分简单,仅由3个电阻加一个MOS管构成,电路图如下: 此电路来自于飞利浦的一篇设计指导文档,是I2C总线官方推荐使用的电平转换电路.在实际使用过程中,需要尤其注意NMOS管的选型以及上拉电阻阻值的选取.由于该电路基于上拉电阻,NMOS管的电容特性可能会导致波形劣化.为了保证输出的上升速度,使得输出波形维持较好的形状以保证数据正确,通常选择Qg较小的NMOS管. 上图中,SDA1/SCL1,SDA2/SCL2为I2C的两个信号端,VDD1和VDD2为这两个信号的高电平电压.电路应用限制条件为: 1

http://www.amobbs.com/thread-5541344-1-2.html 3.3V转5V:S3输入为0V时,NMOS管导通,S5＝S3＝0V:S3输入为3.3V时,NMOS管截止,S5上拉到5V: 5V转3.3V:S5输入为0V时,NMOS管体二极管导通,S3＝0.7V,此时NMOS管导通,S3＝S5＝0V:S5输入为5V时,NMOS管截止,S3上拉到3.3V. NMOS管可以选用BSS138 R2可以省略,NMOS管G极可以直接连接到3.3V电源,R2的作用是改善EMI性能.

方案一 输入3.3(可为2.7~14v):输出5v,700ma.已经过实际验证. 其中:C1,C2为贴片陶瓷电容,Cf也为贴片陶瓷电容,L1为6.8uH 电感 输出值只和R1,R2的值有关,但手册中又说输出越大L1应该加大. 方案二 1． Diode采用肖特基二极管(正向压降约为0.2V) , 如IN5819 , IN58222．电容:采用钽电容,47uF 开关电压芯片中用到的电容一般选择陶瓷电容:因为陶瓷电容拥有最小的串联阻抗和最高的共振频率

源:5V与3.3V器件电平转换 当你使用3.3V的单片机的时候,电平转换就在所难免了,经常会遇到3.3转5V或者5V转3.3V的情况,这里介绍一个简单的电路,他可以实现两个电平的相互转换(注意是相互哦,双向的,不是单向的!).电路十分简单,仅由3个电阻加一个MOS管构成,电路图如下: 上图中,S1,S2为两个信号端,VCC_S1和VCC_S2为这两个信号的高电平电压.另外限制条件为: 1,VCC_S1<=VCC_S2. 2,S1的低电平门限大于0.7V左右(视NMOS内的二极管压降而定). 3,

http://www.daycounter.com/Circuits/Level-Translators/Level-Translators.phtml Interfacing 5V and 3V logic circuits is a common task.  3V logic is preferred to 5V logic because it consumes less power, so most microcontrollers and peripheral devices use

在设计一个带MCU或者ARM系统电路时候,经常遇见MCU的VCC是3.3V,但是外围电路需要5V.有时候是反过来.虽然现在MCU的IO都声称支持TTL电平,但是我们谁也不想将MCU的IO口直接接上5V,即使IO口先串联一个电阻,然后再接上5V,这样总是不放心,担心烧掉MCU,再说了,MCU声称IO口支持TTL电平,但是并不是所有的IO都是这样.反正有隐患.    解决方法就是电平转换.    具体的我只说我在实际项目中运用到的方法,而且在项目中运用比较方便的,其他的都不再说了.    第一种:利

Arduino Pro Mini是基于ATmega328的微控制板,支持5V/3.3V电压.但是我们比较容易买到的是5V供电的版本,有的时候需要用到3.3V版本(比如我们的软控DAC).怎样才能让这款板板支持3.3V电压呢. 思路 把5V的Arduino改造成3.3V版本,实际上就是提出了一个问题:5V的Arduino和3.3V版本有什么不同? 实际上AtMega328P可以支持很宽的电压范围.但是在不同工作电压下,可以跑到的最大主频是不同的. 在5V下可以跑到16MHz,而在3.3V下只能跑到

[博客大赛]使用LM2677制作的3V至24V数控可调恒压源   http://bbs.ednchina.com/BLOG_ARTICLE_3013105.HTM LM2677,是TI公司生产的高效率5A开关buck稳压器,由于它内部具备的low ON-register DMOS功率开关,使得它能够驱动大电流负载.LM2677有+3.3V.+5V.+12V和AJUSTABLE四个版本,其中AJUSTABLE的输出范围是1.2V~37V,使用它可以做一个可调的恒压源. 官方手册中给出的AJUSTA

一节镍氢电池1.2V升压5V电路芯片,两节镍氢电池2.4V升压到5V的电源芯片 PW5100具有宽范围的输入工作电压,从很低的0.7V到5V电压. PW5100输出电压固定3V,3.3V,5V可选固定电压版本.输出电流可达600MA. 芯片内部包括输出电压反馈和修正网络.纹波补偿电路.启动电路.振荡电路.参考电压电路.PFM 控制电路.过流保护电路.同步管控制以及功率管等.振荡电路提供基准震荡频率和固定的脉宽:参考电压电路提供稳定的参考电平:并且由于采用内部的修正技术. 产品特点 效率可达: 9

两节镍氢电池1.2V+1.2V是2.4V的标称电压,2.4V可以转3V输出电路应用. 在2.4V转3V和2V转3V的应用中,输出电流可最大600MA. 2V的低压输入,可以采用PW5100低压输入专用升压芯片,来2V转3V的电路. 同时具有大电流输出,和极低的输入静态功耗10uA. PW5100 是一款低静态电流.高效率. PFM 模式控制的同步升压变换器. PW5100 所需的外部元件非常少,只需要一个电感和输入.输出电容就可以提供 3.0V~5.0V 的稳定的低噪声输出电压. 芯片内部包括输

