PN结加正向电压 当PN结外加正向电压时,外电场将多数载流子推向空间电荷区,使其变窄,削弱了内电场,破坏了原来的平衡,使扩散运动加剧,PN结导通.PN结的压降只有零点几付,所以在其回路里应串联一个电阻. PN结加反向电压 当PN结加反向电压时,外电场使空间电荷区变宽,加强了内电场,阻止了扩散运动的进行,而加剧了漂移运动的进行,形成反向电流.但其电流很小,可忽略不计.这是PN结处于截止状态. PN结的电流方程      其中Ut=26mV,Is为反向饱和电流.     反向击穿又分为齐纳击穿和雪崩

可能大家在使用半导体器件的时候只是在使用它的电气属性,并没有很好的关心下它是什么原因才有了这样的电气属性,那么我们本篇就从物理结构分析下PN结吧. 首先看一张比较陈旧的图图: (就按自己的笔记简单谈谈自己的理解吧,不到之处请各位积极留言啊) 1.怎样选取母体(基片) ? 答:我们在选取衬底时首先选取电中性的,在元素周期表中,外部电子数目处于4(C,Si,Ge,Sn,Pb)的为金属和非金属之间,称为半导体,元素属性教稳定. 对于为什么选Si,Ge,而不是其他的,原因可能是,Si,Ge资源多,获取成

摘自:https://blog.csdn.net/CPJ_phone/article/details/40979027                                                                                                                     2018-07-29         13:06:21 1.怎样选取母体(基片) ? 答:我们在选取衬底时首先选取电中性的,在元素周期表中,外部电子

理论基础:导体是内部具有较多可以自由移动的电荷的物体. 绝缘体是内部没有或者有很少可以自由移动的电荷的物体. +代表空穴带正电 -代表电子带负电 两竖线之间表示无自由移动电子或空穴部分,相当于绝缘体 没加电压时:P ++| |-- N 当P加低电压N加高电压时,空穴会被P区的外加电压带负电荷的电极向左吸引,电子会被向右吸引.同时空穴会被N区电极向左排斥,电子会被P区电极向右排斥.又因为PN之间自由移动的空穴和电子是有限的数量. 于是形成:P +| |- N  绝缘体部分变的更宽了,外加电压越大,

回到目录 1.   掺杂半导体 上面我们分析了本征半导体的导电情况,但由于本征半导体的导电能力很低,没什么太大用处.所以,一般我们会对本征半导体材料进行掺杂,即使只添加了千分之一的杂质,也足以改变半导体材料的导电特性.通过加入不同特性的掺杂的元素,可以做出两种不同性质的半导体材料:n型半导体材料和 p型半导体材料,下面分别予以介绍. (1) n型半导体 n型半导体材料是通过对本征半导体掺入有5个价电子的元素得到的,常见的5价元素有:锑(Sb).砷(As).磷(P),下面以锑作为掺杂元素.硅作为本

距离上一次写半导体,已经过了很久了,上次分享了本征半导体的基本概念: https://zhuanlan.zhihu.com/p/109483580 今天给大家聊聊半导体工业中的基础:PN结与二极管 1.掺杂的半导体 如果将本征半导体进行掺杂处理,我们可以得到P型半导体和N型半导体.如图1-1,P型半导体以空穴作为多数载流子,N型半导体以电子作为多数载流子.如果单纯的对掺杂半导体进行通电,我们会发现半导体的导电能力大大增强了(相对于本征半导体),在相同掺杂浓度的半导体中,N型半导体体的导电能力更强

<学渣的电子技术自学笔记>--二极管的工作频率与PN结结面积的关系 书本原文 :按结构分,二极管有点接触型.面接触型和平面型三类.点接触型二极管(一般为锗管)的PN结结面积很小(结电容小),因此不能通过较大电流,但其高频性能好,故一般适用于高频和小功率的工作,也用作数字电路中的开关元件.面接触型二极管(一般为硅管)的PN结结面积大(结电容大),故可通过较大电流,但其工作频率较低,一般用作整流.平面型二极管可用作大功率整流管和数字电路中的开关管.   二极管 a)符号:b)点接触型:c)面接触型

P型半导体 在纯净的硅晶体中掺入3价元素如硼,使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了P型半导体.在P型半导体中,空穴为多字,自由电子为少子,主要靠空穴导电.掺入的杂质越多,空穴的浓度就越大,导电性就越强. N型半导体 在纯净的硅晶体中掺入5价元素如磷, 使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体.在N 型半导体中,自由电子的浓度大于空穴的浓度,故自由电子为多子,空穴为少子.如下图: PN结的形成 把N型和P型半导体制作在一起时,必定存在扩散运动.N区的自由电子向P区扩散,P区空穴向N区扩散.由

电场方向 电场方向和正电荷受力方向相同 飘移运动和扩散运动 多子和电场方向互相抵制,而多子是扩散运动,而对少子则是促进作用,当扩散和漂移达到动态平衡时,我们称PN结形成 PN结特性 单项导电性

https://www.zhihu.com/question/60053574/answer/174137061 我理解的半导体 pn 结的原理,哪里错了? https://blog.csdn.net/cyousui/article/details/78509792 PN结的形成原理

