转自:https://blog.csdn.net/pengrui18/article/details/32337297 今天在看别人如何根据物理地址计算NANDFLASH的列地址(column addres)和页地址(page address),结果看到这篇文章时,感觉有点不对劲.http://blog.csdn.net/feihuxiaozi/article/details/6943124.我在u-boot下根据代码计算,不管怎么计算都和他的例子对不上: 0xBB8CCB8 = 0000101

本文转自EasyDSS团队成员StarIT的博客:http://blog.csdn.net/staritstarit/article/details/73692715 问题 在博客<EasyDSS流媒体服务器出现no compatible source was found for this media问题的解决>中我们提到,EasyDSS流媒体服务器在做RTMP.HLS flash播放时候,经常会遇到网站flash被禁用的情况,每一次都会有用户跑来咨询是什么原因,我们就不厌其烦地告诉他原因,然

Flash名称的由来,Flash的擦除操作是以block块为单位的,与此相对应的是其他很多存储设备,是以bit位为最小读取/写入的单位,Flash是一次性地擦除整个块:在发送一个擦除命令后,一次性地将一个block,常见的块的大小是128KB/256KB,全部擦除为1,也就是里面的内容全部都是0xFF了,由于是一下子就擦除了,相对来说,擦除用的时间很短,可以用一闪而过来形容,所以,叫做Flash Memory.所以一般将Flash翻译为 (快速)闪存. NAND Flash 在嵌入式系统中有着广

ECC 产生方法 ECC 是用于对存储器之间传送数据正确进行校验的一种算法,分硬件 ECC 和软件 ECC 算法两种,在 S3C2410 的 Nand Flash 控制器中实现了由硬件电路(ECC 生成器)实现的硬件 ECC. ECC 生成器工作过程 当写入数据到 Nand flash 存储空间时, ECC 生成器会在写入数据完毕后自动生成 ECC 码,将其放入到 ECC0-ECC2.当读出数据时 Nand Flash 同样会在读数据完毕后,自动生成 ECC 码将其放到 ECC0-ECC2 当

简单制作一个Nand Flash驱动(只需要初始化Flash以及读Flash) 打开2440芯片手册,K9F2G08U0M芯片手册(因为2440中Nand Flash是用的256MB(2Gb)内存,8个数据引脚) 在芯片手册中得到K9F2G08U0M=2048块Block=128K页Pages=256MB=2Gb 1块Block=64页Pages 1页=(2K+64)B            (因为每个地址里都存放了一个字节,所以用B表示) 其中64B是存放ECC的OOB地址,(ECC:存放判断

S3C2440对Nand Flash操作和电路原理(基于K9F2G08U0A) 转载自:http://www.cnblogs.com/idle_man/archive/2010/12/23/1915303.html S3C2440内部集成了一个Nand flash控制器.S3C2440的Nand flash控制器包含了如下的特性: l        一个引导启动单元 l        Nand Flash存储器接口,支持8位或16位的每页大小为256字,512字节,1K字和2K字节的Nand f

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术.Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级.一.存储数据的原理两种闪存都是用三端器件作为存储单元,分别为源极.漏极和栅极,与场效应管的工作原理相同,主要是利用电场的效应来控制源极与漏极之间的通断,栅极的电流消耗极小,不同的是场效应管为单栅极结构,而

[导读]Flash存储器,简称Flash,它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程的性能,还不会因断电而丢失数据,具有快速读取数据的特点;在现在琳琅满目的电子市场上,Flash总类可谓繁多,功能各异,而你对它了解有多少呢? 为了让大家更深入了解Flash,今天将主要根据芯片的通信协议并且结合Flash的特点,给大家一个全新认识. Flash存储器,简称Flash,它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程的性能,还不会因断电而丢失数据,具有快速读取数据的特点;在现在琳琅

本章目标  了解NAND Flash 芯片的接口 掌握通过NAND Flash控制器访问NAND Flash的方法 8.1 NAND Flash介绍和NAND Flash控制器使用     NAND Flash在嵌入式系统中的地位与PC上的硬盘类似,用于保存系统运行所需的操 作系统.应用程序.用户数据.运行过程中产生的各类数据.与内存掉电数据丢失不同, NAND Flash中的数据在掉电后仍可永久保存. 8.1.1 Flash介绍     常用的Flash类型由NOR Flash和NAND Fl

转自:http://blog.51cto.com/hardywang/2053915 NAND Flash是一种非易失性随机访问存储介质,基于浮栅(Floating Gate)晶体管设计,通过浮栅来锁存电荷,电荷被储存在浮栅中,它们在无电源供应的情况下仍然可以保持.关于NAND Flash技术基本原理之前有过讲解,大家可以参考文章闪存技术最全面解析.今天主要讨论下NAND Flash生产过程.架构和关键指标. NAND Flash是从原始的硅材料加工出来的,硅材料被加工成晶圆(Wafer),一片

大家好,我是痞子衡,是正经搞技术的痞子.今天痞子衡给大家分享的是恩智浦i.MXRT1170上Cortex-M7内核的FlexRAM ECC功能. ECC是"Error Correcting Code"的简写,ECC能够实现错误检查和纠正,含有ECC功能的内存一般称为ECC内存,使用了ECC内存的系统在稳定性和可靠性上得到很大提升.相比前几代不带ECC的i.MXRT10xx型号,新一代i.MXRT1170在ECC上做了全面武装,从eFuse到FlexRAM,从OCRAM到外部存储空间全都