MCU供电一般是2.5V-5V之间等等都有,1.2V需要升到3.3V的升压芯片来稳压输出3.3V给MCU供电. 同时1.2V的输入电压低,说明供电端的能量也是属于低能量的,对于芯片自身供货是也要求高.可以满足的升压芯片,就PW5100来满足要求了. PW5100 是一款高效率.低功耗.低纹波.高工作频率的 PFM 同步升压 DC/DC 变换器. 产品特点 最大效率可达: 95% 最高工作频率: 1.2MHz 宽输入电压范围: 0.7V- 5.0V 输入静态电流: 10uA 固定输出电压:3V,3

当你使用3.3V的单片机的时候,电平转换就在所难免了,经常会遇到3.3转5V或者5V转3.3V的情况,这里介绍一个简单的电路,他可以实现两个电平的相互转换(注意是相互哦,双向的,不是单向的!).电路十分简单,仅由3个电阻加一个MOS管构成,电路图如下: 上图中,S1,S2为两个信号端,VCC_S1和VCC_S2为这两个信号的高电平电压.另外限制条件为:1,VCC_S1<=VCC_S2.2,S1的低电平门限大于0.7V左右(视NMOS内的二极管压降而定).3,Vgs<=VCC_S1.4,Vds&

TTL电平的VIH/VIL一般是2V/0.8V,VOH/VOL一般是 2.4V/0.4V,不论是3.3V还是5V的TTL都一样的:CMOS的VIH/VIL一般是70%VCC/30%VCC,VOH/VOL一般是80% VCC/20%VCC,所以不同的电平不能互推!另外CMOS的速度比较快,一般的高速器件采用! 常见逻辑电平标准现在常用的电平标准有TTL.CMOS.LVTTL.LVCMOS.ECL.PECL.LVPECL.RS232.RS485等,还有一些速度比较高的 LVDS.GTL.PGTL.C

STM32的GPIO介绍 STM32引脚说明 GPIO是通用输入/输出端口的简称,是STM32可控制的引脚.GPIO的引脚与外部硬件设备连接,可实现与外部通讯.控制外部硬件或者采集外部硬件数据的功能. STM32F103ZET6芯片为144脚芯片,包括7个通用目的的输入/输出口(GPIO)组,分别为GPIOA.GPIOB.GPIOC.GPIOD.GPIOE.GPIOF.GPIOG,同时每组GPIO口组有16个GPIO口.通常简略称为PAx.PBx.PCx.PDx.PEx.PFx.PGx,其中x为

当你使用3.3V的单片机的时候,电平转换就在所难免了,经常会遇到3.3转5V或者5V转3.3V的情况,这里介绍一个简单的电路,他可以实现两个电平的相互转换(注意是相互哦,双向的,不是单向的!).电路十分简单,仅由3个电阻加一个MOS管构成. 电路图如下: 3.3-5V转换 上图中,S1,S2为两个信号端,VCC_S1和VCC_S2为这两个信号的高电平电压.另外限制条件为: 1,VCC_S1<=VCC_S2. 2,S1的低电平门限大于0.7V左右(视NMOS内的二极管压降而定). 3,Vgs<=

EEPROM(Electrically Erasable Programmable read only memory)即电可擦可编程只读存储器,是一种掉电后数据不丢失(不挥发)存储芯片. EERPOM的基本结构有几种,这里讲解比较常用的FLOTOX管结构,如下图所示: FLOTOX(Floating Gate Tunneling Oxide)MOS管即浮栅隧道氧化层晶体管,它是在标准CMOS工艺的基础上衍生的技术. 如上图所示,在传统的MOS管控制栅下插入一层多晶硅浮栅,浮栅周围的氧化层与绝缘层

原文链接点击这里 EEPROM(Electrically Erasable Programmable read only memory)即电可擦可编程只读存储器,是一种掉电后数据不丢失(不挥发)存储芯片. EERPOM的基本结构有几种,这里讲解比较常用的FLOTOX管结构,如下图所示: FLOTOX(Floating Gate Tunneling Oxide)MOS管即浮栅隧道氧化层晶体管,它是在标准CMOS工艺的基础上衍生的技术. 如上图所示,在传统的MOS管控制栅下插入一层多晶硅浮栅,浮栅周

一.GPIO简介 GPIO(英语:General-purpose input/output),通用型之输入输出的简称,简单来说就是STM32可控制的引脚,STM32芯片的GPIO引脚与外部设备连接起来,从而实现与外部通讯.控制以及数据采集的功能.STM32芯片的GPIO被分成很多组,每组有16个引脚,所有的GPIO引脚都有基本的输入输出功能.     最基本的输出功能是由STM32控制引脚输出高.低电平,实现开关控制,如把GPIO引脚接入LED灯,那就可以控制LED灯的亮灭,引脚接入到继电器或三

catalogue . 引言 . RC522芯片(读卡器)简介 . FM1702SL芯片(读卡器)简介 . RFID M1卡简介 . 读取ID/序列号(arduino uno.MFRC522芯片 Based On MF522-AN模块) . 读取ID/序列号(arduino uno.FM1702SL) . arduino uno.RC522向mifare卡写入数据 0. 引言 需要明白的一点是,一张卡能否hack取决于以下几点 . 卡本身的硬件结构和内部实现: 例如如果一张卡的电路设置了只读逻辑