源:http://www.micro-bridge.com/news/news.asp?id=258 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的. 1.MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道M

原文地址点击这里: 在前一节,我们对PMOS与NMOS两种增强型场效应管的开关电路作了详细的介绍, 并且还提到过一种广为流传的说法:相对于NMOS管,PMOS管的沟道导通电阻更大.速度更慢.成本更高等,虾米情况?我们还是从头说起吧! 如果读者有一定的电子技术应用经验的话,对NMOS管开关电路的使用场合肯定是如数家珍,几乎所有的开关电源拓扑都偏向于使用NMOS管(而不是PMOS管),如正激.反激.推挽.半桥.全桥等拓扑,NMOS管的应用电路案例真心不要太多,如下图所示(当然,这些也并不全是完全独立

场效应管的导通与截止由栅源电压来控制,对于增强型场效应管来说,N沟道的管子加正向电压即导通,P沟道的管子则加反向电压.一般2V-4V就可以了.    但是,场效应管分为增强型(常开型)和耗尽型(常闭型),增强型的管子是需要加电压才能导通的,而耗尽型管子本来就处于导通状态,加栅源电压是为了使其截止.    开关只有两种状态通和断,三极管和场效应管工作有三种状态,1.截止,2.线性放大,3.饱和(基极电流继续增加而集电极电流不再增加).使晶体管只工作在1和3状态的电路称之为开关电路,一般以晶体管截止

pc线路板是有导电功能的,那么如何仅适用手工计算出线路的阻值能?那么就需要使用到一个公式: W*R*T=6000 W是指铜箔的宽度单位是密耳mil. T是指铜箔厚度单位是盎司oz. R是指铜箔的电阻单位是mΩ/ft. 6000是常数不变量. 根据这个公式就可以计算出横切面积内铜箔的电阻值.其中1oz=35um,当铜箔被蚀刻成线路的时候,这个时候只要将所要计算阻值的线路测量出宽度和长度就可以计算出线路的阻值是多少.

背景 配置stm32f103使其完成PWM输出的过程中,在配置GPIO口的时候,按照习惯配置GPIO口的speed为50MHZ,突然就意识到,为什么大部分例程习惯配置为50MHZ,而不是其它值,即有了此文章. 正文 先说说GPIO口speed的问题,这个一般是用来定义GPIO口上升沿或者下降沿的时间,频率越高,上升沿下降沿时间越短,但是其噪音也就越大,因此,如果没有特别的需求,该值应该不要配置太高.在技术手册里,其给了3个速度选择,库函数的相应表现形式如下: /** * @brief Outpu

STM32F407第一步之点亮LED. 要点亮LED,首先了解一下F4的GPIO模块.首先看一下STM32F4数据手册,GPIO模块的内部结构图 看上去有点复杂,不要怕,慢慢理解就可以了.对外引脚那里二极管就是保护的作用.通过上.下拉对应的开关配置,控制引脚默认状态的电压,开启上拉的时候引脚电压为高电平,开启下拉的时候引脚电压为低电平,这样可以消除引脚不定状态的影响.但是这个不应该用来作为外部的上拉或下拉用,如按键的拉电阻不能用这个内部来作用,如果用可能会引起按键不稳定. GPIO 具有了“推挽

电源反接,会给电路造成损坏,不过,电源反接是不可避免的.所以,我么就需要给电路中加入保护电路,达到即使接反电源,也不会损坏的目的. 一般可以使用在电源的正极串入一个二极管解决,不过,由于二极管有压降,会给电路造成不必要的损耗,尤其是电池供电场合,本来电池电压就3.7V,你就用二极管降了0.6V,使得电池使用时间大减. MOS管防反接,好处就是压降小,小到几乎可以忽略不计.现在的MOS管可以做到几个毫欧的内阻,假设是6.5毫欧,通过的电流为1A(这个电流已经很大了),在他上面的压降只有6.5毫伏.