0.小叙闲言 前面已经写了两篇介绍放大器应用和MOSFET作驱动的文章:常规放大电路和差分放大电路和MOSFET使用与H桥驱动问题.但是对它们的工作原理并没有进一步研究一下,今天写下这篇文章,主要是介绍二极管的工作原理,为后面的三极管和MOSFET工作原理的理解打下基础,然后,应该能理解放大器的工作原理,最后也就也能解决上两篇文章提出的问题了. 1.PN结形成 P(Positive)型和N(Negative)型可根据它们的载流子(载流子说得比较学术,其实就是导体里面能流动的带电粒子,为电子或者是

http://www.dianyuan.com/article/34608.html LC709203F应用:用于便携式设备单节锂电池的智能电量计http://files.cnblogs.com/files/prayer521/LC709203F%EF%BC%9A%E7%94%A8%E4%BA%8E%E4%BE%BF%E6%90%BA%E5%BC%8F%E8%AE%BE%E5%A4%87%E5%8D%95%E8%8A%82%E9%94%82%E7%94%B5%E6%B1%A0%E7%9A%84%

http://www.kiaic.com/article/detail/1308.html 场效应管种类场效应管 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET).由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.具有输入电阻高(107-1015Ω).噪声小.功耗低.动态

摘自:http://royroyyy.blog.163.com/blog/static/137650617201102610471196/ 有源器件在符号库中的名称(NAME)通常以关键字开头,后根长度不超过8个字符的字母或数字命名,如Q2N2222表示已知NPN型BJT.74系列的数字集成电路芯片以他们的模型号作为源器件名称. 有源器件的参数均在它们的模型中描述.在PSPICE中是按器件类型(DEVICE-TYPE)来建立模型的,这些类型如表(一)所示,同一类型的器件有相同的模型结构,只是具体

本文隶属于AVR单片机教程系列.   在用DAC做了一个稍大的项目之后,我们来拿ADC开开刀.在本讲中,我们将了解0.96寸OLED屏,移植著名的U8g2库到我们的开发板上,学习在屏幕上画直线的算法,编写一个示波器程序,使用EEPROM加入人性化功能,最后利用示波器观察555定时器.放大电路.波形变换电路的各种波形. OLED屏 我们使用的是0.96寸OLED屏,它由128*64个像素点构成,上16行为蓝色,下48行为黄色,两部分之间有大约两像素的空隙.虽然有两种颜色,但每个像素点都只能发出一种

这部分数字逻辑课上老师在讲CMOS部分时有讲过,当时在课堂上放了一个全英的视频,没怎么看懂,现在在研究计算机系统,自底层说起,也得从这讲起. 主要参考: <嵌入式C语言自我素养> b站相关科普视频(文中给出链接) 00 从沙子到单晶硅 在所有的半导体材料中,目前只有硅在集成电路中大规模应用:在自然界中,Si是含量第二丰富的元素,如沙子中就含大量二氧化硅. 还记得高中化学必修一的内容吗?从沙子中提取高精度硅: 这时我们得到的是多晶硅,我们将多晶硅放入高温反应炉中融化,通过拉晶做出单晶硅棒(单晶硅

整定电流: 整定: 调整, 确定, 是指某一物理量,到达某个一个设定值时, 设备开始动作. 主要是指电路中的一些起 保护作用的 继电器, 如: 电机, 控制电路中的 过电流继电器, 的整定值. 如空气开关的整定值等等. 额定电流则不同, 它是指设备长时间工作时, 稳定情况下, 可以通过的电流. 电阻的类型: 工艺过程: 都是 在 细小的 陶瓷棒 上, 在 真空状态下, 通过 噴涂喷涂的方式, "镀上"一层薄膜, 然后外面加上一般是环氧树脂 保护层, 然后加工成 螺旋状, 连出引脚而成的

电子设备中使用着大量各种类型的电子元器件,设备发生故障大多是由于电子元器件失效或损坏引起的.因此怎么正确检测电子元器件就显得尤其重要,这也是电子维修人员必须掌握的技能.我在电器维修中积累了部分常见电子元器件检测经验和技巧,供大家参考. 1．测整流电桥各脚的极性 万用表置R×1k挡,黑表笔接桥堆的任意引脚,红表笔先后测其余三只脚,如果读数均为无穷大,则黑表笔所接为桥堆的输出正极,如果读数为4-10kΩ,则黑表笔所接引脚为桥堆的输出负极,其余的两引脚为桥堆的交流输入端. 使用数字万用表时只需将档位打

tvs管器件按极性可分为单极性和双极性两种,即单向tvs管和双向tvs管.    单向tvs管保护器件仅能对正脉冲或者负脉冲进行防护,而双向tvs管保护器件一端接要保护的线路,一端接地,无论来自反向还是来自正向的ESD脉冲均被释放,更有效地保护了IC.     单向TVS管的正向特性与普通稳压二极管相同,反向击穿拐点处近似“直角”的硬击穿为典型的PN结雪崩.当有瞬时过压脉冲时,器件的电流急骤增加而反向电压则上升到箝位电压值,并保持在这一水平上.    双向TVS管的V-I特性曲线如同两只单向TV

磁珠专用于抑制信号线.电源线上的高频噪声和尖峰干扰,还具有吸收静电脉冲的能力.磁珠是用来吸收超高频信号,像一些RF电路,PLL,振荡电路,含超高频存储器电路(DDR SDRAM,RAMBUS等)都需要在电源输入部分加磁珠,而电感是一种蓄能元件,用在LC振荡电路,中低频的滤波电路等,其应用频率范围很少超过50MHZ.   磁珠的功能主要是消除存在于传输线结构(电路)中的RF噪声,RF能量是叠加在直流传输电平上的交流正弦波成分,直流成分是需要的有用信号,而射频RF能量却是无用的电磁干扰沿着线路传输和