层为: 1 (Device) = 4096 (Blocks)    1 (Block) - = 32   (Pages/Rows) 页与行是相同的意思,叫法不一样    1 (Page)   = 528 (Bytes) = 数据块大小(512Bytes)

引入ECC ECC:Error Checking and Correction,是一种差错检测和修正的算法. NAND闪存在生产和使用中都会有坏块产生,BBM就是坏块的管理机制.而生产坏块已经无法避免,我们只能尽全力减少使用中产生的坏块.一种是利用磨损平衡(WL)提前预防坏块产生,另一种是已经产生“坏块”,我们是否还能继续用? 因此引入了ECC,如果块产生错误,且能够被ECC纠正,那么这个块都不算坏块:但连ECC都纠正不过来,这个块就无法再继续使用,只能标记为坏块. 所以,有效管理坏块的首要前提

转:http://blog.csdn.net/lanmanck/article/details/4230904 例如Samsung K9F1208U0B,数据存储容量为64MB,采用块页式存储管理.8个I/O 引脚充当数据.地址.命令的复用端口. 芯片内部存储布局及存储操作特点:    一片Nand flash为一个设备(device), 其数据存储分层为:    1 (Device) = 4096 (Blocks)    1 (Block) - = 32   (Pages/Rows) 页与行是

一.背景 据记载,公元前 400 年,古希腊人发明了置换密码.1881 年世界上的第一个电话保密专利出现.在第二次世界大战期间,德国军方启用「恩尼格玛」密码机,密码学在战争中起着非常重要的作用. 随着信息化和数字化社会的发展,人们对信息安全和保密的重要性认识不断提高,于是在 1997 年,美国国家标准局公布实施了「美国数据加密标准(DES)」,民间力量开始全面介入密码学的研究和应用中,采用的加密算法有 DES.RSA.SHA 等.随着对加密强度需求的不断提高,近期又出现了 AES.ECC 等.

ECC 产生方法 ECC 是用于对存储器之间传送数据正确进行校验的一种算法,分硬件 ECC 和软件 ECC 算法两种,在 S3C2410 的 Nand Flash 控制器中实现了由硬件电路(ECC 生成器)实现的硬件 ECC. ECC 生成器工作过程 当写入数据到 Nand flash 存储空间时, ECC 生成器会在写入数据完毕后自动生成 ECC 码,将其放入到 ECC0-ECC2.当读出数据时 Nand Flash 同样会在读数据完毕后,自动生成 ECC 码将其放到 ECC0-ECC2 当

该文章摘自于:http://www.dell.com/support/article/cn/zh/cndhs1/SLN153646/zh#issue3,仅供个人作为笔记使用 PowerEdge R720系统内存指南 目录: R720系统内存指南 最小/最大内存容量 内存模块安装指南/安装规则 内存模式特定指南 卸下/安装系统内存 系统内存一般故障诊断 使用系统诊断程序 文章摘要:本文介绍了PowerEdge R720服务器的内存功能.内容包括支持的内存类型.安装规则和一般故障诊断. 问题1:R7

Dell PowerEdge R720内存安装原则   摘要:系 统包含 24 个内存插槽,分为两组(每组 12 个),每个处理器一组.每组的 12 个插槽分入四个通道.在每个通道中,第一个插槽的释放拉杆标为白色,第二个插槽的标为黑色,第三个插槽的标为绿色.备注: 插槽 A1 至 A12 中的 DIMM 分配给处理器 1,插槽 B1 至 B12 中的 DIMM 分配给处理器 2. 处理器 1 通道 0:插槽 A1.A5 和 A9 通道 1:插槽 A2.A6 和 A10 通道 2:插槽 A3.A7

一.内存详解 NAND闪存阵列分为一系列128kB的区块(block),这些区块是 NAND器件中最小的可擦除实体.擦除一个区块就是把所有的位(bit)设置为"1"(而所有字节(byte)设置为FFh).有必要通过编程,将已擦除 的位从"1"变为"0".最小的编程实体是字节(byte).一些NOR闪存能同时执行读写操作(见下图1).虽然NAND不能同时执行读写操作,它可以采用称为"映射(shadowing)"的方法,在系统级实

转自:解析IBM内存三技术:Chipkill.MPX.MM 内存作为服务器中的又一个重要的组成部分,对于企业的应用起着十分重要的作用.如今,企业用户对于服务器的要求逐渐提升,使得在提高内存密度.增大内存容量的同时,保证系统内存的可靠性受到广泛的关注.特别是有自己内存技术的厂商推出自己的服务器内存技术来满足用户对于实效性的应用的需求. 厂商IBM依靠其品牌和技术优势给予服务器行业带来了各项技术,尽管内存技术作为服务器产品中的重要应用部分,但是并不是每个厂商都拥有自己的独特技术.为此服务器内存在普通