/* *本文转载自互联网,仅供个人学习之用,请勿用于商业用途. */ 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的 ,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的.   下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创.包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路. 1,MOS管种类和结构   MOSFET管是FET的一种(另一种是JFE

作者:   来源:电源网 关键字:MOSFET 结构 开关 驱动电路 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素.这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的. 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创.包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路. 1,MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以

http://anlx27.iteye.com/blog/1583089 学过模拟电路,但都忘得差不多了.重新学习MOS管相关知识,大多数是整理得来并非原创.如有错误还请多多指点! 先上一张图 一. 一句话MOS管工作原理 NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到一定电压(如4V或10V, 其他电压,看手册)就可以了.          PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动).但是,虽然PMO

作为一个学微电子专业的IC learner,这个学期也有一门课:<微电子器件>,今天我就来聊聊基本的器件:CMOS器件及其电路.在后面会聊聊锁存器和触发器. 今天的主要内容如下所示: ·MOS晶体管结构与工作原理简述 ·CMOS单元电路与版图 ·CMOS门电路 ·CMOS的功耗表示 老实说,CMOS比较偏微电子器件,微电子器件还真难...这里我就说一些做数字设计或许要了解的东西吧(以后要是必要,会补充). 1.MOS晶体管结构与工作原理简述 我们或多或少知道,晶体管在数字电路中的主要作用就是一

低功耗设计这个专题整理了好久,有一个月了,有图有证据: 然而最近一直有些烦心事.郁闷事,拖延了一下,虽然现在还是有点烦,但是还是先发表了吧.下面我们就来聊聊低功耗设计吧,由于文章比较长,因此我就不一次性发完,我整理之后再发上去.当然,这里的低功耗设计基本上是入门阶段,也就是大部分从理论角度进行阐述,你也可以说是从书本上说的,但是呢,我可以先给大家剧透一下:不仅仅是从理论上说,我还结合EDA工具进行说明如何进行低功耗设计.废话不多说,下面就来看看这个专题的主要内容: ·低功耗设计的目的 ·功耗的构

端口概述 在STM32中,每个I/O端口可以由软件配置成为输入/输出模式.复位期间或刚复位后,I/O端口被配置成浮空输入模式.所有的GPIO引脚有一个内部弱上拉和弱下拉,当配置为输入时, 它们可以被激活或者是断开. 所有的端口都有外部中断的能力. AF功能:对于复用功能,端口必须配置成复用功能输出模式.当软件把一个GPIO脚配置成复用输出功能,但是外设没有被激活,它的输出将不确定.还可以进行软件重映射I/O复用功能. 输入模式 四种输入模式:上拉输入.下拉输入.浮空输入.模拟输入. 以上电路由右

目录SAIU R20 1 6 第1页第1 章. 初识STM32...................................................................................................................... 11.1. 课前预习..........................................................................................

补充: N.P型的区别,就是一个为正电压启动(NMOS),一个为负电压启动(PMOS) GPIO的八种工作模式详解 浮空输入_IN_FLOATING带上拉输入_IPU带下拉输入_IPD模拟输入_AIN开漏输出_OUT_OD推挽输出_OUT_PP开漏复用输出_AF_OD推挽复用输出_AF_PP4输入 + 2 输出 + 2 复用输出,一共是8种模式,以下是八种模式的工作原理: GPIO浮空输入_IN_FLOATING模式工作原理以上截图就是浮空输入模式的原理图,图中阴影的部分在浮空输入模式下是处于不

001. 画出CMOS反相器的电路原理图. 衬底的连接问题.PMOS衬底接电源,NMOS衬底接地 002. 反相器的速度与哪些因素有关?什么是转换时间(transition time)和传播延迟(propagation delay)? 反相器的速度与哪些因素有关. (1)  电容(负载电容.自载电容.连线电容)较小,漏端扩散区的面积应尽可能小.输入电容要考虑: (1)Cgs 随栅压而变化(2)密勒效应(3)自举效应 (2)   加大晶体管的尺寸(驱动能力),使晶体管的等效导通电阻(输出电阻)较小

第7章     使用寄存器点亮LED灯 全套200集视频教程和1000页PDF教程请到秉火论坛下载:www.firebbs.cn 野火视频教程优酷观看网址:http://i.youku.com/firege 本章参考资料:<STM32F4xx 中文参考手册>.<STM32F429规格书>. 学习本章时,配合<STM32F4xx 中文参考手册>"通用I/O(GPIO)"章节一起阅读,效果会更佳,特别是涉及到寄存器说明的部分.关于建立工程时使用KEIL5

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多谐振荡器是一种自激振荡电路,该电路在接通电源后无需外接触发信号就能产生一定频率和幅值的矩形脉冲波或方波.由于多谐振荡器在工作过程中不存在稳定状态,故又称为无稳态电路. 一.门电路组成的多谐振荡器 1. 电路组成及工作原理 由门电路组成的多谐振荡器的特点: ²        产生高.低电平的开关器件,如门电路.电压比较器.BJT等 ²        具有反馈网络,将输出电压恰当的反馈给开关器件使之改变输出状态 ²       有延迟环节,利用RC电路的充.放电特性可实现延时,以获得所需要的振荡频