关于STM32GPIO口的8种工作模式,我们先引出一些问题? STM32GPIO口如果既要输入又要输出怎么办? 1.浮空输入模式 上图红色的表示便是浮空输入的过程,外部输入时0读出的就是0,外部输入时1读出的就是1,外部没有输入IO处于阻塞读不出电平状态. 用处:感觉在信号处理方面用的比较好,比如在读取一段一段的波形,可以清晰的知道什么时候是0信号,什么时候是1信号,什么时候是没有信号的. 类比:51单片机找不到类似的输入模式   2.上拉输入 上拉输入和浮空输入的区别是,上拉电阻的开关关闭了,

场效应管的导通与截止由栅源电压来控制,对于增强型场效应管来说,N沟道的管子加正向电压即导通,P沟道的管子则加反向电压.一般2V-4V就可以了.    但是,场效应管分为增强型(常开型)和耗尽型(常闭型),增强型的管子是需要加电压才能导通的,而耗尽型管子本来就处于导通状态,加栅源电压是为了使其截止.    开关只有两种状态通和断,三极管和场效应管工作有三种状态,1.截止,2.线性放大,3.饱和(基极电流继续增加而集电极电流不再增加).使晶体管只工作在1和3状态的电路称之为开关电路,一般以晶体管截止

原文地址点击这里: 在前一节,我们对PMOS与NMOS两种增强型场效应管的开关电路作了详细的介绍, 并且还提到过一种广为流传的说法:相对于NMOS管,PMOS管的沟道导通电阻更大.速度更慢.成本更高等,虾米情况?我们还是从头说起吧! 如果读者有一定的电子技术应用经验的话,对NMOS管开关电路的使用场合肯定是如数家珍,几乎所有的开关电源拓扑都偏向于使用NMOS管(而不是PMOS管),如正激.反激.推挽.半桥.全桥等拓扑,NMOS管的应用电路案例真心不要太多,如下图所示(当然,这些也并不全是完全独立

;输出寄存器AX中的内容(子程序) DATAS segment DATAS ends CODES segment START: mov AX,DATAS mov DS,AX ;正式代码开始 mov AX,1AF4H ;设置需要显示的AX的值 call PrintAX mov ah,4CH int 21H PrintAX proc jmp Next Temp db '0000H','$' Next: ;保存存储结果的字符串的最后一个字符偏移地址 xor cx,cx ;对cX清零 ;设置循环次数为4

就像前面提到的,我用的板子是一款stm32f107系列的板子,在这块板子上,已经开发出了一套比较成熟的库函数,这也就意味着你可以不用直接去操作存储器来实现某些功能.比方说对于USART来说可以直接通过void STM_EVAL_COMInit(COM_TypeDef COM, USART_InitTypeDef* USART_InitStruct)实现对usart始终初始化,复用端口的定义和设置,usart功能的配置及使能.那么后面的寄存器是怎么操作的呢?这是我比较关心的问题,为了能更详细的了解

//通过javascript的日期对象来得到当前的日期,并输出. var mydate = new Date(); var week = ["星期日","星期一","星期二","星期三","星期四","星期五","星期六"] var sum = 0; var av = 0; document.write(mydate.getFullYear()+"年&quo

按照MDN整理的数组部分的思维导图,主要目的是方便查漏补缺,所以写的不是很详细.

pc线路板是有导电功能的,那么如何仅适用手工计算出线路的阻值能?那么就需要使用到一个公式: W*R*T=6000 W是指铜箔的宽度单位是密耳mil. T是指铜箔厚度单位是盎司oz. R是指铜箔的电阻单位是mΩ/ft. 6000是常数不变量. 根据这个公式就可以计算出横切面积内铜箔的电阻值.其中1oz=35um,当铜箔被蚀刻成线路的时候,这个时候只要将所要计算阻值的线路测量出宽度和长度就可以计算出线路的阻值是多少.

DATAS segment Temp db '0000H','$' DATAS ends CODES segment START: mov AX,DATAS mov DS,AX ;正式代码开始 mov AX,12ABH ;设置需要显示的AX的值 ;保存存储结果的字符串的最后一个字符偏移地址 xor cx,cx ;对cX清零 ;设置循环次数为4次 MainPart: mov DH,AL ;将Al的内容传送给DH ;上述4句为使AX逻辑右移4位 理论上可以写成 shr AX ,cl(cl设置为4)

位置传感器:旋转编码器          MCU:STM32F405RGT6          功率MOS驱动芯片:DRV8301 全文均假设在无弱磁控制的情况下 FOC算法理论 首先,我们要知道FOC是用来干什么的?有什么用?相比于BLDC的六步方波驱动有什么优点? 传统的六步方波驱动由于产生的磁场旋转运动不连续,导致电机转子受的驱动力矩发生突变(转矩脉动),即使通过增加电机极对数也不能的很好解决这一问题.另外由于方波驱动产生的驱动力不能全部的用于转子切线方向的转矩,还有一部分力损失在转子径向