大家好,我是痞子衡,是正经搞技术的痞子.今天痞子衡给大家分享的是i.MXRT1170 XECC功能特点及其保护串行NOR Flash和SDRAM之道. ECC 是 "Error Correcting Code" 的简写,ECC 能够实现错误检查和纠正,含有 ECC 功能的内存一般称为 ECC 内存,使用了 ECC 内存的系统在稳定性和可靠性上得到很大提升.相比前几代不带 ECC 的 i.MXRT10xx 型号,新一代 i.MXRT1170 在 ECC 上做了全面武装,从 eFuse到

最近因项目需要,做一个数据采集的单片机平台.需要移植 FatFs .现在把最后成果贴上来. 1.摘要 在 STM32 单片机上,成功移植 FatFs 0.12b,使用的 Nand Flash 芯片为 K9F2G08 . 特点: 系统配合 FatFs 实现了坏块管理,硬件ECC,软件 ECC 纠错 2.代码分析 2.1.擦写均衡分析 在create_chain 函数中实现,每次分配都由当前scl 指向的 free cluster 开始,逐块检查,是否有可用 cluster 存在.如果没有则取下一块

Flash型号: NandFlash型号:TC58NVG2S3ETA00 pagesize: 2KB oobsize  : 64B blocksize : 128K 关于ECC可以参考:http://www.cnblogs.com/pengdonglin137/p/3438001.html,其中介绍了256B纠错1位的ECC生成算法,而这里的512B跟它的方法类似. 这里有一个EXCEL表格,它是对下面将要分析的算法的动态演示,只需要更改其中的16*16的表格中的数字,相应的ECC会自动计算出来

讨论到eMMC的发展历程,必须要从介绍Flash的历史开始 Flash分为两种规格:NOR Flash和NAND Flash,两者均为非易失性闪存模块. 1988年,Intel首次发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面.NOR类似于DRAM, 以存储程序代码为主,可以让微处理器直接读取.因为读取速度较快,但晶片容量较低,所以多应用在通讯产品中,如手机. 19***,东芝公司发表NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且像磁盘一样可

一.NAND FLASH的特点 S3C6410的NAND FLASH控制器有如下特点 1.自导入模式:复位后,引导代码被送入到8KB的STEPPINGSTONE中,引导代码移动完毕,引导代码将在STEPPINGSTONE中执行.导入期间,NAND FLASH控制器不支持ECC矫正. 2.NAND FLSH 控制器I/F:支持512字节和2KB页 3.软件模式:用户可以直接访问nand flash 控制器,该特性可以用于读/檫/编程nand flash 存储器. 1)写命令寄存器=NAND FLA

最近做到的项目在运行需要把一组uint8_t(unsigned char)的数据进行掉电储存,想到单片机STM32f030f4p6内部flash可以直接由程序操作,写了以下代码用于uint8_t数据打包保存和读取. 1.程序清单 与 测试结果 本程序包含5个文件,分别是: 1.Flash.c:内部flash读取储存相关函数 2.Flash.h:flash头文件 3.USART1.c:STM32F030F4P6的串口驱动,串口仅用于打印数据观察. 4.USART1.h:串口头文件 5.main.c

一.Flash与时钟系统的关系            STM32系统时钟:                 HSE 高速外部时钟,电路上焊接的外部时钟,一般是4Mhz-16Mhz,板子上的是8Mhz -->是外接的晶振,耗能高于内部,但准确度也高                  LSE 低速外部时钟,电路板上焊接的外部时钟,32.768Khz,用于RTC                  HSI 高速内部时钟,STM32内部的时钟,默认为8Mhz  -->是单片机内部的RC振荡电路     

本章参考资料:<STM32F76xxx参考手册>.<STM32F76xxx规格书>.库帮助文档<STM32F779xx_User_Manual.chm>及<SPI总线协议介绍>. 若对SPI通讯协议不了解,可先阅读<SPI总线协议介绍>文档的内容学习. 关于FLASH存储器,请参考“常用存储器介绍”章节,实验中FLASH芯片的具体参数,请参考其规格书<W25Q128>来了解. 24.1  QSPI协议简介 QSPI是Queued SP

1. 根据物理结构上的区别,Nand Flash主要分为: SLC(Single Level Cell): 单层式存储 MLC(Multi Level Cell): 多层式存储 TLC(Triple Level Cell): 三层式存储 注:SLC在存储格上只存一位数据(2个状态),MLC存放两位数据(4个状态),TLC存放三位数据(8个状态). 2. Nand Flash 地址结构 注: ①Row Address即页地址,Column Address即页内偏移 ②正常页内容读取用Column

RAM(Random Access Memory)的全名为随机存取记忆体,它相当于PC机上的移动存储,用来存储和保存数据的.它在任何 时候都可以读写,RAM通常是作为操作系统或其他正在运行程序的临时存储介质(可称作系统内存). 不过,当电源关闭时RAM不能保留数据,如果需要保存数据,就必须把它们写入到一个长期的存储器中(例如硬盘).正因为如此, 有时也将RAM称作“可变存储器”.RAM内存可以进一步分为静态RAM(SRAM)和动态内存(DRAM)两大类.DRAM由于具有较 低的单位容量价格,所以