一.MOS管驱动电路综述在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的.1.MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种.至于为什么不使用耗尽型的

本文来自cairang45的博客,讲述了STM32的GPIO口的输出开漏输出和推挽输出, 作者博客:http://blog.ednchina.com/cairang45 本文来自: 高校自动化网(Www.zdh1909.com) 详细出处参考(转载请保留本链接):http://www.zdh1909.com/html/MCS51/2944.html STM32的GPIO口的输出:开漏输出和推挽输出 >>推挽输出:可以输出高,低电平,连接数字器件 >>开漏输出:输出端相当于三极管的集

MOS管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型.本文就结构构造.特点.实用电路等几个方面用工程师的话简单描述. 其结构示意图: 解释1:沟道 上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求. 解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可.因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,而p型的相反. 解释3

open-drain与push-pull] GPIO的功能,简单说就是可以根据自己的需要去配置为输入或输出.但是在配置GPIO管脚的时候,常会见到两种模式:开漏(open-drain,漏极开路)和推挽(push-pull). 对此两种模式,有何区别和联系,下面整理了一些资料,来详细解释一下: 图表 1 Push-Pull对比Open-Drain   Push-Pull推挽输出 Open-Drain开漏输出 原理 输出的器件是指输出脚内部集成有一对互补的MOSFET,当Q1导通 .Q2截止时输出高

节选自 http://www.dianyuan.com/bbs/987183.html [草根大侠]贴 关于MOS管导通内阻和米勒电容(Qgd)差异对效率的影响 http://www.epc.com.cn/subject/200910/13172.html 理解功率MOSFET的开关损耗(图) 最近做了一款正激有源钳位电源,DC48输入,DC28V输出,功率200W,频率100K.下边分别说说MOS管的差异 1.主MOS管用的IRF640,钳位管也用的IRF640 ,输出整流管用的MBR2020

在点亮LED之前,我们需要具备一些基础知识: GPIO—general purpose intput output 是通用输入输出端口的简称,简单来说就是软件可控制的引脚,STM32芯片的GPIO引脚与外部设备连接起来,从而实现与外部通讯.控制以及数据采集的功能. 1.GPIO跟引脚有什么区别? 2.如何查找每一个GPIO的功能说明? 引脚包含了GPIO,也就是GPIO是引脚的子集. 通过<STM32F4xx英文数据手册>可以查询每一个GPIO的功能说明,需要注意带FT标志的表示兼容5V,否则

一些关于MOS管的基础知识,很多资料来源于网络. 场效应管(FET)分类:(按材料) 1. 结型 2. 绝缘栅型(MOS) 耗尽型:在SiO2绝缘层中掺入了大量的碱金属正离子Na+或K+(制造P沟道耗尽型MOS管时掺入负离子) 增强型:无掺杂. 结型: 工作原理: 在uds=0时: ugs=0V ugs>0V,并没有夹断 ugs>0V,夹断 uds>0时,沟道的变化不会像uds=0那么规则.但是当沟道夹断之后,iD只取决于uGS,即电压控制电流. N沟道增强型MOS: N沟道耗尽型MOS

MOS管 增强型:就是UGS=0V时漏源极之间没有导电沟道,只有当UGS>开启电压(N沟道)或UGS<开启电压(P沟道)才可能出现导电沟道.耗尽型:就是UGS=0V时,漏源极之间存在导电沟道 1.导通特性 NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4V或10V就可以了. PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动).但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原

目录SAIU R20 1 6 第1页第1 章. 初识STM32...................................................................................................................... 11.1. 课前预习..........................................................................................

第32章     TIM—高级定时器 全套200集视频教程和1000页PDF教程请到秉火论坛下载:www.firebbs.cn 野火视频教程优酷观看网址:http://i.youku.com/firege 本章参考资料:<STM32F4xx 中文参考手册>.<STM32F4xx规格书>.库帮助文档<stm32f4xx_dsp_stdperiph_lib_um.chm>. 学习本章时,配合<STM32F4xx 中文参考手册>高级定时器章节一起阅读,效果会更佳,

1.SDRAM单管存储单元 SDRAM单管电路图 C记忆单元 T控制门管 Z字线 W位线 注:图示为N沟道耗尽型MOS管 写入:Z加高电平,MOS导通,W状态决定了电容C的状态 读出:Z加高电平,MOS导通,可以从W状态得知C的状态 保持:Z加低电平,MOS关闭,电容保持原状态 注意:单管读出是破坏性读出,因为读出时电容充电或者放电了,所以读出后还要重写 2.      刷新与重写  ●  刷新是每隔一段时间,自动重写一次:重写是破坏性读出后立即还原 最大刷新间隔:所有的动态单元都被重新刷一遍的